PD最大耗散功率:57WID最大漏源電流:57AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:30VRDS(ON)Ω內阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通態電流:30AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~3VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
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一、應用場景:
1. 電源管理:CEU73A3G常用于電源管理電路中,尤其是直流到直流轉換器(DC-DC轉換器)。在這些應用中,它的低導通電阻和快速開關速度能夠有效提高電源轉換效率,減少功耗。
2. 電機驅動:在電機驅動應用中,CEU73A3G可以用于控制直流電機和無刷電機。由于其高效的開關性能和較高的電流處理能力,可以提供穩定的電流控制和電機保護。
3. 負載開關:CEU73A3G適用于各種負載開關應用,包括家用電器和工業設備中的電子開關。其低導通電阻有助于降低功耗,同時保持較高的開關速度,從而實現高效的負載控制。
4. 信號放大:在模擬信號處理和放大電路中,CEU73A3G可用作放大器元件。其良好的線性度和低噪聲特性使其在精密信號放大應用中表現出色,廣泛用于音頻設備和傳感器信號處理。
5. 保護電路:CEU73A3G也常用于各種保護電路中,如過流保護和過壓保護電路。其快速響應能力可以有效地保護電路免受過載或瞬態電壓的損害。
二、參數特點:
- 導通電阻(RDS(on)):CEU73A3G的導通電阻非常低,這意味著在工作過程中它能減少導通損耗,提高整體效率。這一特性在高效電源管理和電機驅動中尤為重要。
- 電流處理能力:CEU73A3G具有較高的最大漏極電流(ID)能力,能夠處理大電流應用。這使其在需要高電流負載開關和電機控制的場合中表現出色。
- 開關速度:該MOSFET具有快速的開關速度,適合高頻率應用。快速開關速度有助于減少開關損耗,提升整體系統效率,尤其在DC-DC轉換器中體現明顯。
- 門極電壓:CEU73A3G的門極閾值電壓(VGS(th))較低,這使其能夠在較低的門極驅動電壓下有效工作,適應各種低壓驅動應用。
- 熱性能:CEU73A3G的熱阻較低,這意味著其在高功率應用中能夠有效散熱,保持穩定的工作溫度。這對于長時間高負荷工作的電路來說尤為重要,確保了器件的可靠性和壽命。
綜上所述,CEU73A3G作為一款高性能的MOSFET,在電源管理、電機驅動、負載開關、信號放大和保護電路等應用中具有廣泛的應用前景。其低導通電阻、高電流處理能力、快速開關速度、低門極電壓和優異的熱性能使其在各種復雜的應用環境中都能表現出色。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
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