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        三極管IRLML6402參數(shù)

        PD最大耗散功率:1.3WID最大漏源電流:-3.7AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:-20VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:65MΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:-3.7AVRDS(ON)柵極電壓:-4.5VVGS(th)V開啟電壓:-0.4~-1.2VVGS(th)ld(μA)開啟電流:-250μAGfs(min)S跨導(dǎo):6SGfs(min)VDS漏源電壓:-10VGfs(min)lo通態(tài)電流:-3.7A

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          IRLML6402因其出色的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性而成為廣泛使用的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。

          一、應(yīng)用場(chǎng)景

          1. 低功耗開關(guān)應(yīng)用:IRLML6402廣泛應(yīng)用于低功耗電子產(chǎn)品,特別是需要高效開關(guān)控制的電路。低導(dǎo)通電阻可最大限度地減少加電期間的功耗,使其成為智能家居設(shè)備、無線傳感器和其他低功耗系統(tǒng)的理想選擇。

          2. 高效率電源切換:強(qiáng)大的電源切換功能有助于延長(zhǎng)電池壽命并優(yōu)化電池使用效率。

          3. 負(fù)載開關(guān)控制器:IRLML6402特別適用于家用電器、便攜式設(shè)備和電動(dòng)工具中的智能功率控制和負(fù)載開關(guān)。提供可靠的開關(guān)性能并支持高頻開關(guān)操作。

          4. 電動(dòng)汽車和充電系統(tǒng):電動(dòng)汽車(EV)和電動(dòng)工具充電系統(tǒng)使用IRLML6402進(jìn)行高效能源管理和電力重新路由。低電壓驅(qū)動(dòng)和快速響應(yīng)特性可以保證充電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

          5. 反向電流保護(hù):IRLML6402可用于電力系統(tǒng)中的反向電流保護(hù),防止設(shè)備因反向電流而損壞,確保電路穩(wěn)定運(yùn)行,特別是敏感電子設(shè)備。

          二、參數(shù)特點(diǎn)

          - 低導(dǎo)通電阻:IRLML6402具有非常低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可最大限度地減少接通期間的功率損耗,是高效率應(yīng)用的理想選擇。

          - 高開關(guān)速度:該MOSFET具有快速開關(guān)速度,適合高頻開關(guān)應(yīng)用,支持高頻工作,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的響應(yīng)速度要求。

          - 高電流能力:IRLML6402可承受高電流,適用于需要高電流能力的應(yīng)用,例如電池管理和電源控制系統(tǒng),其彈性使其可用于電動(dòng)工具和充電系統(tǒng)等高壓應(yīng)用中。

          - 工作電壓范圍寬:IRLML6402的工作電壓范圍為0V至20V,可以滿足各種應(yīng)用的電壓范圍要求,提供更好的設(shè)計(jì)靈活性。

          - 小封裝:IRLML6402是一個(gè)小封裝,適用于空間有限的應(yīng)用。緊湊的外觀使其能夠集成到各種小型電子設(shè)備中,提高了設(shè)計(jì)靈活性和適應(yīng)性。

          - 低柵極驅(qū)動(dòng)電壓:作為低壓控制MOSFET,IRLML6402可以在較低柵極電壓下工作,使其適合低壓驅(qū)動(dòng)電路,進(jìn)一步提高低功耗應(yīng)用中的性能。

          總的來說,IRLML6402因其優(yōu)異的參數(shù)特性,廣泛應(yīng)用于低功耗電源管理、負(fù)載開關(guān)控制、電池管理等領(lǐng)域,特別適合需要高速開關(guān)和大載流的設(shè)備。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
          深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長(zhǎng)安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號(hào)杭州電子商務(wù)大廈6層B座
          電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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