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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何設(shè)計(jì)高效的脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)電路？五種方案實(shí)戰(zhàn)對(duì)比[ 2025-04-19 15:23 ]: 在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)電路被廣泛應(yīng)用于功率器件的信號(hào)隔離與驅(qū)動(dòng)控制，尤其在MOSFET與IGBT控制、通信隔離、電源模塊等場(chǎng)景中更是不可或缺。設(shè)計(jì)一套高效、可靠的脈沖驅(qū)動(dòng)電路，不僅關(guān)系到系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)速度與干擾能力，還直接影響到電路的能耗與穩(wěn)定性。一、電容耦合+脈沖變壓器方式這是一種傳統(tǒng)但非常穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)方案，輸入端由PWM控制器提供方波信號(hào)，經(jīng)隔直電容后進(jìn)入初級(jí)放大電路（通常為推挽式MOS開(kāi)關(guān)），再經(jīng)脈沖變壓器傳輸至次級(jí)側(cè)，最終驅(qū)動(dòng)目標(biāo)功率管。優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)清晰、易于布線、對(duì)高頻信號(hào)支持良好。缺點(diǎn)在于電容匹配; http://m.kannic.com/Article/rhsjgxdmcb_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管米勒效應(yīng)詳解：原理、影響及抑制方法[ 2025-04-09 10:42 ]: MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作為一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件，其特性和行為對(duì)電路的整體性能有著深遠(yuǎn)的影響。尤其是當(dāng)MOS管應(yīng)用于高頻電路時(shí)，米勒效應(yīng)對(duì)電路的表現(xiàn)尤為關(guān)鍵。一、米勒效應(yīng)的原理米勒效應(yīng)主要發(fā)生在具有增益的放大器中，尤其是在MOS管等場(chǎng)效應(yīng)管(FET)電路中。輸入和輸出端之間的電容耦合是米勒效應(yīng)的核心。輸入電容(Cgs)和反向電容(Cgd)是MOS管的兩種常見(jiàn)的寄生電容。這些電容在放大過(guò)程中對(duì)電路的表現(xiàn)產(chǎn)生了重大影響; http://m.kannic.com/Article/mosgmlxyxj_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]電子耦合技術(shù)推動(dòng)新型傳感器的革新與應(yīng)用前景[ 2024-11-27 10:40 ]: 電子耦合技術(shù)在新型傳感器中的使用正在成為提高傳感器性能和擴(kuò)展其應(yīng)用領(lǐng)域的重要驅(qū)動(dòng)力。隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，電子耦合技術(shù)不僅促進(jìn)了傳感器靈敏度、響應(yīng)速度和穩(wěn)定性的提升，而且在多個(gè)行業(yè)中展現(xiàn)出巨大的創(chuàng)新應(yīng)用潛力。本文探討了電子耦合技術(shù)如何推動(dòng)新型傳感器創(chuàng)新及其廣泛的應(yīng)用潛力。一、電子耦合技術(shù)及其作用電子耦合技術(shù)是通過(guò)電磁相互作用或其他電氣方法在不同電子系統(tǒng)之間傳遞能量或信息的過(guò)程。傳感中的電子耦合機(jī)制包括光電耦合、電感耦合和電容耦合，通過(guò)有效地將外部物理信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，實(shí)現(xiàn)對(duì)環(huán)境的識(shí)別和反應(yīng)。電子耦合的優(yōu)勢(shì)不僅在于; http://m.kannic.com/Article/dzohjstdxx_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]源跟隨器的圖文詳解[ 2023-04-27 17:35 ]: 源跟隨器的圖文詳解在共源放大器和源跟隨器中，輸入信號(hào)都是加在MOS管的柵極。我們也可以把輸入信號(hào)加在MOS管的源端。共漏級(jí)在源端接受輸入，在漏端產(chǎn)生輸出。柵極接一個(gè)直流電壓，以便建立適當(dāng)?shù)墓ぷ鳁l件。在另一種方法中，M1管用一個(gè)恒流源來(lái)偏置，信號(hào)通過(guò)電容耦合到電路。分析第一張圖的大信號(hào)特性。假設(shè) Vin 從某一個(gè)大的正值減小。當(dāng)Vin > =Vb-VTH 時(shí)，M1 處于關(guān)斷狀態(tài)，所以Vout =VDD。當(dāng) Vin 較小時(shí)，如果M1 處于飽和區(qū)，可以得到隨著Vin 的減小，ID 增大，Vout 逐漸減小。在上式滿; http://m.kannic.com/Article/ygsqdtwxj_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]整流器故障以及通訊系統(tǒng)干擾的原因[ 2020-12-26 15:40 ]: 整流器故障以及通訊系統(tǒng)干擾的原因整流器作為控制系統(tǒng)常備元器件之一，整流器(英文:rectifier)是把交流電轉(zhuǎn)換成直流電的裝置，可用于供電裝置及偵測(cè)無(wú)線電信號(hào)等。