〔壹芯〕生產5N60場效應管5A-600V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：5N60　　　　　　　極性：N

IDA(A)：5　　　　　　　VDSS(V)：600

RDS(on)　MAX(Ω)：2.4　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：3.6　Vgs(V)：40　Io(A)：2.0

封裝：TO-252 TO-220

絕緣柵型場效應管

絕緣柵型場效應管的柵極與源極、柵極與源極之間均采用SiO₂絕緣層隔離，又因柵極為金屬，故又成為MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor）。它的柵-源間電阻比JFET大得多，可達10¹⁰Ω，還因為它比JFET溫度穩定性好，集成化時工藝簡單，而廣泛用于大規模和超大規模集成電路中。

與JFET相同，MOS管也有N溝道和P溝道兩類，但是與其不同的是，MOS管在每一類（N溝道和P溝道）中又分為增強型以及耗盡型兩種。凡柵-源電壓V_GS為零時漏極電流也為零的管子，均屬于增強型管；凡柵源電壓V_GS為零時，漏極電流不為零的管子都屬于耗盡型管。

通常情況下，由于具有常關特點，電力電子技術中使用的是增強型 MOSFET器件，而且幾乎都是N溝道 MOSFET。由于電子的遷移率遠遠高于空穴的遷移率，N溝道 MOSFET器件更具有優勢。

1） MOSFET結構（以N溝增強型為例）

圖5-18是典型平面N溝道增強型 MOSFET的剖面圖。它用一塊P型硅半導體材料作襯底，在其面上擴散了兩個N型區，再在上面覆蓋一層二氧化硅（SiO₂）絕緣層，最后在N區上方用腐蝕的方法做成兩個孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個孔內做成三個電極：G（柵極）、S（源極）及D（漏極）

通過圖5-18所示常見的N溝道增強型 MOSFET S（源極）G（柵極）D（漏極）的基本結構圖，可以看出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的，D與S之間有兩個PN結。一般情況二氧化硅下，襯底與源極在內部連接在一起，這樣，相當于N絕緣層N D與S之間有一個PN結。

為改善某些參數的特性，如提高工作電流，提硅晶體高工作電壓，降低導通電阻，提高開關特性等有不同的結構及工藝，構成所謂的VMOS、DMOS、圖5-18N溝道增強型 MOSFET剖面圖TMOS等結構。雖然有不同的結構，但其工作原理是相同的

<壹芯微科技>專注二三極管領域研發制造，針對二三極管作出了良好的性能測試，產品廣泛應用于電源、LED照明、光伏、儀表儀器、數碼產品、各種小家電等領域。如果您遇到需要幫助解決的問題，可以點擊頁面右側咨詢工程師、或銷售經理為您提供精準的產品報價與介紹。