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您好!歡迎光臨壹芯微科技品牌官網(wǎng)極性:NPNPCN(mw)功率:300mwlc(mA)電流:300mABVCBO(V)集電極-基極電壓:300VBVCEO(V)集電極-發(fā)射極電壓:300VBVEBO(V)發(fā)射極-基極電壓:5VhFE(min)最小放大倍數(shù):100hFE(max)最大放大倍數(shù):200hFEVce(v)集電極與發(fā)射極電壓:10VhFElc(mA)集電極電流:10mAVCE(Sat)V集電極-發(fā)射極飽和電壓:0.2VVCE(Sat)lc(mA)電極電流:20mAlB(mA)基極電流:2mAFt(MHZ)頻率:50MHZ
立即咨詢一、應(yīng)用場(chǎng)景
1.開(kāi)關(guān)控制:MMBTA42具有高擊穿電壓和快速開(kāi)關(guān)速度,可在需要低功耗的電路中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)控制。這些通常用于需要在高電壓下工作的低功率電路,以確保電路在比常規(guī)小信號(hào)晶體管更高的工作電壓下工作并且仍然可靠。
2.信號(hào)放大:MMBTA42適用于小信號(hào)放大電路,其放大特性對(duì)于放大微弱信號(hào)非常有利。頻率信號(hào)通常用于音頻信號(hào)放大和其他需要高電壓的放大應(yīng)用。例如:無(wú)線電接收器、射頻放大器等。
3.電源控制電路:MMBTA42耐壓較高,用于高壓控制電路和穩(wěn)壓電路,適用于能保證較高電壓隔離和一定供電能力的場(chǎng)合。其穩(wěn)定性可以得到保證,起到穩(wěn)壓和保護(hù)電源控制電路的作用,防止電壓異常波動(dòng)影響其他重要器件的穩(wěn)定性。
4.過(guò)壓保護(hù):MMBTA42用于一些過(guò)壓保護(hù)電路中,防止電壓浪涌對(duì)電路造成損壞。其耐壓能力高,允許電流流過(guò)保護(hù)電路,實(shí)現(xiàn)過(guò)壓時(shí)的有效保護(hù)。
二、參數(shù)特點(diǎn)
- 高耐壓:MMBTA42的集電極-發(fā)射極耐壓為300V(最大),在小信號(hào)晶體管中屬于高耐壓,即使在高電壓環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。適用于需要更高耐壓的應(yīng)用。
- 集電極-發(fā)射極飽和電壓低:晶體管飽和電壓通常較低。MMBTA42確保在低電流下有效運(yùn)行,使其成為低功耗應(yīng)用的理想選擇。低飽和電壓提高了電路效率并降低了功耗,滿足低功耗設(shè)計(jì)要求。
- 電流放大特性:MMBTA42的直流電流放大范圍(hFE)為40至400,特別適合低頻信號(hào)放大應(yīng)用,同時(shí)具有優(yōu)異的信號(hào)放大能力,保證不同工作電流下的穩(wěn)定性以及不同信號(hào)放大要求下的可靠運(yùn)行。
- 小型封裝設(shè)計(jì):MMBTA42采用SOT-23封裝,在尺寸和功率密度之間提供了良好的平衡。小型封裝不僅節(jié)省了PCB空間,而且在設(shè)計(jì)高密度電路時(shí)保證了高性能。這種外殼尺寸有利于小型設(shè)備和空間受限的電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。這款晶體管的最大功耗為625mW,使其適合需要低功耗的應(yīng)用,延長(zhǎng)設(shè)備的壽命。
總的來(lái)說(shuō),MMBTA42晶體管因其高性能、耐高壓、封裝小等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于高壓電路、信號(hào)放大、保護(hù)電路、功率調(diào)節(jié)電路等。MMBTA42的高擊穿電壓、穩(wěn)定的電流增益和低功耗設(shè)計(jì)使其成為需要高電壓隔離、小封裝尺寸和高效率的電路設(shè)計(jì)的理想性能組件。
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