PD最大耗散功率:50WID最大漏源電流:11AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:30VRDS(ON)Ω內阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通態電流:35AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~2VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理系統:在開關電源和直流-直流轉換器中,APM3009NU常被用于同步整流、負載開關和電池保護電路。其低導通電阻和高效率使其成為這些系統中的理想選擇。
2. 消費電子設備:例如智能手機、平板電腦和筆記本電腦等設備中,APM3009NU用于控制和調節電流,以延長電池壽命并提高設備的性能。
3. 汽車電子:在汽車電子系統中,APM3009NU被用于電動座椅、車窗調節和車燈控制等領域。其高耐壓和可靠性保證了在汽車環境中的穩定運行。
4. 工業控制:在工業自動化設備中,APM3009NU用于電機驅動、電源控制和負載管理等應用。其高效能和可靠性滿足了工業環境的嚴苛要求。
5. 通信設備:在路由器、交換機和基站等通信設備中,APM3009NU被用于電源控制和信號放大,確保設備的高效運行和穩定性。
二、參數特點:
- 低導通電阻:APM3009NU的導通電阻僅為7mΩ(最大值),這意味著在電流通過時,產生的功率損耗極低,提高了整體系統的效率。
- 高耐壓:該器件的漏源極耐壓為30V,能夠承受較高的電壓,適用于高壓應用場景。
- 大電流能力:APM3009NU具有高達35A的連續漏極電流能力,適合大電流需求的應用。
- 低柵極電荷:其柵極電荷典型值為9nC,這有助于降低驅動損耗,提高開關速度,適用于高頻率的開關應用。
- 封裝形式:APM3009NU采用標準的SO-8封裝,具有良好的熱性能和機械穩定性,便于集成到各種電路板中。
綜上所述,APM3009NU作為一種高性能的功率MOSFET,憑借其低導通電阻、高耐壓、大電流能力、低柵極電荷和優良的封裝形式,在電源管理、消費電子、汽車電子、工業控制和通信設備等領域發揮著重要作用。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
電話:13534146615
企業QQ:2881579535

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