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        場效應MOS管IRF630參數

        PD最大耗散功率:33WID最大漏源電流:9AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:200VRDS(ON)Ω內阻:0.36ΩVRDS(ON)ld通態電流:5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μAGfs(min)S跨導:4SGfs(min)VDS漏源電壓:10VGfs(min)lo通態電流:5A

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          工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
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