PD最大耗散功率:2WID最大漏源電流:7.2AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:30VRDS(ON)Ω內阻:24MΩVRDS(ON)ld通態電流:7.2AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~3VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μAGfs(min)S跨導:10SGfs(min)VDS漏源電壓:5VGfs(min)lo通態電流:4A
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一、應用場景:
1. 開關電源:AO4615被用作主開關元件。其低導通電阻和快速開關特性使其在高效能轉換中表現優異,有助于減少能量損失和提升整體系統效率。
2. 電機驅動:在小功率電機驅動器中,AO4615常用于直流電機和步進電機。由于其快速開關能力和低導通電阻,它能夠有效降低發熱,提高驅動效率和系統可靠性。
3. 電池管理系統:在電池管理系統中,AO4615用于電流分配和保護電路。其優越的開關性能和耐用性有助于在多電池串聯應用中實現安全可靠的電池保護。
4. 負載開關:在便攜式電子設備中,AO4615被廣泛用于作為負載開關。其低導通電阻和低柵極電荷使其非常適合用于電池供電設備,有助于延長電池壽命。
5. 通信設備:在各種通信設備中,AO4615作為開關器件,可以有效地控制信號的傳輸和放大。其快速響應特性使其在高頻應用中具有較大的優勢。
二、參數特點:
- 導通電阻(RDS(on)):AO4615在典型的VGS=4.5V的條件下,導通電阻為50毫歐。這種低導通電阻特性使其在導通時的能量損耗較低,適合高效率的電力轉換應用。
- 柵極電荷(Qg):AO4615的柵極電荷非常低,僅為15nC。這意味著在快速開關應用中,它所需的驅動功率較小,從而有助于減少控制電路的功耗。
- 擊穿電壓(VDS):AO4615的最大漏源擊穿電壓為30V,這使其適用于低至中等電壓的電源和信號控制應用。
- 最大漏極電流(ID):在25°C環境下,AO4615可以承受最高6.5A的漏極電流。這使其適合用于驅動較大電流負載的應用,如電機和LED驅動。
- 封裝類型:AO4615采用DFN5x6封裝,這種小型封裝有助于節省PCB空間,同時提供良好的散熱性能。這使得它特別適合于緊湊型設計,如移動設備和便攜式電子設備。
綜上所述,AO4615作為一款性能優良的雙N溝道增強型MOSFET,憑借其低導通電阻、低柵極電荷和高可靠性,廣泛應用于電源管理、電機驅動和通信設備等多個領域。其多樣化的應用場景和優越的參數特點使其在現代電子設備中扮演著不可或缺的角色。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
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中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
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