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        場(chǎng)效應(yīng)MOS管ZXMN20B28K參數(shù)

        PD最大耗散功率:4.3WID最大漏源電流:2.3AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:200VRDS(ON)Ω內(nèi)阻:0.75ΩVRDS(ON)ld通態(tài)電流:2.75AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~2.5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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          ZXMN20B28K是一款性能優(yōu)異的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電路設(shè)計(jì)中。本文將詳細(xì)介紹其應(yīng)用場(chǎng)景和參數(shù)特點(diǎn)。

          一、應(yīng)用場(chǎng)景:

          1. 電源管理:ZXMN20B28K常用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓電源和電池管理系統(tǒng)中。它能夠高效地處理電能轉(zhuǎn)換,減少能量損耗,提高設(shè)備的電源效率。

          2. 電機(jī)控制:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,ZXMN20B28K能夠通過(guò)其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,精確控制電機(jī)的啟動(dòng)和停止,從而實(shí)現(xiàn)高效的電機(jī)控制。

          3. 負(fù)載開關(guān):作為負(fù)載開關(guān),ZXMN20B28K可以在高電流條件下迅速響應(yīng),有效保護(hù)電路免受過(guò)流和短路的影響。這在消費(fèi)電子和工業(yè)控制領(lǐng)域尤為重要。

          4. 信號(hào)放大:ZXMN20B28K還用于模擬和數(shù)字信號(hào)放大器中。其低噪聲和高線性度特性,使其在信號(hào)處理和通信設(shè)備中表現(xiàn)出色。

          5. 計(jì)算機(jī)與外圍設(shè)備:在計(jì)算機(jī)主板和外圍設(shè)備中,ZXMN20B28K作為開關(guān)元件,幫助實(shí)現(xiàn)高效的功率管理和熱量控制,延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。

          二、參數(shù)特點(diǎn):

          - 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)):ZXMN20B28K的導(dǎo)通電阻非常低,典型值為28mΩ。這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下的能量損耗極小,有助于提高整體電路的效率。

          - 高額定電流:ZXMN20B28K能夠承受高達(dá)20A的連續(xù)電流,這使其適用于需要高電流傳輸?shù)膽?yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和大功率轉(zhuǎn)換器。

          - 快速開關(guān)速度:該器件具有快速的開關(guān)速度,典型值為30ns。這一特性在需要快速響應(yīng)的應(yīng)用中,如高頻開關(guān)電源和高速信號(hào)處理電路中,具有重要意義。

          - 耐高壓:ZXMN20B28K的漏源極耐壓(Vds)為30V,使其能夠在較高電壓下穩(wěn)定工作,適應(yīng)更廣泛的電源電壓范圍。

          - 低柵極驅(qū)動(dòng)電壓:ZXMN20B28K的柵極驅(qū)動(dòng)電壓較低,典型值為2.5V。這意味著它可以直接由低電壓邏輯電路驅(qū)動(dòng),無(wú)需額外的驅(qū)動(dòng)電路,簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。

          綜上所述,ZXMN20B28K憑借其優(yōu)異的性能和多樣的應(yīng)用場(chǎng)景,成為電子設(shè)計(jì)工程師的理想選擇。無(wú)論是電源管理、電機(jī)控制還是信號(hào)處理,ZXMN20B28K都能提供可靠、高效的解決方案。

          地 址/Address

          工廠地址:安徽省六安市金寨產(chǎn)業(yè)園區(qū)
          深圳辦事處地址:深圳市福田區(qū)寶華大廈A1428
          中山辦事處地址:中山市古鎮(zhèn)長(zhǎng)安燈飾配件城C棟11卡
          杭州辦事處:杭州市西湖區(qū)文三西路118號(hào)杭州電子商務(wù)大廈6層B座
          電話:13534146615 企業(yè)QQ:2881579535

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