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[常見問題解答]為什么MOS管關(guān)斷速度比開通速度更重要？[ 2025-04-18 10:45 ]

在許多電路設(shè)計中，MOS管的關(guān)斷速度比開通速度更為關(guān)鍵。雖然兩者看似都對電路的性能和效率有影響，但實(shí)際上，關(guān)斷速度對整體電路的影響更為深遠(yuǎn)。1. 關(guān)斷時間與功耗的關(guān)系首先，MOS管的開關(guān)行為直接影響電路中的功耗。MOS管的開通和關(guān)斷過程中，柵極電容的充放電會引起能量損失。雖然開通過程的能量損失較為顯著，但關(guān)斷過程中的功耗卻可能導(dǎo)致更長時間的損耗。如果MOS管不能迅速關(guān)斷，過長的關(guān)斷時間意味著MOS管在電路中保持導(dǎo)通狀態(tài)的時間更長，這會增加整個電路的熱損耗，從而降低效率。因此，提高關(guān)斷速度是減少功耗的一個有效手段。2

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[常見問題解答]如何提升關(guān)斷速度？深入解讀驅(qū)動電路的加速關(guān)斷原理[ 2024-10-28 14:20 ]

在高頻電路設(shè)計中，提高M(jìn)OSFET、IGBT等功率器件的關(guān)斷速度對于提升電路效率至關(guān)重要。快速關(guān)斷可以降低功耗，縮短響應(yīng)時間。以下介紹關(guān)斷驅(qū)動電路的原理、常用方法和重要設(shè)計要點(diǎn)。一、加速關(guān)斷驅(qū)動電路核心原理關(guān)斷時，必須快速放電柵極電荷，使關(guān)斷時間盡可能短。MOSFET等功率器件的柵極和源極之間通常存在電容，該電容直接影響充電放電速率。加速關(guān)斷電路設(shè)計的關(guān)鍵點(diǎn)在于快速降低柵源極之間的柵源電壓，通過連接到電源來實(shí)現(xiàn)電容器的快速放電過程。典型的加速關(guān)斷電路通過將二極管和電阻器與柵極驅(qū)動電阻器并聯(lián)，以加速電容器放電。二極管

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[常見問題解答]全橋驅(qū)動螺線管技術(shù)：提高關(guān)斷速度的實(shí)用方法[ 2024-05-25 09:59 ]

在實(shí)際的電子應(yīng)用中，電流的關(guān)閉時間尤其關(guān)鍵，尤其是在需要頻繁切換電源的場合?？焖偾袚Q不僅挑戰(zhàn)設(shè)備的性能，還可能導(dǎo)致電磁干擾和設(shè)備磨損。本文深入探討了一些螺線管和閥門驅(qū)動的常用技術(shù)，以及如何提高其關(guān)閉時間的效率。一、驅(qū)動螺線管的常見問題及解決方案對于需要高頻率驅(qū)動的應(yīng)用，如點(diǎn)陣打印機(jī)頭和汽車的選擇性催化還原系統(tǒng)，驅(qū)動頻率的提高常常伴隨著關(guān)閉時間的挑戰(zhàn)。螺線管或閥門執(zhí)行器的關(guān)閉時間是關(guān)鍵因素，因?yàn)殡娏鞯淖兓皇撬矔r的，需要通過額外的電路來快速減少電流。例如，使用全橋驅(qū)動方式可以顯著提高關(guān)閉速度，因?yàn)樗试S電流在兩個方向

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[常見問題解答]MOS管快速關(guān)斷的電路介紹[ 2023-04-08 17:14 ]

MOS管快速關(guān)斷的電路介紹一.前言當(dāng)我們使用MOS管進(jìn)行一些PWM輸出控制時，由于此時開關(guān)頻率比較高，此時就要求我們能更快速的開關(guān)MOS管，從理論上說，MOSFET 的關(guān)斷速度只取決于柵極驅(qū)動電路。當(dāng)然電流更高的關(guān)斷電路可以更快對輸入電容器放電，從而縮短開關(guān)時間，進(jìn)而降低開關(guān)損耗。如果使用普通的 N 溝道器件，通過更低輸出阻抗的 MOSFET 驅(qū)動器和/或負(fù)關(guān)斷電壓，可以增大放電電流。提高開關(guān)速度也能降低開關(guān)損耗，當(dāng)然由于 MOSFET 的快速關(guān)斷也會造成 di/dt 和 dv/dt 更高，因此關(guān)斷加速電路會在波形

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[常見問題解答]IGBT單管與MOS管的區(qū)別-MOSFET是MOS嗎[ 2020-08-25 15:10 ]

IGBT單管與MOS管的區(qū)別-MOSFET是MOS嗎IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個P結(jié)，即NPNP結(jié)構(gòu)，在原理上是MOS推動的P型BJT；多的這個P層因內(nèi)有載流子，有電導(dǎo)調(diào)制作用，可以使IGBT在跟高電壓和電流下，有很低的壓降，因此IGBT可以做到很高電壓（目前最大6500V），但由于載流子存在，IGBT關(guān)斷是電流會拖尾，關(guān)斷速度會減低；MOS管就是MOSFET的簡稱了；IGBT和MOS管是全控器件，是電壓型驅(qū)動，即通過控制柵極電壓來開通或關(guān)斷器件；可控硅是半控器件，電流型驅(qū)動，即給柵極通一定的電流

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[常見問題解答]MOSFET驅(qū)動方式詳情[ 2019-09-09 12:21 ]

MOSFET驅(qū)動方式：驅(qū)動方式是對簡易方式的一種初步改進(jìn),它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保證較高的開通速度。驅(qū)動方式可進(jìn)一步改善驅(qū)動性能,不但關(guān)斷時間可以進(jìn)一步縮短,開通時間與關(guān)斷時間的差別也通過互補(bǔ)電路而消除。同時,在這種驅(qū)動方式中的兩個外接晶體管起著射極跟隨器的作用,因而功率MOSFET永遠(yuǎn)不會被驅(qū)動到飽和區(qū)。由于互補(bǔ)方式增加了驅(qū)動功率,這種方式更適合于大功率MOSFET的驅(qū)動。而這種方式可以產(chǎn)生足夠高的柵壓使器件充分導(dǎo)通,并保證較高的關(guān)斷速度。由于外接負(fù)載電阻RL須有一定大小,以限制TTL的低電平輸出

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