PD最大耗散功率:50WID最大漏源電流:3.9AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:600VRDS(ON)Ω內阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通態電流:2AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:3~5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 開關電源(SMPS):FCD4N60常用于開關模式電源中,尤其是AC-DC轉換器和DC-DC轉換器。這類應用需要高效的功率轉換和低開關損耗,而FCD4N60的高擊穿電壓和低導通電阻使其非常適合這些需求。
2. 不間斷電源(UPS):在UPS系統中,FCD4N60用于逆變器電路和電池管理系統,確保電力在停電時能夠穩定供給負載。
3. 照明系統:FCD4N60在LED驅動電路和熒光燈電子鎮流器中有廣泛應用。其高效的功率管理能力使其能夠在保持高亮度輸出的同時,最大程度地減少能耗。
4. 電機控制:在工業和消費級電機控制應用中,FCD4N60可以用于驅動電機和控制電機的啟動、停止及速度調節。
5. 電力變換器:如太陽能逆變器和電動汽車充電器中,FCD4N60通過高效的電力轉換和管理,提升了整體系統的性能和效率。
二、參數特點:
- 擊穿電壓(Vds):FCD4N60的擊穿電壓為600V,適合處理高壓應用中的電力需求,確保器件在高電壓環境下的穩定工作。
- 導通電阻(Rds(on)):FCD4N60的典型導通電阻為4歐姆,這在一定程度上降低了導通損耗,提高了整體系統的效率。
- 電流容量(Id):FCD4N60的最大連續漏極電流為4安培,能夠滿足中等功率級別應用的需求。
- 柵極電荷(Qg):FCD4N60具有較低的柵極電荷(約40nC),這使其在高頻開關應用中能夠快速開關,減少開關損耗。
- 熱阻(RθJC):FCD4N60的結-殼熱阻約為1.25°C/W,有助于在高功率應用中有效散熱,保證器件的可靠性和壽命。
通過以上詳細的應用場景和參數特點分析,我們可以看出FCD4N60是一款性能優越、應用廣泛的高壓功率MOSFET,適用于多種需要高效電力管理的電子系統。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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