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        TK3P50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微

        返回列表來源:壹芯微 發布日期 2021-12-28 瀏覽:-

        TK3P50D參數,中文資料,規格書 - 場效應MOS管 - 壹芯微

        TK3P50D中文參數,TK3P50D封裝引腳圖,TK3P50D數據手冊,MOS管選型替代(生產廠家)

        TK3P50D,TO-252

        TK3P50D場效應管封裝TO-252

        封裝形式與電路符號

        特征

        開關穩壓器

        (1) 低漏源導通電阻:RDS(ON)=2.3Ω(典型值)

        (2) 高前向轉移導納:|Yfs|=1.0S(典型值)

        (3) 低漏電流:IDSS=10µA(最大值)(VDS=500 V)

        (4) 增強模式:Vth=2.4至4.4V(VDS=10V,ID=1mA)

        絕對最大額定值(TC=25°C,除非另有說明)

        漏源電壓(VDSS):500V

        柵源電壓(VGSS):±30V

        雪崩電流(IAR):3A

        漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID):3A

        漏極電流-脈沖(IDM):6A

        單脈沖雪崩能量(EAS):81mJ

        重復雪崩能量(EAR):6mJ

        功耗(TC=25°C)(PD):60W

        工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG):-55~150°С

        熱阻-結到外殼(RθJC):2.08°C/W

        熱阻-結到環境(RθJA):125°C/W

        絕對最大額定值

        TO-252封裝

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