萬用表測量判斷MOS管好壞的方法 - 壹芯微

mos管是金屬—氧化物-半導體場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，以下為N溝道和P溝道符號。

1、如何快速判斷其好壞及引腳功能

1）用10K檔，內(nèi)有15伏電池。可提供導通電壓。

2）因為柵極等效于電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來，否則是壞管。

3）利用表筆對柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由于柵極上電荷能保持，上述兩步可分先后，不必同步，方便。但要放電時需短路管腳或反充。

4）大都源漏間有反并二極管，應注意，及幫助判斷。

5）大都封莊為字面對自已時，左柵中漏右源。

以上前三點必需掌握，后兩點靈活運用，很快就能判管腳，分好壞。

如果對新拿到的不明MOS管，可以通過測定來判斷腳極，只有準確判定腳的排列，才能正確使用。

2、管腳測定方法：

①柵極G的測定：用萬用表R&TImes;100檔，測任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測得電阻為數(shù)百Ω，該兩腳是D、S，第三腳為G。

②漏極D、源極S及類型判定：用萬用表R&TImes;10kΩ檔測D、S問正反向電阻，正向電阻約為0.2&TImes;10kΩ，反向電阻（5一∞）X100kΩ。在測反向電阻時，紅表筆不動，黑表筆脫離引腳后，與G碰一下，然后回去再接原引腳，出現(xiàn)兩種情況：

a．若讀數(shù)由原來較大值變?yōu)?（0&TImes;10kΩ），則紅表筆所接為S，黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效，使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω，還可證明該管為N溝道。

b．若讀數(shù)仍為較大值，黑表筆不動，改用紅表筆接觸G，碰一下之后立即回到原腳，此時若讀數(shù)為0Ω，則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極，用紅表筆接觸G極有效，該MOS管為P溝道。

另外：

控制器有6路MOS管，ECPU還要加3路MOS管，一般控制器或ECPU壞都是燒MOS管，如何在不打開外殼的情況下確定MOS管是否燒壞，方法如下：

1、ECPU（或控制器）什么線也不要接，取下來。

2、萬用表拔到二極管檔，一般在通斷檔上，自動表在電阻檔上（用功能鍵切換），這個檔位有一個二極管的三角加一杠的符號，如果還不會，用百度。

3、任意MOS管內(nèi)部都有一個二極管，如果MOS管燒了，那二極管肯定燒，所以，量MOS管的二極管好壞就確定了MOS管好壞。按下面的步驟測量二極管，萬用表上穩(wěn)定顯示0.37~0.44V左右電壓，說明這路MOS管好的，如果顯示0V電壓，說明這路MOS管擊穿；如果顯示0.7V以上電壓，說明這路MOS管擊斷。

4、控制器部分的上臂三相的MOS管，黑表筆接副電池正極接入線（純控制器就接正線），紅表筆分別量三條相線。

5、控制器部分的下臂三相的MOS管，紅表筆接主電池負極接入線（純控制器就接負線），黑表毛分別量三條相線。

6、ECPU主電池并聯(lián)MOS管，黑表筆接副電池正極接入線，紅表筆接主電池正極接入線。

7、ECPU副電池并聯(lián)MOS管，黑表筆接副電池負極接入線，紅表筆接主電池負極接入線。

8、ECPU串聯(lián)MOS管，黑表筆接主電池正極接入線，紅表筆接副電池負極接入線。

壹芯微致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，至今已有20年半導體行業(yè)研發(fā)、制造經(jīng)驗。目前壹芯微產(chǎn)品已經(jīng)在便攜性設備、電動車、LED照明、家電、鋰電保護、電機控制器等領域獲得廣泛應用，幫助合作伙伴解決符合國情、符合國際質(zhì)量的國內(nèi)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。除提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進行量身定制二三極管MOS管產(chǎn)品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我們，免費試樣熱線：13534146615(微信同號) QQ：2881579535 或請咨詢官網(wǎng)在線客服。