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[常見問題解答]降低電源損耗：開關(guān)電源緩沖電路的設(shè)計(jì)技巧[ 2025-03-15 10:51 ]

在現(xiàn)代電子設(shè)備的電源設(shè)計(jì)中，提高效率和降低損耗是關(guān)鍵目標(biāo)之一。特別是在高頻開關(guān)電源中，開關(guān)損耗和寄生參數(shù)導(dǎo)致的能量損失會(huì)影響電路的整體性能。緩沖電路在減小開關(guān)電源中的損耗、改善電壓尖峰、提高功率器件可靠性等方面起著至關(guān)重要的作用。一、開關(guān)電源損耗的主要來源開關(guān)電源的損耗主要包括導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗以及由于寄生參數(shù)導(dǎo)致的損耗。1. 導(dǎo)通損耗：當(dāng)開關(guān)管（如MOSFET或IGBT）導(dǎo)通時(shí)，管內(nèi)電阻（Rds(on)）會(huì)產(chǎn)生一定的功率損耗，損耗大小與電流平方成正比。2. 開關(guān)損耗：在開關(guān)管開通和關(guān)斷的瞬間，由于電流和電壓的變化

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[常見問題解答]MOS管選型常見誤區(qū)：參數(shù)理解錯(cuò)誤導(dǎo)致的嚴(yán)重后果[ 2025-03-14 12:06 ]

MOS管的選型對(duì)于電子電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要，然而，許多工程師在選型過程中往往因?yàn)檎`讀參數(shù)而導(dǎo)致嚴(yán)重后果，甚至直接造成產(chǎn)品失效。1. VDS耐壓誤判：忽視動(dòng)態(tài)尖峰電壓案例分析：某充電樁設(shè)計(jì)中，工程師選用了標(biāo)稱耐壓650V的MOS管，然而，在實(shí)際測(cè)試中，因電路的關(guān)斷尖峰高達(dá)720V，導(dǎo)致MOSFET大批量擊穿，直接引發(fā)系統(tǒng)故障。誤區(qū)解析：MOS管的VDS耐壓通常指的是直流耐壓值，而實(shí)際應(yīng)用中，由于電感效應(yīng)、寄生參數(shù)等因素，MOS管在開關(guān)瞬間可能會(huì)出現(xiàn)數(shù)十甚至上百伏的尖峰電壓，如果設(shè)計(jì)時(shí)沒有考慮這些動(dòng)態(tài)尖峰，就容易導(dǎo)致MOS

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[常見問題解答]TVS二極管 vs. ESD靜電二極管：瞬態(tài)過壓防護(hù)如何抉擇？[ 2025-03-04 10:23 ]

在電子電路設(shè)計(jì)中，瞬態(tài)過壓防護(hù)至關(guān)重要，特別是在高速數(shù)據(jù)通信和電源管理領(lǐng)域。為了防止靜電放電（ESD）或雷擊浪涌（Surge）等瞬態(tài)事件損壞電子元件，常見的防護(hù)方案包括TVS（Transient Voltage Suppression）二極管和ESD靜電二極管。雖然二者在原理上類似，但在應(yīng)用場(chǎng)景、功率承受能力和寄生參數(shù)上存在顯著區(qū)別。那么，在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中，究竟應(yīng)該如何選擇？一、瞬態(tài)過壓的危害與防護(hù)需求瞬態(tài)過壓事件主要分為兩類：1. 靜電放電（ESD）——常見于人體或設(shè)備對(duì)電子產(chǎn)品的放電，如

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[常見問題解答]開關(guān)電源噪聲的來源及有效對(duì)策解析[ 2025-01-16 11:10 ]

開關(guān)電源在電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，其效率高、體積小，是主要噪聲源之一。它可能會(huì)影響電路的性能，也可能影響其他電子設(shè)備的正常運(yùn)行。因此，了解開關(guān)電源噪聲產(chǎn)生的原因及針對(duì)噪聲的有效對(duì)策具有十分現(xiàn)實(shí)的意義。一、高頻開關(guān)操作開關(guān)電源運(yùn)行時(shí)，通過頻繁切換能量轉(zhuǎn)換功率管來實(shí)現(xiàn)。這種高頻切換會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁干擾。尤其當(dāng)開關(guān)頻率較高時(shí)，噪聲會(huì)成為一個(gè)主要問題。此外，較短的上升和下降波形時(shí)間也會(huì)產(chǎn)生更寬的噪聲成分頻譜。二、寄生參數(shù)的影響開關(guān)電源中的電感器、電容器和電路板走線都表現(xiàn)出某些寄生參數(shù)。在高頻工作環(huán)境中，容易發(fā)生振動(dòng)、諧波、

