〔壹芯〕生產(chǎn)60N06場效應(yīng)管60A-60V,參數(shù)達(dá)標(biāo),質(zhì)量穩(wěn)定

場效應(yīng)管(MOSFETS)

型號(hào)：60N06　　　　　　　極性：N

IDA(A)：60　　　　　　　VDSS(V)：60

RDS(on)　MAX(Ω)：0.014　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：30　Vgs(V)：20　Io(A)：30

封裝：TO-220 TO-252

知識(shí)科普

電力場效應(yīng)晶體管的基本特性之轉(zhuǎn)移特性

轉(zhuǎn)移特性表示電力MOSFET的柵-源極輸入電壓u_GS與漏極輸出電流i_D之間的關(guān)系。圖(1.10)中實(shí)線為增強(qiáng)型電力MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，虛線為耗盡型電力MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，現(xiàn)在已商品化的電力MOSFET中增強(qiáng)型占主流。轉(zhuǎn)移特性表示電力MOSFET的放大功率，與GTR中的電流增益β相仿，由于電力MOS-FET是電壓控制器件，因此用跨導(dǎo)這一參數(shù)來表示。

跨導(dǎo)gm定義為

g_m=_△l_D/_△U_GS

式中，g_m為跨導(dǎo)（S），表示轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率。

由于轉(zhuǎn)移特性的非線性，gm與uGS的關(guān)系曲線也是非線性，圖(1.11)為MOTOROLA公司生產(chǎn)的MTP8N10型電力MOSFET器件在小信號(hào)下跨導(dǎo)與柵源極間所加電壓u_GS的關(guān)系曲線。測(cè)試條件為U_DS=15V、T_c=25℃。為提高g_m，除應(yīng)提高單位管芯面積的溝道長寬比（W/L）外，還應(yīng)具有良好的工藝，以保證電子的有效表面遷移率和有效柵-源極限開關(guān)速度達(dá)到應(yīng)有的水平。

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