UTT60N10MG-TN3-R替代DH012TG場效應(yīng)管參數(shù)中文資料PDF - 壹芯微

UTT60N10MG-TN3-R(N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管)；UTT60N10MG-TN3-R場效應(yīng)管參數(shù)；UTT60N10MG-TN3-R場效應(yīng)管封裝引腳圖；UTT60N10MG-TN3-R場效應(yīng)管中文資料規(guī)格書(PDF)；

電流(ID)：60A，電壓(VDSS)：100V，封裝形式：TO252

產(chǎn)品概要

* RDS(ON)≤18mΩ @VGS=10V, ID=20A

   RDS(ON)≤25mΩ @ VGS=4.5V，ID=15A

* 綠色設(shè)備可用

* 低柵極電荷

* 表面貼裝封裝

絕對(duì)最大額定參數(shù)（TC=25C，除非另有說明）

漏源電壓VDSS：100V

柵源電壓VGSS：±20V

漏極電流連續(xù)TO-220/TO-220F/TO-251/TO-252 ID：60A

漏極電流連續(xù)SOP-8 ID：30A

漏極電流連續(xù)DFN5060-8 ID：40A

脈沖漏極電流（注 2）TO-220/TO-220F/TO-251/TO-252 IDM：100A

脈沖漏極電流（注 2）SOP-8 IDM：50A

漏極電流脈沖（注 2）DFN5060-8 IDM：67A

雪崩電流IAS：20A

雪崩能量（注3）EAS：200mJ

功耗TO-220 PD：125W

功耗TO-220F PD：30W

功耗TO-247 PD：312W

功耗TO-251/TO-252 PD：50W

功耗SOP-8 PD：6W

功耗DFN5060-8 PD：14W

結(jié)溫TJ：-40~+150 °C

儲(chǔ)存溫度范圍TSTG：-55~+150 °C

注意： 

1. 絕對(duì)最大額定值是指超出該值可能會(huì)永久損壞設(shè)備的那些值。

    絕對(duì)最大額定值僅是應(yīng)力額定值，并不暗示功能設(shè)備操作。

2. 重復(fù)額定值：脈沖寬度受最大結(jié)溫限制。

3. L=1mH, IAS=20A, VDD=25V, RG=25Ω, 啟動(dòng)TJ=25°C

壹芯微科技（Yixin）國內(nèi)知名功率半導(dǎo)體制造商。主要生產(chǎn)各式貼片/直插，肖特基二極管、TVS二極管、整流二極管、快恢復(fù)、低壓降、場效應(yīng)管(MOSFET)、可控硅、三端穩(wěn)壓管、IC集成電路、橋堆。引進(jìn)大量先進(jìn)的晶體管選型封裝測試全自動(dòng)化設(shè)備、配備高標(biāo)準(zhǔn)可靠性測試實(shí)驗(yàn)室等，對(duì)每一批產(chǎn)品質(zhì)量嚴(yán)控把關(guān)；壹芯微首席工程師曾多年服務(wù)于臺(tái)灣強(qiáng)茂，有著豐富的研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，為各行業(yè)應(yīng)用提供完美的解決方案與技術(shù)支持。如需報(bào)價(jià)或了解更多，歡迎咨詢官網(wǎng)在線客服或聯(lián)系以下

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