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        場效應(yīng)MOS管FQP32N20C參數(shù)

        PD最大耗散功率:156WID最大漏源電流:28AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:200VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:0.082ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:14AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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          FQP32N20C是一種N溝道功率MOSFET,被廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。其主要應(yīng)用場景包括:

          一、應(yīng)用場景:

          1. 電源管理系統(tǒng):在開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,FQP32N20C常被用作主開關(guān)器件。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了電源轉(zhuǎn)換的高效率和穩(wěn)定性。

          2. 電機(jī)驅(qū)動:FQP32N20C在電機(jī)控制電路中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠有效控制電機(jī)的啟動、停止和速度調(diào)節(jié)。其快速開關(guān)特性使其能夠處理高頻信號,提高系統(tǒng)響應(yīng)速度。

          3. 音頻放大器:在高保真音頻放大器中,FQP32N20C用于輸出級放大,能夠提供大功率輸出并保持低失真。這對音頻設(shè)備的音質(zhì)提升有顯著貢獻(xiàn)。

          4. 太陽能逆變器:FQP32N20C在太陽能光伏系統(tǒng)中用于逆變器部分,負(fù)責(zé)將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高效能和耐用性使其在這一領(lǐng)域表現(xiàn)出色。

          5. 電動汽車:在電動汽車的電池管理系統(tǒng)中,FQP32N20C用于管理電池充放電過程,確保電池的安全性和使用壽命。

          二、參數(shù)特點(diǎn):

          - 導(dǎo)通電阻(RDS(on))低:FQP32N20C的典型導(dǎo)通電阻為0.08歐姆,這意味著它在導(dǎo)通狀態(tài)下具有較低的功率損耗,有助于提高系統(tǒng)的整體效率。

          - 高電流處理能力:其最大漏極電流(ID)為32A,這使得FQP32N20C能夠處理較大的負(fù)載電流,非常適合高功率應(yīng)用場景。

          - 耐高壓:FQP32N20C的漏源極耐壓(VDSS)為200V,能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,適用于需要高耐壓能力的電源管理和逆變器應(yīng)用。

          - 開關(guān)速度快:FQP32N20C的開關(guān)時(shí)間(ton和toff)非常短,這使其在高頻應(yīng)用中能夠快速響應(yīng),有效減少延遲,提高系統(tǒng)性能。

          - 封裝形式:FQP32N20C采用TO-220封裝,這種封裝形式具有良好的散熱性能,便于安裝和集成,適合在需要高散熱的應(yīng)用中使用。

          綜上所述,FQP32N20C憑借其優(yōu)異的參數(shù)特點(diǎn)和廣泛的應(yīng)用場景,成為電子工程師在設(shè)計(jì)高效、可靠電子設(shè)備時(shí)的首選器件。其在電源管理、電機(jī)驅(qū)動、音頻放大、太陽能逆變器以及電動汽車等領(lǐng)域的表現(xiàn),充分展示了其作為功率MOSFET的卓越性能和廣泛適用性。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
          深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務(wù)大廈6層B座
          電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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