UTT25P10場效應管參數代換,UTT25P10中文資料規格書下載

UTT25P10場效應管參數代換,UTT25P10封裝引腳圖,UTT25P10中文資料規格書

UTT25P10描述與特性

UTT25P10是一款采用先進技術的P溝道功率MOSFET，為客戶提供高開關速度和最小導通電阻，并且在雪崩中也能承受高能量。

此UTT25P10適用于電機驅動器、開關穩壓器、轉換器和繼電器驅動器等。

* RDS(ON)<0.15Ω @ VGS=-10V，ID=-25A

* 高開關速度

UTT25P10最大額定參數 TC=25°C，除非另有說明。

Drain-SourceVoltage漏源電壓(注 2),VDSS：-100V 

Drain-GateVoltage漏柵電壓(RGS=20k?),VDGR：-100V 

Gate-SourceVoltage柵源電壓,VGSS：±20V 

DrainCurrentContinuous漏極電流連續,ID：-25A 

DrainCurrentPulsed漏極電流脈沖(注 2),IDM：-60A 

PowerDissipation功耗TO-220/TO-263,PD：100W

PowerDissipation功耗TO-220F,PD：2W

PowerDissipation功耗TO-252,PD：50W

JunctionTemperature結溫,TJ：-55~+150°C 

StorageTemperature儲存溫度,TSTG：-55~+150°C

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