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        場效應MOS管IRF540N參數

        PD最大耗散功率:140WID最大漏源電流:36AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:100VRDS(ON)Ω內阻:0.044ΩVRDS(ON)ld通態電流:18AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~2VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μAGfs(min)S跨導:14SGfs(min)VDS漏源電壓:25VGfs(min)lo通態電流:18A

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          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
          深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
          電話:13534146615 企業QQ:2881579535

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