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[常見問題解答]為什么移相全橋出現(xiàn)占空比紊亂？常見驅(qū)動(dòng)問題全梳理[ 2025-04-16 11:03 ]: 在中高功率變換電路中，移相全橋拓?fù)湟蚓邆涓咝省⒌碗姶鸥蓴_等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、電動(dòng)汽車充電、逆變器等場(chǎng)合。然而，在系統(tǒng)調(diào)試或長(zhǎng)期運(yùn)行過程中，工程師常會(huì)遇到一個(gè)棘手的問題：占空比紊亂。此類現(xiàn)象不僅影響輸出波形的質(zhì)量，嚴(yán)重時(shí)還可能引發(fā)電路的熱失控或驅(qū)動(dòng)異常。究其原因，驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的問題往往是引發(fā)占空比異常的關(guān)鍵所在。一、驅(qū)動(dòng)邏輯信號(hào)失配在移相全橋電路中，四個(gè)功率開關(guān)器件（如MOSFET或IGBT）需要按照嚴(yán)格的時(shí)序進(jìn)行控制。如果控制信號(hào)存在時(shí)間重疊或缺失，如上下橋臂未能保持足夠的死區(qū)時(shí)間，會(huì)造成橋臂短路，或者導(dǎo); http://m.kannic.com/Article/wsmyxqqcxz_1.html

[常見問題解答]如何精準(zhǔn)設(shè)定IGBT模塊的死區(qū)時(shí)間以提升電路性能[ 2024-11-09 14:36 ]: 在現(xiàn)代電力電子設(shè)備中，要求絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊在電路中安全高效地運(yùn)行，特別是在變頻器、逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用中，準(zhǔn)確設(shè)置“死區(qū)時(shí)間”非常重要。足夠的死區(qū)時(shí)間不僅可以防止橋臂短路，還能大大提高整個(gè)電路的性能和穩(wěn)定性。我們介紹了一種合理調(diào)整IGBT模塊死區(qū)時(shí)間的方法，并為提高電路性能提供了一些實(shí)用的建議。一、IGBT模塊的死區(qū)時(shí)間是什么在雙極電路中，兩個(gè)IGBT通常交替工作。即一個(gè)IGBT關(guān)斷后，另一個(gè)IGBT導(dǎo)通。死區(qū)時(shí)間是指兩個(gè)IGBT開關(guān)時(shí)有意設(shè)置的時(shí)間間隔，以防止它們同時(shí)導(dǎo); http://m.kannic.com/Article/rhjzsdigbt_1.html

[常見問題解答]BUCK拓?fù)潆娐吩砗吞卣鹘榻B[ 2023-09-21 18:50 ]: BUCK拓?fù)潆娐吩砗吞卣鹘榻BBuck基礎(chǔ)拓?fù)潆娐方祲菏?Buck)變換器是一種輸出電壓≤輸入電壓的非隔離直流變換器。Buck變換器的主電路由開關(guān)管Q，二極管D，輸出濾波電感L和輸出濾波電容C構(gòu)成。接下來將從：1. 開關(guān)整流器基本原理 2. 傳說中的“伏-秒平衡” 3. 同步整流死區(qū)時(shí)間等三部分詳細(xì)介紹Buck電路的工作原理。Part 1 開關(guān)整流器基本原理導(dǎo)通時(shí)間關(guān)斷時(shí)間在[0,Ton]期間，開關(guān)導(dǎo)通;在[Ton，Ts]期間，Q截止。設(shè)開關(guān)管開關(guān)周期為Ts，則開關(guān)頻率fs=1/Ts。; http://m.kannic.com/Article/bucktpdlyl_1.html

[常見問題解答]小型二極管如何降低同步轉(zhuǎn)換器中的噪聲介紹[ 2023-08-07 16:17 ]: 小型二極管如何降低同步轉(zhuǎn)換器中的噪聲介紹小型肖特基二極管如何幫助最小化噪聲，并了解這種技術(shù)何時(shí)以及如何提供幫助。圖1.傳統(tǒng)降壓穩(wěn)壓器拓?fù)鋱D圖2.降壓控制器開關(guān)周期示意圖標(biāo)準(zhǔn)降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)淙鐖D1所示。有關(guān)其工作的詳細(xì)DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器教程，開關(guān)周期視圖如圖2所示。每次關(guān)閉一個(gè)開關(guān)時(shí)，都會(huì)引入一個(gè)死區(qū)時(shí)間，以確保第一個(gè)開關(guān)在另一個(gè)開關(guān)打開之前完全關(guān)閉。在此死區(qū)時(shí)間內(nèi)，電流必須不斷流過電感器，而該電流路徑由內(nèi)置于MOSFET Q中的所謂體二極管提供。2.在這短暫的時(shí)間里，有很多事情要做，尤其是在Q1打開，這就是額外的噪; http://m.kannic.com/Article/xxejgrhjdt_1.html

