來源：壹芯微 發布日期
2021-12-15 瀏覽：-TK4P60DA場效應管參數 TK4P60DA參數資料規格書〔壹芯微〕
TK4P60DA參數資料,選型替代,TK4P60DA封裝引腳圖,數據手冊,MOS管生產廠家
漏源電壓(VDSS)：600V
柵源電壓(VGSS)：±30V
雪崩電流(IAR)：3.5A
漏極電流-連續(TJ=25°C)(ID)：3.5A
漏極電流-脈沖(IDP)：14A
單脈沖雪崩能量(EAS)：132mJ
重復雪崩能量(EAR)：8mJ
功耗(TC=25°C)(PD)：80W
工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~150°С
熱阻-結到外殼(RθJC)：1.56°C/W
熱阻-結到環境(RθJA)：125°C/W
〔壹芯微〕國內功率半導體制造廠商，主營各類貼片與直插，二極管、三極管、MOS(場效應管)、可控硅、三端穩壓管、整流橋，IC(集成電路)；參數達標，質量保障，工廠直銷(價省20%)，免費送樣，選型替代，技術支持，專業售后，如需了解產品詳情或最新報價，歡迎咨詢官網在線客服。
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