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[常見問題解答]CMOS邏輯電路噪聲問題的技術(shù)分析及優(yōu)化解決方案[ 2025-01-16 10:46 ]

CMOS邏輯電路具有低功耗、高速、高密度等優(yōu)點(diǎn)，在現(xiàn)代電子設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用。但在高速信號(hào)處理和復(fù)雜的電路環(huán)境中，噪聲問題已經(jīng)成為影響性能的主要因素。可靠性也得到了提高。本文對(duì)CMOS邏輯電路中的噪聲問題進(jìn)行了技術(shù)分析并提出了相應(yīng)的優(yōu)化解決方案。一、噪聲問題的主要原因1. 開關(guān)噪聲開關(guān)噪聲是最常見的噪聲問題。常見的噪聲問題通常是由輸出開關(guān)速度過快或電路內(nèi)的寄生參數(shù)引起的。在開關(guān)過程中，大電流流過電感，產(chǎn)生電壓尖峰并產(chǎn)生噪聲。這些故障可能導(dǎo)致故障和系統(tǒng)不穩(wěn)定。2. 信號(hào)反射在高速邏輯電路中，常常由于傳輸線的特性阻抗

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[常見問題解答]MOS管寄生效應(yīng)：如何優(yōu)化電路設(shè)計(jì)中的寄生參數(shù)[ 2024-11-07 12:07 ]

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體管）已成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中必不可少的核心元件。隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，MOS管的應(yīng)用場(chǎng)景逐漸擴(kuò)展到各種高頻、大功率電路。然而，在MOS管的實(shí)際工作過程中，往往忽視寄生效應(yīng)對(duì)電路性能的影響，導(dǎo)致電路設(shè)計(jì)中出現(xiàn)穩(wěn)定性和效率問題。本文介紹MOS管的寄生效應(yīng)以及如何優(yōu)化您的電路設(shè)計(jì)，減少這些寄生參數(shù)的影響。一、MOS管寄生效應(yīng)概述MOS管寄生效應(yīng)與電路布局、制造工藝、封裝方法等因素有關(guān)。你需要了解MOS管的基本電氣特性。這些寄生參數(shù)通常包括輸入電容、輸出電容、漏極電導(dǎo)率、寄生電感等。這些會(huì)導(dǎo)致信號(hào)傳

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[常見問題解答]深入解析：MOS管寄生參數(shù)如何影響電路性能[ 2024-10-11 16:24 ]

MOS管在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中起著至關(guān)重要的作用。無論是在電源管理、放大器設(shè)計(jì)還是高頻應(yīng)用中，MOS管不僅受到其基本電學(xué)特性的影響，還受到寄生參數(shù)的影響。這些寄生參數(shù)與MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、制造工藝以及電路布局密切相關(guān)，并對(duì)MOS管的性能、速度、增益和功耗產(chǎn)生重大影響。本文將詳細(xì)分析MOS管中的寄生參數(shù)類型及其對(duì)電路性能的影響，并討論如何減輕這些影響。一、寄生參數(shù)是指在實(shí)際應(yīng)用中不可避免的附加參數(shù)。它們主要包括寄生電容、寄生電感和源極/漏極電感。具體的寄生參數(shù)如下：- 寄生電容：包括柵漏電容（Cgd）、柵源電容（Cgs）和

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[常見問題解答]MOS管尖峰電壓：成因、影響與防護(hù)措施分析[ 2024-10-10 11:52 ]

MOS管因其高效的開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻而被廣泛用作開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的核心器件。然而，在高頻、大電流的工作環(huán)境下，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)峰值電壓，這不僅影響系統(tǒng)穩(wěn)定性，還會(huì)造成設(shè)備損壞。本文詳細(xì)分析了MOS管出現(xiàn)峰值電壓的原因、對(duì)電路的影響以及常見的保護(hù)措施。一、MOS管中產(chǎn)生峰值電壓的原因主要與電路中的寄生參數(shù)和開關(guān)過程中的電氣特性有關(guān)。1. 寄生電容的影響MOS管工作時(shí)，存在內(nèi)部寄生電容，例如柵源電容（Cgs）和漏源電容（Cds）。這些寄生電容在MOS管的開關(guān)過程中進(jìn)行充電和放電。特別是當(dāng)MOS管從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榻刂範(fàn)?/dd>

