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        [常見問題解答]優化MOS管開關性能：應對米勒效應的最新技術與方法[
                                        2024-05-27 10:48
                                        ]
        
                                
        
                                    一、MOSFET的驅動機制與米勒平臺在電路設計中，MOSFET的柵極驅動過程至關重要，涉及對MOSFET輸入電容的充放電，尤其是柵源極電容Cgs。一旦Cgs電荷達到門檻電壓，MOSFET即切換至開啟狀態。接著，隨著Vds下降和Id上升，MOSFET進入飽和區。然而，由于米勒效應，Vgs在一段時間內停滯，即使此時Id已達最大值，Vds仍在下降，直至米勒電容充滿電。再次將Vgs上升至驅動電壓時，MOSFET進入電阻區，Vds徹底下降至最低，完成開啟過程。米勒電容的存在限制了Vgs上升速度，影響了Vds下降速度，因此延長
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/yhmosgkgxn_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]場效應管G極與S極之間的電阻作用解析[
                                        2023-07-22 16:34
                                        ]
        
                                
        
                                    場效應管G極與S極之間的電阻作用解析MOS管具有三個內在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書中可以體現（規格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數1.MOS管的米勒效應MOS管驅動之理想與現實理想的MOS管驅動波形應是方波，當Cgs達到門檻電壓之后， MOS管就會進入飽和導通狀態。而實際上在MOS管的柵極驅動過程中，會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/cxyggjysjz_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [行業資訊]MOS管G極與S極之間的電阻作用解析[
                                        2023-06-08 17:29
                                        ]
        
                                
        
                                    MOS管G極與S極之間的電阻作用解析MOS管具有三個內在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書中可以體現（規格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數1.MOS管的米勒效應MOS管驅動之理想與現實理想的MOS管驅動波形應是方波，當Cgs達到門檻電壓之后， MOS管就會進入飽和導通狀態。而實際上在MOS管的柵極驅動過程中，會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/mosggjysjz_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]MOS管之米勒效應及形成原理詳細解析-壹芯微[
                                        2021-08-05 14:01
                                        ]
        
                                
        
                                    場效應MOS管之米勒效應及形成原理詳細解析-壹芯微米勒平臺形成的基本原理MOSFET的柵極驅動過程，可以簡單的理解為驅動源對MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電過程；當Cgs達到門檻電壓之后， MOSFET就會進入開通狀態；當MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進入飽和區；但由于米勒效應，Vgs會持續一段時間不再上升，此時Id已經達到最大，而Vds還在繼續下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅動電壓的值，此時MOSFET進入電阻區，此時Vds徹底降下來，開通結束
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/mosgzmlxyj_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
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                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
                電話：13534146615
                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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