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您好!歡迎光臨壹芯微科技品牌官網(wǎng)PD最大耗散功率:40WID最大漏源電流:-13AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:-100VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:0.2ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:-16AVRDS(ON)柵極電壓:-10VVGS(th)V開啟電壓:-1~-3VVGS(th)ld(μA)開啟電流:-250μA
立即咨詢一、應(yīng)用場景
1.負(fù)載開關(guān):NCE01P13K在智能家居、消費(fèi)電子和其他設(shè)備中用作負(fù)載開關(guān),控制電源的開關(guān)行為,有助于減少待機(jī)時間,降低電能消耗,提高設(shè)備工作效率。
2.電池管理:在便攜式電池供電設(shè)備中,NCE01P13K作為電池管理系統(tǒng)的一部分,有效管理電流路徑和電池切換,確保電池的長期使用和系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。
3.電動工具和電機(jī)驅(qū)動:該MOSFET也廣泛應(yīng)用于小型電動工具和電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,起到反向電流保護(hù)、開關(guān)控制和電流調(diào)節(jié)的作用。
4.反向電流保護(hù):由于其P溝道特性,NCE01P13K非常適合電源輸入的反向電流保護(hù),以防止電源反接或異常情況造成的電源損壞。
5.信號切換和電源管理:在通信設(shè)備或微控制器系統(tǒng)中,NCE01P13K用于信號切換和電源管理,有助于實現(xiàn)不同電路之間的平滑切換。
二、參數(shù)特點
- 低導(dǎo)通電阻:NCE01P13K具有低導(dǎo)通電阻,可顯著降低導(dǎo)通時的功率損耗,提高整體電路效率,特別適合高效率設(shè)計要求。
- 更高的電流容量:該MOSFET的最大連續(xù)漏電流為13A,可以承受更高的負(fù)載電流,因此可以在更高的溫度下正常工作,適用于功率要求嚴(yán)格的應(yīng)用。
- 寬工作電壓范圍:NCE01P13K具有寬工作電壓范圍,適合-20V至-40V電源系統(tǒng),在各種電壓條件下工作可靠,靈活性高。
- 開關(guān)速度快:該MOSFET開關(guān)速度快,可以支持高速開關(guān),尤其適合需要頻繁開關(guān)以保證器件穩(wěn)定工作的電路。
- 小型封裝:NCE01P13K具有緊湊的外殼設(shè)計,適合在空間受限的電子設(shè)備中使用,從而可以使用更小的電路板并增加設(shè)計自由度。
綜上所述,NCE01P13K具有低導(dǎo)通電阻、高電流容量、快速開關(guān)特性和寬工作電壓范圍,是許多低功耗電子設(shè)備的理想選擇。NCE01P13K可為電動工具和反向電流保護(hù)應(yīng)用提供可靠的電源支持。
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