整流器可以由真空管，引燃管，固態(tài)矽半導(dǎo)體二極管，汞弧等制成，是整個(gè)控制系統(tǒng)的重要組成部分！那么控制系統(tǒng)中出現(xiàn)的整流器故障及通訊問(wèn)題究竟是由什么引起的呢？交流電網(wǎng)背景諧波電壓畸變有可能引起換流裝置常規(guī)控制角觸發(fā)脈沖間隔不等，并通過(guò)正反饋而放大系統(tǒng)的電壓畸變，使整流器工作不穩(wěn)定，對(duì)逆變器可能發(fā)生的連續(xù)換相失敗而無(wú)法工作。干擾通信系統(tǒng)。諧波通過(guò)電容耦合、電磁感; http://m.kannic.com/Article/zlqgzyjtxx_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]電路ESD防護(hù)設(shè)計(jì)解析[ 2020-07-24 13:58 ]: 電路ESD防護(hù)設(shè)計(jì)解析靜電放電（ESD）理論研究的已經(jīng)相當(dāng)成熟，為了模擬分析靜電事件，前人設(shè)計(jì)了很多靜電放電模型。常見(jiàn)的靜電模型有：人體模型（HBM），帶電器件模型，場(chǎng)感應(yīng)模型，場(chǎng)增強(qiáng)模型，機(jī)器模型和電容耦合模型等。芯片級(jí)一般用HBM做測(cè)試，而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測(cè)試。為對(duì) ESD 的測(cè)試進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范，在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面，歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊抑制標(biāo)準(zhǔn)；電子產(chǎn)品必須符合這一標(biāo)準(zhǔn)之后方能銷往歐共體的各個(gè)成員國(guó)。因此，大多數(shù)生產(chǎn)廠家都把 IEC 6100; http://m.kannic.com/Article/dlesdfhsjj_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]晶體管放大器工作原理圖解[ 2020-04-23 15:26 ]: 晶體管放大器工作原理圖解線性放大器提供信號(hào)放大而沒(méi)有任何失真，因此輸出信號(hào)是輸入信號(hào)的精確放大復(fù)制品。一個(gè)分壓器偏置晶體管，其正弦交流電源通過(guò)C1電容耦合到基極，負(fù)載通過(guò)C2電容耦合到集電極，如圖所示：晶體管放大器工作原理。耦合電容阻斷DC，從而防止內(nèi)部源電阻Rs和負(fù)載電阻RL改變基極和集電極的直流偏置電壓。理想情況下，電容器看起來(lái)與信號(hào)電壓短路。正弦源電壓使基極電壓在其直流偏置電平VBQ之上和之下正弦變化。由于晶體管的電流增益，所產(chǎn)生的基極電流變化產(chǎn)生較大的集電極電流變化。晶體管放大器工作原理圖隨著正弦集電極電流; http://m.kannic.com/Article/jtgfdqgzyl_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]電路級(jí)靜電防護(hù)設(shè)計(jì)和ESD防護(hù)方法[ 2019-12-21 14:44 ]: 電路級(jí)靜電防護(hù)設(shè)計(jì)和ESD防護(hù)方法靜電放電（ESD）理論研究的已經(jīng)相當(dāng)成熟，為了模擬分析靜電事件，前人設(shè)計(jì)了很多靜電放電模型。常見(jiàn)的靜電模型有：人體模型（HBM），帶電器件模型，場(chǎng)感應(yīng)模型，場(chǎng)增強(qiáng)模型，機(jī)器模型和電容耦合模型等。芯片級(jí)一般用HBM做測(cè)試，而電子產(chǎn)品則用IEC 6 1000-4-2的放電模型做測(cè)試。為對(duì) ESD 的測(cè)試進(jìn)行統(tǒng)一規(guī)范，在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面，歐共體的 IEC 61000-4-2 已建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊抑制標(biāo)準(zhǔn)；電子產(chǎn)品必須符合這一標(biāo)準(zhǔn)之后方能銷往歐共體的各個(gè)成員國(guó)。因此，大多數(shù)生產(chǎn)廠家都把 IE; http://m.kannic.com/Article/dljjdfhsjh_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]晶閘管過(guò)電壓保護(hù)知識(shí)[ 2019-11-20 12:30 ]: 晶閘管過(guò)電壓保護(hù)知識(shí)晶閘管過(guò)電壓保護(hù)，按過(guò)電壓保護(hù)的部位，可分為：交流側(cè)保護(hù)、器件側(cè)保護(hù)和直流側(cè)保護(hù)。　　一、交流側(cè)過(guò)電壓保護(hù)由于操作交流側(cè)電源時(shí)，使電感元件聚集的能量驟然釋放所引起的瞬時(shí)過(guò)電壓，一般有以下幾種情況：（1）由于變壓器一次、二次繞組之間存在分布電容，若在一次電壓峰值時(shí)合閘，一次高電壓將經(jīng)分布電容耦合到二次繞組上而出現(xiàn)瞬間過(guò)電壓。通常可以在變壓器二次繞組或在三相變壓器二次繞組的星形中點(diǎn)與地之間，并聯(lián)接入適當(dāng)?shù)碾娙荩ㄒ话銥?.5 F），或在一次繞組與二次繞組之間加屏蔽層，就可以顯著減小這種過(guò)電; http://m.kannic.com/Article/jzggdybhzs_1.html

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