[常見問題解答]IGBT的關(guān)斷過程影響解析[ 2023-06-17 15:24 ]: IGBT的關(guān)斷過程影響解析從電壓電流對(duì)IGBT的關(guān)斷過程進(jìn)行分析01前言絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS 的高阻漂移區(qū), 大大改善了器件的導(dǎo)通特性, 同時(shí)還具有MOSFET柵極輸入阻抗高、開關(guān)速度快的特點(diǎn)。很多情況，由于對(duì)IGBT關(guān)斷機(jī)理認(rèn)識(shí)不清, 對(duì)關(guān)斷時(shí)間隨電壓和電流的變化規(guī)律認(rèn)識(shí)不清, 導(dǎo)致無法解釋在使用過程中出現(xiàn)的電流拖尾長(zhǎng)、死區(qū)時(shí)間長(zhǎng)等現(xiàn)象, 不能充分發(fā)揮IGBT 的性能; 導(dǎo)致IGBT因使; http://m.kannic.com/Article/igbtdgdgcy_1.html

[常見問題解答]MOS管燒壞原因介紹[ 2023-02-15 17:28 ]: 什么原因?qū)е驴刂菩」β薀o刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞呢？若能夠提供詳細(xì)電路圖及各元器件的型號(hào)（比如MOS管型號(hào)等）更好，由于沒電路圖，下面對(duì)這部分設(shè)計(jì)MOS管燒壞常見的可能性故障進(jìn)行分析，自己核對(duì)一下是否有相應(yīng)的問題。一般幾種情況：1.啟動(dòng)電流過大，未做任何保護(hù)2.上下橋臂直通，瞬間過電流3.死區(qū)時(shí)間過短，反電動(dòng)勢(shì)導(dǎo)致反向擊穿4.硬件不確定故障，偶發(fā)現(xiàn)象5.控制算法是否有誤6.死區(qū)保護(hù)可能沒有做好，導(dǎo)致H橋的上下臂有直通的可能，可以用多通道示波器測(cè)量一下控制PWM信號(hào)，是否有上下臂同時(shí)導(dǎo)通可能。1、電路圖中是否有續(xù)流; http://m.kannic.com/Article/mosgshyyjs_1.html

[常見問題解答]幾種不對(duì)稱半橋驅(qū)動(dòng)電路介紹分析[ 2022-11-08 17:11 ]: 如今的科技發(fā)展日新月異，半導(dǎo)體器件技術(shù)也在飛速發(fā)展著。各種全控型器件的應(yīng)運(yùn)而生加速了開關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展，不對(duì)稱半橋變換器技術(shù)逐漸浮上水面。這種技術(shù)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，并且只使用少量的元器件，可以說是集各種優(yōu)點(diǎn)于一身。本文介紹了幾種常用的不對(duì)稱半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路，分析了各電路的優(yōu)點(diǎn)和適用場(chǎng)合。　　幾種不對(duì)稱半橋驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析　　非隔離的不對(duì)稱半橋驅(qū)動(dòng)電路　　圖1為常用的小功率驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)單可靠成本低，適用于不要求隔離的小功率開關(guān)設(shè)備。其中一路直接接到下管，另外一路經(jīng)反向器反向后驅(qū)動(dòng)上管。RP1，RP2用于調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間; http://m.kannic.com/Article/jzbdcbqqdd_1.html

[常見問題解答]小功率無刷直流電機(jī)MOS管燒壞的原因分析[ 2020-12-11 13:32 ]: 小功率無刷直流電機(jī)MOS管燒壞的原因分析小功率無刷直流電機(jī)MOS管燒壞原因什么原因?qū)е驴刂菩」β薀o刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞呢？若能夠提供詳細(xì)電路圖及各元器件的型號(hào)（比如MOS管型號(hào)等）更好，由于沒電路圖，下面對(duì)這部分設(shè)計(jì)MOS管燒壞常見的可能性故障進(jìn)行分析，自己核對(duì)一下是否有相應(yīng)的問題。一般幾種情況：1.啟動(dòng)電流過大，未做任何保護(hù)2.上下橋臂直通，瞬間過電流3.死區(qū)時(shí)間過短，反電動(dòng)勢(shì)導(dǎo)致反向擊穿4.硬件不確定故障，偶發(fā)現(xiàn)象5.控制算法是否有誤6.死區(qū)保護(hù)可能沒有做好，導(dǎo)致H橋的上下臂有直通的可能，可以用多通道示波; http://m.kannic.com/Article/xglwszldjm_1.html

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