如今的科技發展日新月異，半導體器件技術也在飛速發展著。各種全控型器件的應運而生加速了開關電源技術的發展，不對稱半橋變換器技術逐漸浮上水面。這種技術結構簡單，并且只使用少量的元器件，可以說是集各種優點于一身。本文介紹了幾種常用的不對稱半橋MOSFET驅動電路，分析了各電路的優點和適用場合。

　　幾種不對稱半橋驅動電路介紹及分析

　　非隔離的不對稱半橋驅動電路

　　圖1為常用的小功率驅動電路，簡單可靠成本低，適用于不要求隔離的小功率開關設備。其中一路直接接到下管，另外一路經反向器反向后驅動上管。RP1，RP2用于調節死區時間。

　　正激式不對稱半橋隔離驅動電路

　　一種正激式不對稱半橋隔離驅動電路，如圖2所示。

　　以正向電路為例，脈沖信號通過高頻脈沖變壓器耦合去驅動功率MOSFET管，次級脈沖電壓為正時，MOSFET導通，在此期間VT3截止，由其構成的泄放電路不工作。當次級脈沖電壓為零時，則VT3導通，快速泄放MOSFET柵極電荷，加速MOSFET的截止。R7是用于抑制驅動脈沖的尖峰，R9，VD3，R11，VD5，R13可以加速驅動并防止驅動脈沖產生振蕩。和與它相連的脈沖變壓器繞組共同構成去磁電路。

　　該電路實現了隔離，且能輸出較好的驅動波形。但是也存在一些不足之處：

　　1、結構復雜，需要雙電源供電(±12V);

　　2、元器件較多，特別是需要兩個隔離變壓器，不僅占用較大空間，而且增加電路成本;專用芯片驅動電路

　　比如L6384是專門的不對稱半橋驅動芯片，其原理圖及外圍電路如圖3所示。單脈沖從1腳(IN)輸入，5腳(HVG)和7腳(LVG)輸出互補的脈沖。3腳(DT/ST)外接電阻和電容來控制兩路輸出的死區時間。當3腳的電平低于0.5V的時候，芯片停止工作。專用芯片具有外圍電路簡單、占用空間小的特點，但由于其成本較高，不適用于低成本設計的產品。

　　新型的不對稱半橋隔離驅動電路

　　根據以上幾種驅動電路，針對傳統隔離驅動電路結構復雜、占用空間大、驅動電路應用的局限性等問題，提出了一種新型的不對稱半橋隔離驅動電路，適用于單脈沖輸出的芯片，具有結構簡單可靠，占用空間小等特點，并且實現了電氣隔離，可以運用于中大功率場合。

　　驅動電路如圖4所示，工作頻率由磁芯的特性決定，一般使用高頻磁芯，工作頻率可達100kHZ。原邊VT1，VT2構成的推挽式功放電路。脈沖輸出高電平時，VT1導通，提供MOS管驅動功率;低電平時，VT2導通，電容上的儲能提供反向脈沖。變壓器副邊輸出的兩路波形經調理電路后變成互補的脈沖信號，從而驅動MOSFET。驅動脈沖為正時，MOSFET導通，在此期間VT1，VT2截止，由其構成的泄放電路不工作。當次級脈沖電壓為零時，則VT1，VT2導通，快速泄放MOSFET柵極電荷，加速MOSFET的截止。穩壓管VD1，VD2對脈沖波形正向進行削波。

　　在SABER仿真下，該變壓器副邊N2，N3以及上、下管的驅動波形分別如圖5(a)、(b)所示。

　　該電路具有以下優點：

　　1、電路結構較簡單可靠，具有電氣隔離作用。占空比固定時，通過合理的參數設計，此驅動電路具有較快的開關速度。

　　2、該電路只需一個電源，即為單電源工作。實驗和結論

　　本文設計了一臺不對稱半橋變換器樣機：工作頻率為98kHz，輸入電壓為400VDC，輸出電壓為30VDC。測得占空比為0.47時的驅動波形Ug1，Ug1如圖(6)所示。

　　經過本文的驗證，這種新型的不對稱半橋隔離驅動電路結構不僅簡單，并且圓滿的實現了與MOS管的的互補驅動，并且這種驅動具有很好穩定性，足以成為一款高性能的驅動電路。希望大家能夠充分理解這種全新的驅動電路，并將之充分利用。

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