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        芯片制造過程中的各個階段介紹

        返回列表來源:壹芯微 發布日期 2021-12-20 瀏覽:-

        芯片制造過程中的各個階段介紹

        芯片是指內含集成電路的硅片,體積很小,常常是計算機或其他電子設備的一部分。從產品種類上來說,芯片的種類有幾十種大門類,上千種小門類。但是芯片生產是一個點砂成金的過程,從砂子到晶圓再到芯片,價值密度直線飆升。真正的芯片制造過程十分復雜,下面就圖文結合,一步一步看看:

        第一階段

        沙子:硅是地殼內第二豐富的元素,而脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO2)的形式存在,這也是半導體制造產業的基礎。

        沙子

        沙子

        硅熔煉:12英寸/300毫米晶圓級,下同。通過多步凈化得到可用于半導體制造質量的硅,學名電子級硅(EGS),平均每一百萬個硅原子中最多只有一個雜質原子。此圖展示了是如何通過硅凈化熔煉得到大晶體的,最后得到的就是硅錠(Ingot)。

        硅熔煉

        硅熔煉

        單晶硅錠:整體基本呈圓柱形,重約100千克,硅純度99.9999%。

        第二階段

        硅錠切割:橫向切割成圓形的單個硅片,也就是我們常說的晶圓(Wafer)。

        硅錠切割

        硅錠切割

        晶圓:切割出的晶圓經過拋光后變得幾乎完美無瑕,表面甚至可以當鏡子。

        晶圓

        晶圓

        第三階段

        光刻膠(Photo Resist):圖中藍色部分就是在晶圓旋轉過程中澆上去的光刻膠液體,類似制作傳統膠片的那種。晶圓旋轉可以讓光刻膠鋪的非常薄、非常平。

        光刻膠

        光刻膠

        光刻:光刻膠層隨后透過掩模(Mask)被曝光在紫外線(UV)之下,變得可溶,期間發生的化學反應類似按下機械相機快門那一刻膠片的變化。掩模上印著預先設計好的電路圖案,紫外線透過它照在光刻膠層上,就會形成微處理器的每一層電路圖案。一般來說,在晶圓上得到的電路圖案是掩模上圖案的四分之一。

        光刻

        光刻

        由此進入50-200納米尺寸的晶體管級別。一塊晶圓上可以切割出數百個處理器,不過從這里開始把視野縮小到其中一個上,展示如何制作晶體管等部件。晶體管相當于開關,控制著電流的方向。

        晶體管

        晶體管

        現在的晶體管已經如此之小,一個針頭上就能放下大約3000萬個。

        第四階段

        溶解光刻膠:光刻過程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉,清除后留下的圖案和掩模上的一致。

        溶解光刻膠

        溶解光刻膠

        蝕刻:使用化學物質溶解掉暴露出來的晶圓部分,而剩下的光刻膠保護著不應該蝕刻的部分。

        蝕刻

        蝕刻

        清除光刻膠:蝕刻完成后,光刻膠的使命宣告完成,全部清除后就可以看到設計好的電路圖案。

        清除光刻膠

        清除光刻膠

        第五階段

        光刻膠:再次澆上光刻膠(藍色部分),然后光刻,并洗掉曝光的部分,剩下的光刻膠還是用來保護不會離子注入的那部分材料。

        再次光刻膠(藍色部分)

        再次光刻膠(藍色部分)

        離子注入(Ion Implantation):在真空系統中,用經過加速的、要摻雜的原子的離子照射(注入)固體材料,從而在被注入的區域形成特殊的注入層,并改變這些區域的硅的導電性。經過電場加速后,注入的離子流的速度可以超過30萬千米每小時。

        離子注入

        離子注入

        清除光刻膠:離子注入完成后,光刻膠也被清除,而注入區域(綠色部分)也已摻雜,注入了不同的原子。注意這時候的綠色和之前已經有所不同。

        再次清除光刻膠

        再次清除光刻膠

        第六階段

        晶體管就緒:至此,晶體管已經基本完成。在絕緣材(品紅色)上蝕刻出三個孔洞,并填充銅,以便和其它晶體管互連。

        晶體管就緒

        晶體管就緒

        電鍍:在晶圓上電鍍一層硫酸銅,將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會從正極(陽極)走向負極(陰極)。

        電鍍

        電鍍

        銅層:電鍍完成后,銅離子沉積在晶圓表面,形成一個薄薄的銅層。

        銅層

        銅層

        第七階段

        拋光:將多余的銅拋光掉,也就是磨光晶圓表面。

        拋光

        拋光

        金屬層:晶體管級別,六個晶體管的組合,大約500納米。在不同晶體管之間形成復合互連金屬層,具體布局取決于相應處理器所需要的不同功能性。

        金屬層

        金屬層

        芯片表面看起來異常平滑,但事實上可能包含20多層復雜的電路,放大之后可以看到極其復雜的電路網絡,形如未來派的多層高速公路系統。

        晶圓測試:內核級別,大約10毫米/0.5英寸。圖中是晶圓的局部,正在接受第一次功能性測試,使用參考電路圖案和每一塊芯片進行對比。

        晶圓測試

        晶圓測試

        晶圓切片(Slicing):晶圓級別,300毫米/12英寸。將晶圓切割成塊,每一塊就是一個處理器的內核(Die)

        晶圓切片

        晶圓切片

        丟棄瑕疵內核:晶圓級別。測試過程中發現的有瑕疵的內核被拋棄,留下完好的準備進入下一步。

        丟棄瑕疵內核

        丟棄瑕疵內核

        第八階段

        單個內核:內核級別。從晶圓上切割下來的單個內核,這里展示的是Core i7的核心。

        單個內核

        單個內核

        封裝:封裝級別,20毫米/1英寸。襯底(基片)、內核、散熱片堆疊在一起,就形成了我們看到的處理器的樣子。襯底(綠色)相當于一個底座,并為處理器內核提供電氣與機械界面,便于與PC系統的其它部分交互。散熱片(銀色)就是負責內核散熱的了。

        封裝

        封裝

        處理器:至此就得到完整的處理器了(這里是一顆Core i7)。

        處理器

        處理器

        第九階段

        等級測試:最后一次測試,可以鑒別出每一顆處理器的關鍵特性,比如最高頻率、功耗、發熱量等,并決定處理器的等級,比如適合做成最高端的Core i7-975 Extreme,還是低端型號Core i7-920。

        等級測試

        等級測試

        裝箱:根據等級測試結果將同樣級別的處理器放在一起裝運。

        裝箱

        裝箱

        本文總結了芯片的制造過程。現在進入了科技時代,極度依賴計算機科學與技術,其中的CPU又是各種計算機必不可少重要部件。暫且不論架構上的設計,僅僅在CPU的制作上就凝聚了全人類的智慧,基本上當今世界上最先進的工藝、生產技術、尖端機械全部都投入到了該產業中。


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