一、MOSFET的驅(qū)動(dòng)機(jī)制與米勒平臺(tái)

在電路設(shè)計(jì)中，MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過程至關(guān)重要，涉及對(duì)MOSFET輸入電容的充放電，尤其是柵源極電容Cgs。一旦Cgs電荷達(dá)到門檻電壓，MOSFET即切換至開啟狀態(tài)。接著，隨著Vds下降和Id上升，MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)。然而，由于米勒效應(yīng)，Vgs在一段時(shí)間內(nèi)停滯，即使此時(shí)Id已達(dá)最大值，Vds仍在下降，直至米勒電容充滿電。再次將Vgs上升至驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，MOSFET進(jìn)入電阻區(qū)，Vds徹底下降至最低，完成開啟過程。

米勒電容的存在限制了Vgs上升速度，影響了Vds下降速度，因此延長(zhǎng)了開啟時(shí)間。米勒效應(yīng)是由MOS管的米勒電容引發(fā)的，即在MOS管開啟前，D極電壓大于G極電壓，導(dǎo)致MOS寄生電容Cgd中儲(chǔ)存的電荷在導(dǎo)通時(shí)注入G極并與其中電荷中和。這增加了MOS的開啟損耗，因?yàn)镸OS管無法迅速進(jìn)入開關(guān)狀態(tài)。

為了解決米勒效應(yīng)問題，人們提出了圖騰驅(qū)動(dòng)概念。通過選擇Cgd較小的MOS器件，可以減小開啟損耗，但無法完全消除米勒效應(yīng)。

二、米勒平臺(tái)的形成機(jī)制

米勒效應(yīng)導(dǎo)致MOS管開啟過程中出現(xiàn)米勒平臺(tái)。具體而言，在MOS開啟前，D極電壓大于G極電壓，導(dǎo)致MOS寄生電容Cgd中儲(chǔ)存的電荷在導(dǎo)通時(shí)注入G極并與其中電荷中和。這導(dǎo)致一個(gè)時(shí)間段，G極的驅(qū)動(dòng)電荷用于中和Cgd中電荷，并繼續(xù)注入電荷使其中電荷極性反向。這段時(shí)間稱為米勒平臺(tái)形成時(shí)間段。

三、米勒效應(yīng)的影響與解決方法

米勒效應(yīng)增加了MOS的開啟損耗，延長(zhǎng)了開啟時(shí)間，降低了開關(guān)速度。解決方法包括：

1. 增大G級(jí)和S級(jí)之間的電容可部分消除米勒效應(yīng)，但會(huì)延長(zhǎng)開啟時(shí)間。通常建議增加0.1Ciess的電容。

2. 選擇Cgd較小的MOS器件可以減小開啟損耗，因?yàn)镃gd越小，開啟損耗越小。因此，在選擇MOS時(shí)應(yīng)優(yōu)先考慮Cgd較小的器件。