PD最大耗散功率:1.2WID最大漏源電流:-36AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:-30VRDS(ON)Ω內阻:0.038ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:-36AVRDS(ON)柵極電壓:-10VVGS(th)V開啟電壓:-1~-3VVGS(th)ld(μA)開啟電流:-250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理:UTT36P03L-TN3-R在電源管理系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用,特別是在開關電源(SMPS)和DC-DC轉換器中。它的低導通電阻和高效率使其能夠有效地管理電源的輸入和輸出,提高整體系統(tǒng)的能源效率。
2. 電機控制:在電機驅動器應用中,UTT36P03L-TN3-R常用于控制電機的開關操作。其快速開關特性和高電流處理能力,使其能夠在高頻操作下保持穩(wěn)定性能,從而提高電機的運行效率和精確度。
3. 電池保護:UTT36P03L-TN3-R也廣泛應用于電池管理系統(tǒng)中,特別是鋰電池的保護電路。它能夠在電池電壓過高或過低時迅速切斷電源,防止電池過充或過放,延長電池壽命并提高使用安全性。
4. 逆變器:在光伏逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中,UTT36P03L-TN3-R能夠高效地轉換直流電為交流電。其高效率和低功耗特性使其在這些應用中成為首選器件。
5. 負載開關:UTT36P03L-TN3-R還用于各種負載開關應用,如智能家居設備和工業(yè)自動化系統(tǒng)。其高可靠性和穩(wěn)定性確保了在不同負載條件下的穩(wěn)定開關操作。
二、參數(shù)特點:
- 低導通電阻(RDS(on)):UTT36P03L-TN3-R具有極低的導通電阻,這意味著在導通狀態(tài)下的電流損耗很低,有助于提高整體電路的效率。
- 高脈沖電流能力:該型號能夠處理高達數(shù)百安培的脈沖電流,適用于需要高峰值電流的應用,如電機啟動和電源浪涌保護。
- 快速開關速度:UTT36P03L-TN3-R的開關速度非常快,這在需要快速響應的電路中顯得尤為重要,如高頻開關電源和高頻逆變器。
- 耐高壓:該MOSFET晶體管能夠承受較高的漏源電壓(VDS),這使其適用于高壓應用場景,如電源適配器和工業(yè)電源系統(tǒng)。
- 封裝形式:UTT36P03L-TN3-R采用先進的封裝技術,能夠在高功率應用中有效散熱,確保器件的長期穩(wěn)定性和可靠性。
綜上所述,UTT36P03L-TN3-R憑借其優(yōu)異的電氣特性和廣泛的應用場景,成為電源管理、電機控制、電池保護等領域的理想選擇。其低導通電阻、高脈沖電流能力、快速開關速度和耐高壓特性,使其在各種應用中表現(xiàn)出色。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業(yè)園區(qū)
深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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