在20世紀(jì)中期，盡管鍺晶體管因其較低的截止電壓（通常約0.2伏特）而廣泛使用于某些特定應(yīng)用中，硅晶體管因其更高的溫度穩(wěn)定性和更廣泛的地球儲(chǔ)量（位列氧之后）而逐漸取代了鍺。早期，雙極性晶體管主要由鍺制成，但鍺的主要缺陷是容易發(fā)生熱失控，這是因?yàn)殒N的禁帶寬度較窄，對(duì)工作溫度的要求相對(duì)更嚴(yán)格。

隨著場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)，尤其是CMOS技術(shù)的發(fā)展，由于其低功耗特性，這類(lèi)器件開(kāi)始在數(shù)字集成電路領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，從而使得雙極性晶體管的應(yīng)用頻率有所下降。然而，雙極性晶體管在模擬電路和射頻電路中依然扮演著不可或缺的角色，特別是在高頻和功率控制應(yīng)用中。這種晶體管的跨導(dǎo)和輸出電阻較高，提供了優(yōu)越的速度和耐用性。

1947年12月，貝爾實(shí)驗(yàn)室的約翰·巴丁和沃爾特·豪澤·布喇頓，在威廉·肖克利的指導(dǎo)下，成功研制出了點(diǎn)接觸型雙極性晶體管。緊接著，1948年肖克利本人發(fā)明了結(jié)型雙極性晶體管。接下來(lái)的三十年間，這些器件成為分立元件電路和集成電路制造的首選。

進(jìn)入20世紀(jì)末，雙極性晶體管的制造技術(shù)得到進(jìn)一步革新，其中包括使用砷化鎵這類(lèi)化合物半導(dǎo)體來(lái)制作更高性能的晶體管。砷化鎵的電子遷移率是硅的5倍，這使得砷化鎵晶體管能夠在高工作頻率下運(yùn)行，并由于其較低的熱導(dǎo)率，這些晶體管特別適用于高溫加工環(huán)境。

從晶體管的基極-發(fā)射極偏置電壓和基極-發(fā)射極及集電極-發(fā)射極之間的電流對(duì)數(shù)關(guān)系出發(fā)，可以看出雙極性晶體管還可以被用來(lái)測(cè)量溫度，計(jì)算對(duì)數(shù)或求自然對(duì)數(shù)的冪指數(shù)等。此外，當(dāng)晶體管處于低注入狀態(tài)時(shí)，其載流子流動(dòng)主要由基極區(qū)域的非平衡少數(shù)載流子所決定，這對(duì)高頻信號(hào)處理的能力施加了限制。