PD最大耗散功率:48WID最大漏源電流:10AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:100VRDS(ON)Ω內阻:185MΩVRDS(ON)ld通態電流:6AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~2VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μAGfs(min)S跨導:3.1SGfs(min)VDS漏源電壓:25VGfs(min)lo通態電流:6A
立即咨詢一、應用場景:
1. 電源管理:由于其低導通電阻和高開關速度,IRLR120NTRPBF常用于電源管理電路,如DC-DC轉換器和電池管理系統。它能夠有效地控制電流和電壓,確保系統的穩定運行。
2. 電動工具:在電動工具中,這種MOSFET能夠提供高效的電流控制和保護,確保工具在各種負載條件下的可靠性和耐用性。
3. 汽車電子:IRLR120NTRPBF在汽車電子系統中也有廣泛應用,如電子控制單元(ECU)、電動座椅、車窗控制系統等。其高可靠性和低功耗特性使其成為這些應用的理想選擇。
4. 工業自動化:在工業自動化設備中,這種MOSFET用于電機驅動和控制系統,能夠提供精確的電流控制和高效的能量傳輸。
5. 消費電子:包括智能手機、平板電腦等設備中的電源管理模塊,IRLR120NTRPBF能夠確保設備在高效運轉的同時保持低功耗。
二、參數特點:
- 低導通電阻(RDS(on)):該MOSFET的導通電阻非常低,在典型條件下僅為0.004Ω,這使得它在高電流應用中具有極低的功率損耗和高效能。
- 高脈沖電流能力:IRLR120NTRPBF能夠承受高達160A的脈沖電流,這使其在需要處理瞬態大電流的應用中表現出色。
- 耐高壓能力:其漏源電壓(VDS)為30V,適用于多種電壓環境下的應用。
- 快速開關速度:該器件具有快速的開關速度,能夠在高頻應用中實現高效的能量轉換和信號處理。
- 低柵極電荷(Qg):IRLR120NTRPBF的柵極電荷較低,這使得它在驅動時所需的能量較少,能夠提高系統的整體效率。
綜上所述,IRLR120NTRPBF由于其優異的參數特點和廣泛的應用場景,成為電子工程師在設計高效能和高可靠性的電路時的重要選擇。其低導通電阻、高脈沖電流能力和快速開關速度使其在各種嚴苛的應用環境中表現出色。
工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
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