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        場效應(yīng)MOS管TK11A60D參數(shù)

        PD最大耗散功率:45WID最大漏源電流:11AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:600VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:0.65ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:5.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:2~4VVGS(th)ld(μA)開啟電流:100μA

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          TK11A60D是一種高效、低損耗的N溝道功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。本文將詳細介紹其應(yīng)用場景和參數(shù)特點。

          一、應(yīng)用場景:

          1. 電源管理系統(tǒng):在開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)中,TK11A60D可以提供高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出特性,幫助提高系統(tǒng)整體效率。

          2. 電動汽車:電動汽車的驅(qū)動電路和充電系統(tǒng)需要高性能的功率元件,TK11A60D因其高效的導(dǎo)通特性和低開關(guān)損耗,成為電動汽車電力電子設(shè)備中的理想選擇。

          3. 工業(yè)自動化:在工業(yè)自動化設(shè)備中,TK11A60D用于電機驅(qū)動和控制系統(tǒng)。其高效的電流處理能力和耐高壓特性,能夠滿足復(fù)雜工業(yè)環(huán)境下的穩(wěn)定運行需求。

          4. 消費電子:在電視機、電腦、智能手機等消費電子產(chǎn)品中,TK11A60D常用于電源模塊和充電電路,提供高效、低熱量的電能轉(zhuǎn)換。

          5. 再生能源:在太陽能逆變器和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)中,TK11A60D因其低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性,被廣泛應(yīng)用于功率變換和控制模塊中。

          二、參數(shù)特點:

          - 耐壓能力高:TK11A60D的漏源極耐壓(Vds)高達600V,能夠適應(yīng)高電壓應(yīng)用環(huán)境,確保設(shè)備在高壓條件下的安全運行。

          - 低導(dǎo)通電阻:其導(dǎo)通電阻(Rds(on))非常低,通常在滿載情況下僅為0.4Ω左右。這一特性使得TK11A60D在導(dǎo)通時的功率損耗降到最低,提升了整體系統(tǒng)的能效。

          - 高開關(guān)速度:TK11A60D具有快速的開關(guān)速度,典型開關(guān)時間僅為幾納秒。快速開關(guān)特性使其在高頻應(yīng)用中能夠有效減少開關(guān)損耗,提高轉(zhuǎn)換效率。

          - 大電流處理能力:該器件的最大連續(xù)漏極電流(Id)可達11A,瞬態(tài)電流處理能力更強,這使得TK11A60D在大功率應(yīng)用中能夠穩(wěn)定工作,不易因過流而損壞。

          - 低柵極電荷:TK11A60D的柵極電荷(Qg)較低,通常為20nC左右。這一特性使得驅(qū)動該器件所需的能量較少,驅(qū)動電路可以更簡化,整體能耗也更低。

          綜上所述,TK11A60D因其高耐壓、低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度、大電流處理能力和低柵極電荷等優(yōu)異的參數(shù)特點,在各類高效能電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
          深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號杭州電子商務(wù)大廈6層B座
          電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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