PD最大耗散功率:87WID最大漏源電流:10AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:200VRDS(ON)Ω內阻:0.36ΩVRDS(ON)ld通態電流:5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~2VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 開關電源:在開關電源中,FQB10N20L通常用于高效能量轉換。由于其低導通電阻和高開關速度,它可以顯著減少開關損耗,提高電源效率。
2. 電機驅動:FQB10N20L在電機驅動控制器中發揮重要作用,尤其是直流電機和無刷電機的驅動電路。其高耐壓和大電流承載能力,使其能夠穩定地控制電機的啟動和運行。
3. DC-DC轉換器:在DC-DC轉換器中,FQB10N20L用于調節輸出電壓。其快速的開關性能和低導通電阻,可以實現高效的電壓轉換和能量管理。
4. 音頻放大器:FQB10N20L也被應用于音頻放大器中。其高線性度和低失真特性,使其能夠提供清晰、準確的音頻輸出。
5. 保護電路:在保護電路中,FQB10N20L用于過流保護和短路保護。其高電流承載能力和快速響應特性,可以有效保護電路免受損害。
二、參數特點:
- 耐壓能力:FQB10N20L的漏源電壓(V_DS)最高可達200V。這使得它適用于高壓環境中的應用,能夠承受較高的電壓而不被擊穿。
- 導通電阻:FQB10N20L的最大導通電阻(R_DS(on))僅為0.45Ω。低導通電阻意味著較低的導通損耗,從而提高整體電路的效率。
- 電流承載能力:FQB10N20L的連續漏極電流(I_D)為10A。這使得它能夠處理較大電流,適用于高功率應用。
- 開關速度:FQB10N20L具有快速開關特性,開關時間短。這在高頻開關電路中尤為重要,可以顯著降低開關損耗,提高電路效率。
- 柵極電荷:FQB10N20L的總柵極電荷(Q_g)為25nC,較低的柵極電荷使得MOSFET的驅動需求較低,從而減小了驅動電路的復雜性和功耗。
FQB10N20L憑借其高耐壓、低導通電阻、大電流承載能力、快速開關速度和低柵極電荷等優越特性,成為開關電源、電機驅動、DC-DC轉換器、音頻放大器和保護電路等眾多應用中的理想選擇。無論是在高效能量轉換、精確電壓調節,還是在穩定的電機控制、清晰的音頻放大以及可靠的電路保護方面,FQB10N20L都能表現出色,滿足各種電子設備和電路對功率MOSFET的嚴格要求。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
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