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[常見問題解答]為什么移相全橋出現占空比紊亂？常見驅動問題全梳理[ 2025-04-16 11:03 ]

在中高功率變換電路中，移相全橋拓撲因具備高效率、低電磁干擾等優勢，被廣泛應用于工業電源、電動汽車充電、逆變器等場合。然而，在系統調試或長期運行過程中，工程師常會遇到一個棘手的問題：占空比紊亂。此類現象不僅影響輸出波形的質量，嚴重時還可能引發電路的熱失控或驅動異常。究其原因，驅動系統中的問題往往是引發占空比異常的關鍵所在。一、驅動邏輯信號失配在移相全橋電路中，四個功率開關器件（如MOSFET或IGBT）需要按照嚴格的時序進行控制。如果控制信號存在時間重疊或缺失，如上下橋臂未能保持足夠的死區時間，會造成橋臂短路，或者導

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[常見問題解答]解析整流橋失效原因：4種常見故障模式與防護策略[ 2025-04-02 12:06 ]

在電力電子系統中，整流橋是整流電路的核心部件，其性能直接影響到整個系統的可靠性和穩定性。然而，整流橋的失效（通常被稱為“炸機”）時常發生，給設備的安全性和長期使用帶來嚴重威脅。了解整流橋常見的故障模式，并采取有效的防護措施，是確保電力電子設備正常工作的關鍵。一、過電流擊穿1. 失效原因：過電流現象通常由負載短路、電網波動、突加負載或突發性沖擊電流引起。當電流超過整流橋額定電流時，整流二極管的PN結可能因過熱而發生熱失控，最終導致物理破裂。特別是突如其來的大電流沖擊，可能會使整流橋的二極管瞬間

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[常見問題解答]穩壓管電路中限流電阻的關鍵作用及其選值原則解析[ 2025-03-26 16:12 ]

在低壓直流供電系統中,穩壓管(Zener Diode)被廣泛用于穩壓電路。這是因為它們的結構簡單、可靠性和成本低廉。穩壓管本身可以保持恒定電壓,但如果沒有限流電阻,其在實際應用中將面臨極高的失效率和不穩定性。因此,限流電阻在任何穩壓管電路設計中都是必不可少的。一、限流電阻在穩壓管電路中的基本功能限流電阻一般串聯在穩壓管和電源之間，其最根本的作用是限制通過穩壓管的電流。我們知道，穩壓管在反向擊穿時電壓恒定，但其承受的電流必須控制在允許范圍內，否則極易引起熱失控，導致器件永久性損壞。除了限制電流外，限流電阻還承擔了如下

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[常見問題解答]旁路二極管的測試方法及熱失控機理詳解[ 2025-01-13 12:15 ]

隨著光伏技術的快速發展，光伏組件的壽命逐漸成為用戶關注的焦點。旁路二極管是太陽能發電系統的關鍵元件，其作用是保護光伏組件免受熱斑效應的影響，保證系統的安全。為了進一步提高光伏系統的運行效率，旁路二極管的測試方法和熱失控機理的研究尤為重要。一、如何測試旁路二極管在光伏系統測試期間，旁路二極管的熱性能是評估其可靠性的關鍵。根據IEC62790:2020標準，旁路二極管測試通常包括以下步驟：1. 環境室溫度穩定性測試測試樣品放置在環境室中，溫度逐漸升至30°C ±。記錄2℃、50℃±2

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[常見問題解答]二極管過載的原因及預防方法詳解[ 2024-12-16 11:16 ]

二極管是電子電路中重要的半導體元件。它們在直流控制、整流和信號調節等應用中發揮著核心作用。但如果二極管在長期使用過程中設計和保護不當，則存在因過載而損壞的風險。本文將詳細講解二極管過載的原因以及如何預防，以便更好地了解和避免這一問題。一、二極管過載的原因1. 超過額定電流每個二極管都有一個最大正向電流 (IF) 值。電流超過此值可能會損壞二極管的內部結構。過載的常見原因包括電源設計不當、過早的電源調節或臨時電源浪涌。如果電流繼續超過二極管的最大容差，二極管內的結溫將會升高，最終導致熱失控并損壞二極管。2. 反向電壓

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[常見問題解答]MOS管常見故障及其解決方案解析[ 2024-12-05 10:55 ]

MOS管（場效應晶體管）廣泛應用于高效電源管理、電機驅動、信號放大等各個領域。然而，在其運行過程中，可能會出現各種常見的錯誤，這不僅會影響電路的性能，還會導致器件發生故障。為了確保電路穩定性并提高系統可靠性，了解這些錯誤的原因并找到有效的解決方案非常重要。一、MOS管過熱故障過熱是MOS管最常見的故障之一，部分電能因內阻而轉化為熱量。如果散熱做得不好，過高的溫度會降低MOS管的性能，甚至損壞MOS管。不僅降低開關速度，還會引起熱失控，導致MOS管失效。解決方案：1. 選擇低導通電阻：選擇導通電阻（Rds(on)）較

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[常見問題解答]雙極性晶體管技術的創新分析與應用領域[ 2024-05-08 10:42 ]

在20世紀中期，盡管鍺晶體管因其較低的截止電壓（通常約0.2伏特）而廣泛使用于某些特定應用中，硅晶體管因其更高的溫度穩定性和更廣泛的地球儲量（位列氧之后）而逐漸取代了鍺。早期，雙極性晶體管主要由鍺制成，但鍺的主要缺陷是容易發生熱失控，這是因為鍺的禁帶寬度較窄，對工作溫度的要求相對更嚴格。隨著場效應管技術，尤其是CMOS技術的發展，由于其低功耗特性，這類器件開始在數字集成電路領域占據主導地位，從而使得雙極性晶體管的應用頻率有所下降。然而，雙極性晶體管在模擬電路和射頻電路中依然扮演著不可或缺的角色，特別是在高頻和功率控

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[常見問題解答]詳說旁路二極管熱失控測試方法[ 2020-09-24 18:20 ]

詳說旁路二極管熱失控測試方法什么是旁路二極管熱失控？作為太陽能組件中的旁路二極管，在反向偏置電流增加的情況下，溫度會升高。如果旁路二極管在反向偏置時會產生持續漏電流造成二極管結溫增加，最差的情況是溫升超過了接線盒的冷卻能力。溫升和漏電流造成旁路二極管損壞的現象叫做熱失控。旁路二極管熱失控測試方法1.測試條件a.組件溫度：90±2℃（屋頂類組件），75±2℃（開放支架類）b.正向電流：1.25倍STC下組件短路電流c.反向偏置電壓：數值等同STC下組件開路電壓2.樣品要求a.接線盒樣品需粘

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[常見問題解答]FET-場效應晶體管偏置電路類型和工作原理[ 2020-04-21 11:54 ]

FET-場效應晶體管偏置電路類型和工作原理與BJT-雙極結型晶體管不同，FET-場效應晶體管不會發生熱失控，正如我們已經討論過的那樣。然而，最大和最小傳輸特性的巨大差異使得ID電平不可預測，具有簡單的固定柵極偏置電壓。為了獲得靜態漏極電流ID和漏極 - 源極電壓VDS的合理限制，必須使用源電阻器和分壓器偏置技術。除了少數例外，MOSFET偏置電路與用于JFET的電路類似。下面討論各種FET（場效應晶體管）偏置電路：固定偏置固定偏置場效應晶體管FET-場效應晶體管器件的直流偏置需要設置柵源電壓VGS來獲得所需的漏電流

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