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        三極管FDN335N參數(shù)

        PD最大耗散功率:0.5WID最大漏源電流:1.7AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:20VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:0.7ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:1.7AVRDS(ON)柵極電壓:4.5VVGS(th)V開啟電壓:0.4~1.5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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          FDN335N是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)型號(hào),常見于低壓低功耗應(yīng)用。它在現(xiàn)代電子設(shè)備中具有廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景和參數(shù)特點(diǎn),下面將分別詳細(xì)介紹。

          一、應(yīng)用場(chǎng)景:

          1. 電源管理:FDN335N常被用于電源管理系統(tǒng)中,特別是在低電壓和低功耗需求下。其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度使其成為電源開關(guān)和電池管理器的理想選擇。

          2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):在小型電機(jī)控制電路中,FDN335N可以作為電機(jī)的開關(guān)器件,實(shí)現(xiàn)高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng),同時(shí)具有低功耗和快速響應(yīng)的特點(diǎn)。

          3. LED照明:LED照明系統(tǒng)需要高效的電源管理和穩(wěn)定的電流控制,FDN335N可用作LED驅(qū)動(dòng)器中的開關(guān)元件,幫助實(shí)現(xiàn)LED照明系統(tǒng)的節(jié)能和穩(wěn)定性。

          4. 電池保護(hù):在便攜式電子設(shè)備中,如智能手機(jī)、平板電腦等,FDN335N常用于電池保護(hù)電路中,通過(guò)控制充放電過(guò)程,保護(hù)電池免受過(guò)電流和過(guò)放電的損害。

          5. 電子開關(guān):在各種電子開關(guān)應(yīng)用中,如USB電源管理、電池充放電控制等,FDN335N的高可靠性和低功耗特點(diǎn)使其成為理想的選擇。

          二、參數(shù)特點(diǎn):

          1. 低導(dǎo)通電阻: FDN335N具有非常低的導(dǎo)通電阻,通常在幾歐姆以下,這使得在導(dǎo)通狀態(tài)下功耗極低,同時(shí)也減小了開關(guān)時(shí)的能量損耗。

          2. 低門電壓:該型號(hào)的門極電壓較低,通常在幾伏以下,這使得其在邏輯電平控制下可以實(shí)現(xiàn)快速可靠的開關(guān)操作。

          3. 高開關(guān)速度:FDN335N具有較快的開關(guān)速度,可以迅速響應(yīng)控制信號(hào),實(shí)現(xiàn)高效的電源管理和電路控制。

          4. 溫度穩(wěn)定性:在不同溫度下,FDN335N的性能表現(xiàn)穩(wěn)定,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)工作,適用于各種環(huán)境條件下的應(yīng)用。

          5. 小型封裝:該型號(hào)通常采用SOT-23封裝,體積小巧,便于在各種電路板上進(jìn)行布局和安裝,特別適用于緊湊型電子設(shè)備的設(shè)計(jì)。

          綜上所述,FDN335N作為一款性能穩(wěn)定、功耗低、可靠性高的MOSFET型號(hào),廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明、電池保護(hù)和電子開關(guān)等領(lǐng)域,為現(xiàn)代電子設(shè)備的性能提升和能耗降低做出了重要貢獻(xiàn)。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
          深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長(zhǎng)安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號(hào)杭州電子商務(wù)大廈6層B座
          電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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