為什么三極管(BJT)的飽和區及場效應管(MOSFET)的飽和區不同

對BJT來說，飽和指的是載流子濃度，處于飽和區時，BJT的EB結和CB結均為正向狀態，由于E/C的注入效率不同而形成從E到C的凈流動，且Vce很小，即Ice-Vce曲線上比較陡峭的區域，作為開關應用的BJT通常工作在這個模式。而Ice-Vce曲線上比較平坦的區域為放大區或線性區，這是因為這個區域的Ice與Ibe比值近似于常數，也就是說Ice與Ibe近似為線性關系，這個模式常用于線性放大器。

對MOSFET而言，飽和指的是載流子的速度，即電壓Vds增加時，載流子速度不再增加，若Vgs確定（反型層載流子濃度確定），電流Ids不再隨Vds增加而增加，即MOSFET的Ids-Vds曲線中比較平坦的區域。而曲線的陡峭區，Ids近似隨Vds線性變化，所以這個區域被稱為MOSFET的線性區，作為開關應用的MOSFET工作在此區域。

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