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        UTT60N10場效應(yīng)管參數(shù)-PDF規(guī)格書下載

        返回列表來源:壹芯微 發(fā)布日期 2021-10-18 瀏覽:-

        UTT60N10場效應(yīng)管參數(shù)-PDF規(guī)格書下載

        UTT60N10場效應(yīng)管參數(shù)及代換,UTT60N10封裝引腳圖,UTT60N10中文資料規(guī)格書PDF

        UTT60N10

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        UTT60N010場效應(yīng)管參數(shù)如下:

        極性:NPN

        Drain-SourceVoltage漏源電壓,VDSS:100V

        GateSourceVoltage柵源電壓,VGSS:±20V

        ContinuousDrainCurrent漏極電流連續(xù),ID:60A

        PowerDissipation功耗,TO-220,PD:100W

        PowerDissipation功耗,TO-220F1,PD:70W

        PowerDissipation功耗,TO-252,PD:114W

        PowerDissipation功耗,TO-3P,PD:118W

        OperatingJunction&StorageTemperatureRange儲存溫度,TJ,TSTG:-55~150°C

        UTT60N10

        UTT60N10

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