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        場效應MOS管NTD4906NT4G參數

        PD最大耗散功率:2.6WID最大漏源電流:14AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:30VRDS(ON)Ω內阻:0.0055ΩVRDS(ON)ld通態電流:30AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~2.2VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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          NTD4906NT4G是一款廣泛應用于各種電子設備和電路中的N溝道功率MOSFET。這種半導體器件具有高效的開關性能和低導通電阻,非常適合用于需要高效能和可靠性的應用場景。以下將詳細介紹NTD4906NT4G的應用場景和參數特點。

          一、應用場景:

          1. 電源管理:NTD4906NT4G在電源管理系統中被廣泛應用,例如DC-DC轉換器、AC-DC適配器和電池管理系統。由于其低導通電阻和高效率,它能夠有效地降低電源損耗,提高系統的整體效率。

          2. 汽車電子:這種MOSFET在汽車電子領域具有重要的應用,如在電子控制單元(ECU)、電動座椅控制、電動窗控制和照明系統中。NTD4906NT4G能夠提供穩定的性能和耐高溫特性,使其在汽車苛刻的工作環境中表現出色。

          3. 工業控制:在工業控制系統中,NTD4906NT4G用于電機驅動、PLC(可編程邏輯控制器)以及其他需要快速開關和高可靠性的應用中。其快速開關速度和高功率處理能力使其成為工業自動化領域的理想選擇。

          4. 消費電子:NTD4906NT4G也被廣泛用于各種消費電子產品中,如智能手機、平板電腦和筆記本電腦的電源管理模塊中。其小型化封裝和高效能特點滿足了消費電子產品對輕薄、節能和高效的需求。

          5. 太陽能系統:在太陽能逆變器和太陽能電池管理系統中,NTD4906NT4G的高效率和高可靠性幫助優化能源轉換效率,確保太陽能系統的穩定運行和長壽命。

          二、參數特點:

          - 低導通電阻:NTD4906NT4G的導通電阻極低(典型值為8.4 mΩ),這使得它在工作過程中能夠顯著降低功耗,提升能效。這一特點在高頻開關電路和大電流應用中尤為重要。

          - 高擊穿電壓:這種MOSFET的擊穿電壓高達30V,使其能夠在更高電壓環境下穩定工作。高擊穿電壓確保了在各種苛刻應用場景中的可靠性和安全性。

          - 高脈沖電流能力:NTD4906NT4G具有強大的脈沖電流處理能力,能夠承受高達60A的脈沖電流。這一特點使其在需要瞬時大電流的應用中表現優越,如電機啟動和電源沖擊。

          - 快速開關速度:NTD4906NT4G的開關速度非???,這使得它能夠在高頻應用中高效運行??焖匍_關速度不僅提高了系統的響應時間,還減少了開關損耗,提升了整體效率。

          - 熱性能優越:這種MOSFET的熱阻低,具備優越的散熱性能。NTD4906NT4G在高功率應用中能夠有效地散熱,保持低溫運行,從而延長器件的使用壽命和穩定性。

          綜上所述,NTD4906NT4G以其優越的電氣性能和廣泛的應用場景,成為現代電子設備中不可或缺的重要組件。無論是在電源管理、汽車電子還是工業控制等領域,NTD4906NT4G都能提供高效、可靠的解決方案。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
          深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
          電話:13534146615 企業QQ:2881579535

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