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        場效應MOS管NTD6416AN參數

        PD最大耗散功率:71WID最大漏源電流:17AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:100VRDS(ON)Ω內阻:0.081ΩVRDS(ON)ld通態電流:17AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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          NTD6416AN是一款N溝道功率MOSFET,常用于各種電力電子應用中。它具有高效的開關性能和低導通電阻,使其在多個應用場景中得以廣泛應用。

          一、應用場景:

          1. 直流-直流轉換器(DC-DC Converters):NTD6416AN在直流-直流轉換器中非常常見,特別是降壓(Buck)轉換器和升壓(Boost)轉換器。這些轉換器需要高效的開關器件來最小化能量損失,從而提高整體轉換效率。NTD6416AN的低導通電阻和快速開關速度使其成為理想的選擇。

          2. 電機控制(Motor Control):在電機控制應用中,NTD6416AN用于驅動各種類型的電機,如直流電機和無刷直流電機。其高電流處理能力和低開關損耗使得它能夠高效地控制電機的啟動、停止和速度調節,從而提高系統的可靠性和效率。

          3. 電源管理系統(Power Management Systems):NTD6416AN被廣泛應用于電源管理系統中,如不間斷電源(UPS)和電池管理系統(BMS)。這些系統要求MOSFET具有高效的電流處理能力和低損耗,以確保系統在各種負載條件下的穩定運行。NTD6416AN的性能特點滿足了這些要求。

          4. 照明系統(Lighting Systems):在LED驅動器和智能照明控制系統中,NTD6416AN作為開關器件,用于控制LED燈的亮度和開關。其高效的開關性能和低熱量產生,使得照明系統更加節能和可靠。

          5. 音頻放大器(Audio Amplifiers):NTD6416AN也應用于音頻放大器中,特別是D類放大器。它的快速開關速度和低導通電阻確保了音頻信號的高保真度和放大器的高效率。

          二、參數特點:

          - 低導通電阻(RDS(on)):NTD6416AN的導通電阻非常低,典型值在4.7mΩ左右。這意味著在通過大電流時,能量損失最小,轉換效率高,非常適合高效能的電力電子應用。

          - 高電流處理能力:NTD6416AN具有高達60A的連續漏極電流能力,這使其能夠處理較大的負載電流,適用于需要高電流的應用場景,如電機驅動和電源管理系統。

          - 耐高壓:這款MOSFET的漏源極耐壓(VDSS)為30V,能夠在較高電壓環境下安全運行。這樣的耐壓特性使得NTD6416AN在需要較高耐壓的應用中也能勝任。

          - 快速開關速度:NTD6416AN具有快速的開關速度,能夠在高頻率下穩定工作。這一特點使其在高頻開關電源和高效DC-DC轉換器中表現優異。

          - 熱性能優越:NTD6416AN的熱阻(RθJA)較低,這意味著它能夠有效散熱,減少工作溫度,提升整體系統的可靠性和壽命。

          綜上所述,NTD6416AN憑借其低導通電阻、高電流處理能力、耐高壓、快速開關速度和優越的熱性能,成為了電力電子領域中的一款優秀的N溝道功率MOSFET,廣泛應用于直流-直流轉換器、電機控制、電源管理系統、照明系統和音頻放大器等多種場景。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
          深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
          電話:13534146615 企業QQ:2881579535

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