PD最大耗散功率:54WID最大漏源電流:7.5AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:200VRDS(ON)Ω內阻:0.36ΩVRDS(ON)ld通態電流:3.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
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一、應用場景:
1. DC-DC轉換器:CEU630N因其出色的開關速度和效率,廣泛用于便攜式設備和計算機周邊設備的DC-DC轉換器中。它能有效提高轉換效率,降低系統的熱損耗。
2. 電源管理:在筆記本電腦、智能手機等消費電子產品中,CEU630N用于主電源開關和電源管理模塊,以實現更高的電源效率和長時間的電池續航能力。
3. 電機驅動:CEU630N亦被用于小型電機的驅動控制,特別是在需要精確控制和高效輸出的應用中,如無人機和其他便攜式設備。
4. 負載開關:由于其低導通電阻和高電流承受能力,CEU630N適合用作各種應用的高效負載開關,包括LED照明和通信設備。
二、參數特點:
1. 低導通電阻:CEU630N具有極低的導通電阻(Rds(on)),這意味著在導通狀態下能有效降低功率損耗,提高整體設備的能效和穩定性。
2. 高耐壓:該型號具有較高的耐壓等級,能夠承受較高的電壓,使其在高壓應用中表現出色,如工業電源系統。
3. 快速開關速度:CEU630N的開關速度快,這對于需要快速響應的應用,如高頻開關電源和某些類型的脈沖調制應用是非常重要的。
4. SMD封裝:該型號采用SMD封裝,便于在現代電子設備中實現自動化表面貼裝技術,降低制造成本并提高生產效率。
5. 熱性能優越:CEU630N設計考慮了優良的熱擴散性能,即使在高負載工作條件下,也能維持較低的工作溫度,確保設備的長期可靠性。
綜上所述,CEU630N是一款性能卓越的MOSFET,適用于多種電子設備中,提供高效、可靠的電力管理和開關解決方案。其出色的電氣和熱性能使其成為設計工程師在高性能應用中的首選。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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