一文概述MOSFET場效應管六大主要參數

場效應管(MOSFET)之主要參數

一、開啟電壓UT：

通常情況下，剛剛形成導電溝道、出現漏極電流ID時對應的柵源電壓我們稱之為開啟電壓，用UGS(th)或UT表示，開啟電壓UT是增強型場效應管的參數，當柵源電壓UGS小于開啟電壓絕對值時，場效應管則無法導通。

二、夾斷電壓UP(JFET)：

當UDS為某一固定值(如10V)，使ID等于某一微小電流(如50mA)時，柵一源極間加的電壓即為夾斷電壓。當UGS＝UP時，漏極電流為零。

三、飽和漏極電流IDSS(JFET)

飽和漏極電流IDSS是在UGS =0的條件下，場效應管發生預夾斷時的漏極電流。IDSS型場效應管所能輸出的最大電流。

四、直流輸入電阻RGS：

直流輸入電阻RGS是漏一源短路，柵一源加電壓時柵一源極 之間的直流電阻。

結型場效應管：RGS》107ΩMOS管：RGS>109～1015Ω。

五、跨導Gm：

漏極電流的微變量與柵一源電壓微變量之比，即gm＝△ID/△UGS。它是衡量場效應管柵一源電壓對漏極電流控制能力的一個參數。gm相當于三極管的hFE。

六、最大漏極功耗：

最大漏極功耗PD＝UDSID，相當于三極管的PCM。

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