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        場效應(yīng)MOS管IRF840N參數(shù)

        PD最大耗散功率:125WID最大漏源電流:8AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:500VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:0.85ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:4AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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          IRF840N是一種常用的N溝道功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電路中。本文將詳細(xì)介紹其應(yīng)用場景和參數(shù)特點(diǎn)。

          一、應(yīng)用場景:

          1. 開關(guān)電源(SMPS):IRF840N在開關(guān)電源中扮演重要角色,因其高電壓承受能力和快速切換特性,使其在高效能轉(zhuǎn)換器中得到廣泛應(yīng)用。其高達(dá)500V的耐壓能力,使其特別適用于高壓環(huán)境。

          2. 電動機(jī)控制:在電動機(jī)控制電路中,IRF840N被用作主開關(guān)器件。由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,能夠有效控制電動機(jī)的啟停和速度調(diào)節(jié),提升系統(tǒng)的可靠性和效率。

          3. 逆變器電路:IRF840N常用于光伏逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中。其高耐壓和高效率的特性,使其在轉(zhuǎn)換直流電為交流電時(shí)表現(xiàn)優(yōu)異,確保了電能轉(zhuǎn)換過程中的穩(wěn)定性和高效性。

          4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):在電動汽車和儲能系統(tǒng)中,IRF840N作為電池管理系統(tǒng)的一部分,負(fù)責(zé)電池組的充放電控制。其高開關(guān)頻率和低漏電流特性,有助于提高電池管理的精度和效率。

          5. 照明控制:IRF840N還被廣泛應(yīng)用于LED驅(qū)動電路中。其高效率和耐用性,確保了LED照明系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行和長壽命,使其成為節(jié)能照明方案的理想選擇。

          二、參數(shù)特點(diǎn):

          - 耐壓能力:IRF840N的漏源極耐壓(Vds)高達(dá)500V,這使其能夠在高壓環(huán)境下安全工作,適用于需要高耐壓的應(yīng)用場景。

          - 導(dǎo)通電阻:在導(dǎo)通狀態(tài)下,IRF840N的導(dǎo)通電阻(Rds(on))較低,典型值約為0.85Ω。這意味著在導(dǎo)通時(shí),電流通過MOSFET的損耗較小,從而提高了整體電路的效率。

          - 電流處理能力:IRF840N的最大漏極電流(Id)為8A,能夠處理較大的電流,適合用于高功率電路和設(shè)備。

          - 開關(guān)速度:IRF840N具備較快的開關(guān)速度,這使其在高頻開關(guān)電路中能夠有效工作,減少切換損耗,提升系統(tǒng)效率。

          - 輸入電容:IRF840N的輸入電容(Ciss)為1400pF,雖然不算特別低,但在很多應(yīng)用中可以通過驅(qū)動電路的優(yōu)化來克服,確保其高效工作。

          綜上所述,IRF840N作為一種高性能的N溝道功率MOSFET,在電源管理、照明控制、電動機(jī)驅(qū)動等多種應(yīng)用中展現(xiàn)了其卓越的性能和可靠性。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
          深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務(wù)大廈6層B座
          電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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