PD最大耗散功率:25WID最大漏源電流:3AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:500VRDS(ON)Ω內阻:2.5ΩVRDS(ON)ld通態電流:1.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA
立即咨詢一、應用場景:
1. 開關電源:FQPF3N50C在開關電源中作為高頻開關元件,可以有效地控制電流的開關,保證電源的穩定性和效率。這種MOSFET能夠在高頻下保持良好的開關特性,從而提高開關電源的功率轉換效率。
2. 電機驅動:在電機驅動電路中,FQPF3N50C用于控制電機的啟動、運行和停止。由于其較低的導通電阻(Rds(on)),能夠降低電機驅動電路中的功率損耗,提高電機的工作效率。
3. 燈光控制:在LED燈光控制系統中,FQPF3N50C被用作開關器件,控制LED的亮度和開關狀態。其優良的開關性能使其能夠在快速開關操作中保持穩定,提升燈光系統的使用壽命和可靠性。
4. 電視和顯示器電源:在電視機和顯示器的電源電路中,FQPF3N50C可用作高頻開關,幫助提高電源的效率和穩定性,從而保證顯示器的良好表現。
5. 消費電子產品:在各種消費電子產品(如筆記本電腦、音響系統等)中,FQPF3N50C被用作功率開關,優化電源管理系統的性能。
二、參數特點:
- 耐壓(Vds):FQPF3N50C的最大漏極-源極耐壓為500V。這意味著它能夠在高電壓環境中穩定工作,適用于高電壓開關應用。
- 最大持續電流(Id):FQPF3N50C在額定條件下的最大持續漏極電流為3A。這使得它適合用于中等電流的應用場合。
- 導通電阻(Rds(on)):FQPF3N50C的最大導通電阻為1.8Ω(在Vgs = 10V時)。較低的導通電阻能夠減少功率損耗,提高電路效率。
- 開關時間:FQPF3N50C擁有較快的開關時間,具體為200ns的開關時間(典型值),使其能夠在高頻應用中有效工作,減少開關損耗。
- 封裝形式:FQPF3N50C通常采用TO-220封裝,這種封裝形式具有良好的散熱性能,適合高功率應用場景。
綜上所述,FQPF3N50C是一種性能優良的N溝道功率MOSFET,適用于多種電源管理和功率轉換應用。它的高耐壓、低導通電阻以及快速的開關時間使其在電機驅動、開關電源、燈光控制等領域中表現出色。在選擇MOSFET時,FQPF3N50C的這些參數特性可以幫助設計師優化電路設計,實現高效和穩定的性能。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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