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[常見問題解答]SiC器件開關(guān)性能受系統(tǒng)寄生參數(shù)影響的深入探討[ 2024-09-04 14:36 ]

隨著碳化硅（SiC）技術(shù)的不斷成熟和推廣，其在高壓電力電子設(shè)備中的應(yīng)用日益增加。SiC器件因其能在高溫、高壓和高頻率條件下工作而受到青睞。然而，系統(tǒng)內(nèi)部的寄生參數(shù)，如寄生電容和寄生電感，對(duì)SiC器件的開關(guān)性能有著顯著影響。本文通過詳細(xì)分析，探討這些系統(tǒng)寄生參數(shù)是如何影響SiC器件的性能，尤其是在開關(guān)操作中的具體表現(xiàn)。一、寄生電感的影響在電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，寄生電感主要來源于電連接和布線。在SiC MOSFETs和二極管開關(guān)時(shí)，寄生電感可以引起顯著的電壓超調(diào)，從而對(duì)器件造成額外的電壓應(yīng)力。當(dāng)開關(guān)器件嘗試快速切換時(shí)，這

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[常見問題解答]開關(guān)電源中安規(guī)Y電容與X電容的作用介紹[ 2023-07-10 16:53 ]

開關(guān)電源中安規(guī)Y電容與X電容的作用介紹1 前言開關(guān)電源模塊的電磁干擾一直是一個(gè)重要解決點(diǎn)，從原理上來講電磁干擾主要來自于兩個(gè)方面，分別是傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。2 傳導(dǎo)干擾由于電路中寄生參數(shù)的存在，以及開關(guān)電源中調(diào)頻開關(guān)器件的開通與關(guān)斷，使得開關(guān)電源在市電交流輸入端產(chǎn)生較大共模干擾和差模干擾。3 輻射干擾由于導(dǎo)體中電流的變化會(huì)在其周圍空間中產(chǎn)生變化的磁場(chǎng)，而變化的磁場(chǎng)又產(chǎn)生變化的電場(chǎng)，這一變化電流的幅值和頻率決定其產(chǎn)生的電磁的大小以及其作用范圍。為了減輕和抵制這些電磁干擾對(duì)電網(wǎng)以及電子設(shè)備產(chǎn)生的危害，工程技術(shù)人員在電路

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[常見問題解答]開關(guān)電源產(chǎn)生電磁干擾與抑制措施介紹[ 2023-07-07 15:45 ]

開關(guān)電源產(chǎn)生電磁干擾與抑制措施介紹一、引言電磁兼容性（EMC）是指電子設(shè)備或系統(tǒng)在規(guī)定的電磁環(huán)境電平下不因電磁干擾而降低性能指標(biāo)，同時(shí)它們本身產(chǎn)生的電磁輻射不大于規(guī)定的極限電平，不影響其它電子設(shè)備或系統(tǒng)的正常運(yùn)行，并達(dá)到設(shè)備與設(shè)備、系統(tǒng)與系統(tǒng)之間互不干擾、共同可靠地工作的目的。開關(guān)電源作為一種電源設(shè)備，其應(yīng)用越來越廣泛。隨著電力電子器件的不斷更新?lián)Q代，開關(guān)電源的開關(guān)頻率及開關(guān)速度不斷提高，但開關(guān)的快速通斷，引起電壓和電流的快速變化。這些瞬變的電壓和電流，通過電源線路、寄生參數(shù)和雜散的電磁場(chǎng)耦合，會(huì)產(chǎn)生大量的電磁干擾

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[常見問題解答]MOSFET的EOSS參數(shù)解析[ 2023-05-23 17:13 ]

