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[常見問題解答]如何選擇合適的MOS管？參數(shù)對比與實戰(zhàn)選型技巧[ 2025-04-19 10:31 ]

在實際電子設(shè)計與電源開發(fā)過程中，MOS管作為一種常用的功率器件，承擔(dān)著開關(guān)、調(diào)速、穩(wěn)壓等關(guān)鍵任務(wù)。面對市場上琳瑯滿目的型號，如何高效且精準(zhǔn)地選出一款既匹配電路性能又具備性價比的MOS管，是每一位工程師在設(shè)計初期必須解決的問題。一、柵源開啟電壓（Vgs(th)）的判讀邏輯Vgs(th)并非MOS真正導(dǎo)通的工作電壓，而只是一個臨界點。一般當(dāng)柵源電壓達到Vgs(th)時，管子剛剛開始導(dǎo)通，導(dǎo)通電流還較小。實戰(zhàn)中應(yīng)選擇高于Vgs(th)幾倍的驅(qū)動電壓，確保MOS管完全進入線性導(dǎo)通區(qū)。比如Vgs(th)為3V的器件，建議使用

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[常見問題解答]新能源汽車OBC用SiC MOS驅(qū)動模塊設(shè)計思路與供電方案全流程剖析[ 2025-04-17 14:45 ]

OBC(車載充電機)在新能源汽車的電氣系統(tǒng)中，是連接電網(wǎng)與動力電池的關(guān)鍵部件，負(fù)責(zé)交流轉(zhuǎn)直流、充電管理和電能轉(zhuǎn)換。隨著 SiC MOSFET 在高壓高速開關(guān)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，其在 OBC DC/DC 轉(zhuǎn)換階段的應(yīng)用也越來越普遍。實現(xiàn)整體性能優(yōu)化的關(guān)鍵是高效設(shè)計驅(qū)動模塊及其供電系統(tǒng)。一、驅(qū)動模塊的設(shè)計思路解析1. 選擇合適的驅(qū)動電壓范圍SiC MOSFET一般工作于較高的柵壓要求，典型驅(qū)動電壓為+18V/-5V或+20V/-5V。在設(shè)計驅(qū)動模塊時，需要優(yōu)先確保驅(qū)動芯片具備雙向電壓能力，避免開關(guān)遲滯或關(guān)斷不徹底的問題。

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[常見問題解答]GaN MOS驅(qū)動電路設(shè)計要點與實戰(zhàn)技巧[ 2025-04-12 10:40 ]

隨著氮化鎵（GaN）MOSFET器件在電力電子和高頻開關(guān)電源領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其驅(qū)動電路的設(shè)計逐漸成為工程開發(fā)中的關(guān)鍵技術(shù)之一。得益于GaN器件高開關(guān)速度、低損耗和高電壓承受能力的特性，合理而高效的驅(qū)動設(shè)計不僅直接影響電路性能，還決定了系統(tǒng)穩(wěn)定性和使用壽命。一、驅(qū)動GaN MOS管的核心設(shè)計挑戰(zhàn)氮化鎵MOS管雖然性能優(yōu)越，但與傳統(tǒng)硅MOS相比，其在驅(qū)動環(huán)節(jié)存在顯著差異。以下幾點是GaN驅(qū)動設(shè)計時常見且必須重點關(guān)注的技術(shù)難題：1. 柵極耐壓低GaN MOS柵極耐壓普遍只有6V~10V，遠低于Si MOS。因此，驅(qū)動電壓

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[常見問題解答]MOS管驅(qū)動電壓充不滿怎么辦？開關(guān)電源常見問題分析[ 2025-04-11 10:40 ]

在開關(guān)電源設(shè)計與調(diào)試過程中，MOS管的柵極驅(qū)動電壓能否快速、穩(wěn)定充滿，直接影響著電路的正常工作。特別是在大功率或高頻應(yīng)用場景中，MOS管的驅(qū)動問題極易暴露，各類意想不到的異常情況層出不窮。很多工程師在實際調(diào)試中經(jīng)常會遇到這樣的問題：MOS管的柵極電壓始終無法達到預(yù)期的幅值，導(dǎo)致開關(guān)動作不可靠，甚至出現(xiàn)嚴(yán)重的損壞隱患。那么，柵極驅(qū)動電壓充不滿到底可能有哪些原因？該如何針對性排查和處理？一、驅(qū)動電阻選型不當(dāng)MOS管的柵極實際等效為一個大電容，驅(qū)動時的充放電速度與驅(qū)動源的能力和串聯(lián)電阻關(guān)系密切。若驅(qū)動電阻阻值偏大，將直接

