〔壹芯〕生產IRF840場效應管9A-500V,參數達標,質量穩定

場效應管(MOSFETS)

型號：IRF840　　　　　　　極性：N

IDA(A)：9　　　　　　　VDSS(V)：500

RDS(on)　MAX(Ω)：0.8　VGS(V)：10 

VGS(th)　(V)：2~4

Gfs(min)　(S)：2.5　Vgs(V)：20　Io(A)：5

封裝：TO-220

知識科普

電力場效應晶體管的基本特性之阻性負載開關特性

實際上，隨負載為電阻和電感的不同，開關過程根本不相同。下面按阻性負載的詳細分析如下。

1）阻性負載的開關特性

（1）開通過程

MOSFET在t0時驅動[圖1.12（c)]，輸入電容Cin通過驅動電路的內阻Rs充電，柵-源極電壓開始上升。與驅動電路的內阻Rs相比，柵極電阻RG的影響可以忽略。在t1時刻達到開啟電壓，MOSFET開始導通，柵-源極電壓隨著負載電阻上壓降的上升而下降。

漏極電流在t1~t2區間內是增加的。此時密勒電容較小，它因漏-源極電壓的變化而放電，由傳輸特性曲線可見漏-源極電壓的增加。

在t2時，漏-源極電壓uDS變得與柵-源極電壓uGS相等，密勒電容的影響變得顯著。在t2~t3區間，MOSFET的作用像一個密勒積分器。也就是說，在柵-源極電壓保持恒定時，柵極充電電流流過密勒電容，這樣導致了漏-源極電壓進一步下降。

在t3時刻，漏-源極電壓達到了由輸出特性曲線決定的線性區的末端。

在t3~t4區間，輸入電容Cin被充電直到等于所加的驅動電壓，而且溝道電阻進一步下降。在t4時，MOSFET的通態電阻RDS(on)（漏-源極電壓與漏極電流的比值）達到最大值。

（2）關斷過程

從t5時刻始，由于漏-源極通態電壓很小，驅動電壓開始降低，關斷過程開始。輸入電容Cin上電壓已達到用戶加到柵-源極間驅動電壓的最大值，并且通過驅動電路的內阻Rs放電。柵-源極電壓稍稍降低，在此電壓下漏極電流仍能流過電阻區。在t6時刻，通態電阻只有微微地上升。

在t6~t7區間，MOSFET再次表現出一個密勒積分器的作用。當柵-源極電壓恒定時，柵極驅動電流仍然流過該等效密勒電容，促使漏-源極電壓上升。

在t7時刻，柵-源極電壓與漏-源極電壓相等，密勒電容減小。在t7~t8區間，密勒電容充電，漏-源極電壓急劇升高，漏-源電流減小，以響應負載電阻上壓降的變化，柵-源極電壓也減小到某個低值。

在t8時刻，柵-源極電壓達到閾值電壓，MOSFET完全關斷。在最后的t8~t9區間，輸入電容放電直至與驅動電壓相等。

因為在MOSFET工作中不涉及存儲時間，所以開關時間只由輸入電容的充、放電過程決定。如果驅動電路的內阻Ri可以自由選擇，則MOSFET的開關時間可在較寬范圍內調節。

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