MOSFET的EOSS參數(shù)解析Mosfet的寄生參數(shù)，其中Eoss是一個(gè)非常重要的參數(shù)。1、Eoss參數(shù)的重要性對(duì)于硬開關(guān)變換電路來說，MOSFET開通之前，Coss需要釋放能量，這部分能量就構(gòu)成一部分導(dǎo)通損耗。對(duì)于軟開關(guān)變換電路來說，MOSFET開通之前，電流可以為零，也可以流過反向二極管續(xù)流。實(shí)現(xiàn)了軟開關(guān)減小了導(dǎo)通損耗。因此，Eoss在于硬開關(guān)電路里面是非常重要的。對(duì)于軟開關(guān)電路來說，Eoss并不會(huì)太影響效率。2、Eoss參數(shù)的來源2.1 Coss的來源Coss為MOSFET的寄生電容，Coss = Cgd +

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[常見問題解答]電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)「MOS場(chǎng)效應(yīng)管」驅(qū)動(dòng)電路詳解(圖) - 壹芯微[ 2021-08-11 09:48 ]

電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)「MOS場(chǎng)效應(yīng)管」驅(qū)動(dòng)電路詳解(圖) - 壹芯微在使用MOSFET設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)，大多都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但大多時(shí)候也僅僅只考慮了這些因素，這樣的電路或許可以正常工作，但不是一個(gè)最好的設(shè)計(jì)方案。更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生參數(shù)。對(duì)一個(gè)確定的MOSFET，其驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì)影響MOSFET的開關(guān)性能。當(dāng)電源IC與MOS管選定之后，選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。一個(gè)好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路有以下幾點(diǎn)要求：

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[常見問題解答]MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電阻怎么設(shè)計(jì)[ 2019-12-05 12:17 ]

MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電阻怎么設(shè)計(jì)MOS管的驅(qū)動(dòng)對(duì)其工作效果起著決定性的作用。設(shè)計(jì)師既要考慮減少開關(guān)損耗，又要求驅(qū)動(dòng)波形較好即振蕩小、過沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的，需要尋求一個(gè)平衡點(diǎn)，即驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)。驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)包含兩部分內(nèi)容：一是最優(yōu)的驅(qū)動(dòng)電流、電壓的波形；二是最優(yōu)的驅(qū)動(dòng)電壓、電流的大小。在進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)之前，必須先清楚MOS管的模型、MOS管的開關(guān)過程、MOS管的柵極電荷以及MOS管的輸入輸出電容、跨接電容、等效電容等參數(shù)對(duì)驅(qū)動(dòng)的影響。MOS管的模型MOS管的等效電路模型及寄生參數(shù)如圖

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[常見問題解答]MOS管選擇最適合的驅(qū)動(dòng)電路詳情[ 2019-10-10 11:23 ]

在開關(guān)電源等電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，設(shè)計(jì)人員關(guān)心最多的是MOS管的幾個(gè)參數(shù)，如導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。這些因素固然重要，考慮不妥會(huì)使電路無法正常工作，但實(shí)際上這只完成了第一步，MOS管本身的寄生參數(shù)才是影響電路西能的關(guān)鍵。選擇了一個(gè)適合的MOS管、電源IC，說明你是一個(gè)合格的采購工程師。如何用好這只管子，就需要對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行優(yōu)化，包括驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流、上升速率等，因?yàn)檫@些將直接影響MOS管的開關(guān)性能。用電源IC直接驅(qū)動(dòng)MOS管一個(gè)好的MOS管驅(qū)動(dòng)電路有以下幾點(diǎn)要求：（1）開關(guān)管開通瞬時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充

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[常見問題解答]MOS管驅(qū)動(dòng)電路解析與寄生參數(shù)會(huì)帶來哪些影響[ 2019-05-23 12:22 ]

壹芯微作為國內(nèi)專業(yè)生產(chǎn)二三極管的生產(chǎn)廠家,生產(chǎn)技術(shù)已經(jīng)是非常的成熟,進(jìn)口的測(cè)試儀器,可以很好的幫組到客戶朋友穩(wěn)定好品質(zhì),也有專業(yè)的工程師在把控穩(wěn)定質(zhì)量,協(xié)助客戶朋友解決一直客戶自身解決不了的問題,每天會(huì)分享一些知識(shí)或者客戶的一些問題,今天我們分享的是,MOS管驅(qū)動(dòng)電路解析與寄生參數(shù)會(huì)帶來哪些影響,請(qǐng)看下方跟雙極性晶體管相比，一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個(gè)很容易做到，但是，我們還需要速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動(dòng)，實(shí)際上就是

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