二極管主要作為實(shí)現(xiàn)電路中各種不同電性功能的元件。因此，二極管的選型要關(guān)注以下特性： 耐壓，溫度范圍，元件封裝形式與尺寸； 漏電流、ESR、散逸因數(shù)、阻抗/頻率特性； 二極管的壽命；實(shí)際需要、性能和成本等綜合考量。

續(xù)流二極管的重要技術(shù)參數(shù)

IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生的，而是為了保護(hù)IGBT脆弱的反向耐壓耐而特別設(shè)置的，又稱為FWD（續(xù)流二極管）。不過(guò)，F(xiàn)WD也可以在IGBT外部并聯(lián)，稱為內(nèi)部FWD似乎更為合適。

體二極管的電氣參數(shù)基本上是與IGBT本身相當(dāng)?shù)?。IGBT的相關(guān)參數(shù)并不包括體二極管，在進(jìn)行設(shè)計(jì)計(jì)算時(shí)必須同時(shí)考慮體二極管；而且，在緊急情況下將IGBT的柵極與發(fā)射極短接，也可以作為快恢復(fù)二極管或者超快恢復(fù)二極管使用，成本上的差別也不大。

1． VF、IF

·VF：Internal diode forward On-Voltage，體二極管正向壓降。

·IF：Internal diode RMS forward current，體二極管正向平均電流。

VF、IF與TC直接正相關(guān)，而VF與IF直接正相關(guān)，技術(shù)手冊(cè)中一般給出的是最大值。不同Tc 條件的數(shù)值可以用@隔開(kāi)，簡(jiǎn)寫(xiě)條件下可以用腳標(biāo)表示，如“IF@ Tc =100℃，16A”與“IF100 =16A”所表達(dá)的意思是一樣的。這與最大集電極電流Ic的表示方法是一樣的。

VF、IF的關(guān)系大致可以用圖1描述。

圖1 IF與VF及其與溫度的大致關(guān)系（FGA25N120ANTD中的體二極管）

VF、IF表征的是續(xù)流時(shí)二極管可以承受的電流水平以及由此帶來(lái)的功耗水平（VF&TImes; IF）。

2.Irr、trr、Qrr

· Irr：Internal diode peak reverse recovery current，體二極管反向恢復(fù)最大電流，也寫(xiě)作IRM，本文采納Irr。

· trr：Internal diode reverse recovery TIme，二極管反向恢復(fù)時(shí)間，體二極管中的電荷泄放時(shí)間。

·Qrr：Internal diode reverse recovery charge，體二極管反向恢復(fù)電荷。

體二極管正向?qū)ā⒆鳛槔m(xù)二極管使用時(shí)，續(xù)流電流也會(huì)同時(shí)給體二極管的結(jié)電容充電；續(xù)流結(jié)束后，體二極管并不會(huì)馬上關(guān)斷，這是因?yàn)榇鎯?chǔ)電荷的釋放形成了與續(xù)流電流方向相反的回復(fù)電流。這個(gè)方向恢復(fù)電流與IGBT的集電極正向電流的方向是相同的，因此會(huì)增加IGBT的集電極功耗。

續(xù)流電流與反向恢復(fù)電流的關(guān)系可以用圖2表示。

圖2 續(xù)流電流與反向恢復(fù)電流Irr的關(guān)系

反向恢復(fù)電荷Qrr可以用下式進(jìn)行近似計(jì)算：

式中，Qrr為變量，單位是C（庫(kù)倫）；Irr為變量，單位是A；trr為變量，單位是s。

就目前來(lái)看，超快恢復(fù)二極管的trr＞50ns，快恢復(fù)二級(jí)鋼管的trr＞100ns，快速二極管的trr＞300ns，普通二極管的trr＞500ns，肖特基二極管的trr＜10ns。有些超快恢復(fù)二極管的trr為20~50ns。

3.IFM、IFSM

IFM、IFSM的含義基本相同，均為極限參數(shù)，表示體二極管抗電流單次沖擊的極限能力，也稱為浪涌電流。IFM表示體二極管能承受的最大正向電流，其大小受限于結(jié)溫；IFSM也表示體二極管能承受的最大正向電流，但一般同時(shí)規(guī)定了測(cè)試條件——測(cè)試信號(hào)為正弦波，脈寬為10ms，單脈沖。

IFM、IFSM與IGBT的ICM含義相近，只是承受電流的主題不同罷了，而且有時(shí)候數(shù)值也比較接近。

4.di（rec）M/dt、dif/dt

·di（rec）M/dt：體二極管反向恢復(fù)電流的跌落速率（圖3中的tb時(shí)間段），單位A/μs。

·dif/dt：體二極管續(xù)流電流的變化速率，單位A/μs。

dif/dt對(duì)于Irr、trr、Qrr均有明顯影響，對(duì)Irr、Qrr的影響是正向的，對(duì)trr的影響則是反向的，如圖3所示。

肖特基（Schottky）二極管又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等肖特基（Schottky）二極管又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通訊電源、變頻器等中比較常見(jiàn)。

肖特基二極管主要參數(shù)有這些

IF（IO）：正向電流（A）

VRRM：反向耐壓（V）

IFSM：峰值瞬態(tài)浪涌電流（A）

IF：測(cè)試電流（A）

VF：正向壓降（V）

IR：反向漏電流（UA）

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