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[常見問題解答]為何N溝道MOSFET在功率開關(guān)與信號調(diào)理中更具優(yōu)勢？[ 2025-03-25 12:13 ]

在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，無論是智能電源、通信設(shè)備，還是汽車電子、工業(yè)自動化控制，功率開關(guān)與信號調(diào)理都是極為重要的電路模塊。選用何種器件，決定了電路的效率、可靠性與響應(yīng)速度。在諸多方案中，N溝道MOSFET憑借其獨特的物理結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的電氣特性，成為上述應(yīng)用中的主力器件。一、電子遷移率高，導(dǎo)通效率更優(yōu)N溝道MOSFET的主要載流子是電子，而電子的遷移率要遠高于空穴（P型MOSFET中的主要載流子）。在相同的驅(qū)動電壓和器件尺寸條件下，N型MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻（R<sub>DS(on)</sub&

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[常見問題解答]如何選擇自舉電路中的電容值？關(guān)鍵參數(shù)解析[ 2025-03-17 10:18 ]

自舉電路在高壓柵極驅(qū)動應(yīng)用中扮演著關(guān)鍵角色，它能提供穩(wěn)定的高端驅(qū)動電壓，提高功率開關(guān)的效率和可靠性。在設(shè)計自舉電路時，自舉電容的選型至關(guān)重要，它的容值大小、耐壓要求及其與電路的匹配程度，都會影響驅(qū)動電路的性能。一、自舉電路的基本工作原理自舉電路廣泛應(yīng)用于高壓柵極驅(qū)動電路，特別是在使用N溝道MOSFET或IGBT作為高端開關(guān)的情況下。由于MOSFET或IGBT的柵極需要一個高于源極的驅(qū)動電壓（通常為VDD + 10V~15V），直接使用單一電

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[常見問題解答]如何選擇合適的IGBT驅(qū)動器：關(guān)鍵考慮因素解析[ 2024-12-09 15:09 ]

IGBT驅(qū)動器（絕緣柵雙極晶體管）在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。無論是在能源轉(zhuǎn)換、工業(yè)自動化還是電動汽車領(lǐng)域，IGBT驅(qū)動器的性能直接影響整個系統(tǒng)的效率和可靠性。因此，工程師在選擇合適的IGBT驅(qū)動器時必須考慮幾個因素。一、明智選擇首先，您需要明確驅(qū)動器的工作電壓和電流范圍。不同類型的IGBT需要不同的驅(qū)動電壓和電流。例如，對于低額定電壓的IGBT，低壓驅(qū)動器是高壓IGBT的良好首選。選擇時還應(yīng)考慮驅(qū)動電流的峰值、平均值和脈沖寬度。電流不匹配可能會導(dǎo)致驅(qū)動器性能不穩(wěn)定或組件損壞。二、保護功能IGBT通常在高溫

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[常見問題解答]開關(guān)MOS管溫升過高？看看這些可能的原因[ 2024-10-12 15:15 ]

開關(guān)MOS管廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中，特別是在電源管理和電機驅(qū)動方面。然而，MOS管的溫升問題常常困擾工程師，尤其是在高頻開關(guān)應(yīng)用中，過高的溫度會導(dǎo)致性能下降和元件損壞。本文詳細(xì)分析了開關(guān)MOS管溫升過高的最常見原因，并介紹了一些對策，以幫助更好的設(shè)計和優(yōu)化。一、導(dǎo)通電阻和功率損耗1. 當(dāng)MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)時，溝道中存在一定的電阻，稱為導(dǎo)通電阻（RDS(on)），它會產(chǎn)生熱量，導(dǎo)致溫度過度升高。在設(shè)計時，導(dǎo)通電阻的大小通常由器件制造工藝、柵極驅(qū)動電壓和工作溫度等因素決定。2. 選擇低導(dǎo)通電阻的管子可以減少功耗和溝

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[常見問題解答]深入探討：碳化硅在先進電子設(shè)備中的關(guān)鍵作用[ 2024-07-30 12:11 ]

