| 產品種類 | MOSFET |
| 技術 | Si |
| 安裝風格 | SMD/SMT |
| 封裝/箱體 | SO-8 |
| 通道數量 | 2Channel |
| 晶體管極性 | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓 | 60V |
| Id-連續漏極電流 | 4A |
| RdsOn-漏源導通電阻 | 55mOhms |
| Vgsth-柵源極閾值電壓 | 1V |
| Vgs-柵極-源極電壓 | 10V |
| Qg-柵極電荷 | 15nC |
| 最小工作溫度 | -55C |
| 最大工作溫度 | +150C |
| 配置 | DualDualDrain |
| Pd-功率耗散 | 2W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 封裝 | CutTape |
| 封裝 | Reel |
| 高度 | 1.65mm |
| 長度 | 5mm |
| 系列 | N-channelSTripFET |
| 晶體管類型 | 2N-ChannelPowerMOSFET |
| 類型 | PowerMOSFET |
| 寬度 | 4mm |
| 正向跨導-最小值 | 25S |
| 下降時間 | 10ns |
| 產品類型 | MOSFET |
| 上升時間 | 28ns |
| 工廠包裝數量 | 2500 |
| 子類別 | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間 | 45ns |
| 典型接通延遲時間 | 15ns |
| 單位重量 | 85mg |
一、應用場景
1.開關電源電路：STS4DNF60L在開關電源電路中得到了廣泛應用，特別是在DC-DC轉換器、AC-DC電源適配器和逆變器等領域。由于該器件具備低導通電阻和高開關速度的特點，它能夠有效提高電源轉換效率，降低功耗。
2.電機驅動應用：在電機驅動應用中，STS4DNF60L能夠實現高效的電流控制，減少熱量產生，并且在高電流情況下仍能保持穩定的性能，這使得它在電動工具、風扇和電動汽車驅動系統中得到了廣泛應用。
3.太陽能光伏系統：STS4DNF60L在太陽能光伏系統中也有重要作用，它能夠在光伏逆變器中提供高效的功率管理，從而提高整體系統的能效。
二、參數特點
- 漏源電壓（Vds）：STS4DNF60L的漏源電壓為60V，意味著它可以承受較高的電壓而不損壞，非常適合需要處理高電壓的應用。
- 導通電阻（Rds(on)）：STS4DNF60L的導通電阻僅為44mΩ，這一低阻值在高電流應用中可以顯著減少功率損耗，提升系統的效率。
- 最大漏極電流（Id）：STS4DNF60L的最大漏極電流為4A，適合中等功率的電流控制應用，如電機驅動和電源管理。
- 柵極電荷（Qg）：STS4DNF60L的柵極電荷僅為16nC，這使得它在高頻開關應用中表現出色，能夠快速切換，從而減少切換損耗。
- 工作結溫（Tj）：STS4DNF60L的工作結溫最高可達175°C，確保在高溫環境下仍能穩定工作，適用于需要耐高溫的工業和汽車應用。
通過以上詳細的分析，可以看出STS4DNF60L憑借其卓越的電氣參數和廣泛的應用場景，成為了許多電子設計工程師的首選。
工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
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