1. 碳化硅MOSFET的驅(qū)動門極電壓與導(dǎo)通電阻之謎研究表明，SiC MOSFET的漂移層阻抗遠低于Si MOSFET，但其溝道遷移率較低，導(dǎo)致阻抗略高。因此，提升門極電壓有助于降低導(dǎo)通電阻。使用Vgs=18V的驅(qū)動電壓，可以最大化其低導(dǎo)通電阻的性能，推薦負(fù)壓設(shè)置為約-3。此外，市場上已有Vgs=15V和預(yù)計將推出Vgs=12V的碳化硅MOSFET，旨在與硅基器件的驅(qū)動電壓統(tǒng)一。2. SiC器件與傳統(tǒng)硅器件的對比SiC器件的絕緣擊穿場強是Si的10倍，允許使用更薄的漂移層來實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同耐壓下，SiC的標(biāo)

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[常見問題解答]優(yōu)化MOS管開關(guān)性能：應(yīng)對米勒效應(yīng)的最新技術(shù)與方法[ 2024-05-27 10:48 ]

一、MOSFET的驅(qū)動機制與米勒平臺在電路設(shè)計中，MOSFET的柵極驅(qū)動過程至關(guān)重要，涉及對MOSFET輸入電容的充放電，尤其是柵源極電容Cgs。一旦Cgs電荷達到門檻電壓，MOSFET即切換至開啟狀態(tài)。接著，隨著Vds下降和Id上升，MOSFET進入飽和區(qū)。然而，由于米勒效應(yīng)，Vgs在一段時間內(nèi)停滯，即使此時Id已達最大值，Vds仍在下降，直至米勒電容充滿電。再次將Vgs上升至驅(qū)動電壓時，MOSFET進入電阻區(qū)，Vds徹底下降至最低，完成開啟過程。米勒電容的存在限制了Vgs上升速度，影響了Vds下降速度，因此延長

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[技術(shù)文章]FDD86250 典型應(yīng)用電路[ 2024-05-16 15:09 ]

FDD86250是一款功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET），常見于各種電力電子應(yīng)用中。它的應(yīng)用場景非常廣泛，包括但不限于電源管理、電機驅(qū)動、逆變器等領(lǐng)域。下面將詳細(xì)介紹FDD86250的參數(shù)特點以及應(yīng)用場景。一、參數(shù)特點：- 低導(dǎo)通電阻： FDD86250具有低導(dǎo)通電阻特性，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，可以實現(xiàn)較低的電壓降，從而減少功耗和提高效率。- 高開關(guān)速度： FDD86250具有快速的開關(guān)速度，這使其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)操作，提高系統(tǒng)響應(yīng)速度。- 低驅(qū)動電壓：由于FDD86250的低閾值電壓，它需

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[常見問題解答]選擇三極管驅(qū)動單片機I/O口的五大原因：為什么MOS管不是首選？[ 2024-05-13 10:38 ]

我們首先需要解答兩個問題：為何單片機的I/O端口不直接驅(qū)動負(fù)載，以及在單片機設(shè)計中，為什么常采用三極管而非MOS管？單片機的I/O口雖具備一定的驅(qū)動能力，但因電流較低，一般不超過20mA，這使得其直接驅(qū)動較大負(fù)載成為不可能。進一步討論，單片機通常偏好采用三極管，這與它們的控制特性有關(guān)。三極管作為電流控制器件，其基極驅(qū)動電壓一旦超過0.7V（Ube）即可導(dǎo)通，而MOS管則需其驅(qū)動電壓高于閾值電壓（Vgs(TH)），這一閾值通常介于3-5V之間。實際應(yīng)用中，鑒于單片機的供電電壓普遍為3.3V，三極管能輕松達到飽和狀態(tài)，

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[ 2023-08-24 18:06 ]

功率MOSFET的正反向?qū)ǖ刃щ娐方馕龉β蔒OSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系曲線可從手冊中獲得。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明：即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。功率

[常見問題解答]電路分享，三極管繼電器驅(qū)動電路介紹[ 2023-08-04 17:09 ]

電路分享，三極管繼電器驅(qū)動電路介紹一.前言繼電器是用的比較多的開關(guān)器件，基本的原理就是通過給電磁線圈充放電來控制觸點的吸合與端口，是典型的小信號電流控制大電流負(fù)載的器件。當(dāng)驅(qū)動繼電器工作時，需要給繼電器線圈施加直流電壓，由于線圈電阻一般不大，所以需要的驅(qū)動電流比較大，所以我們不能直接用單片機IO口來驅(qū)動繼電器，一般是采用集成IC比如2003芯片，或者三極管來驅(qū)動繼電器工作，需要通過MCU控制三極管的通斷，進而通過三極管的通斷來控制繼電器線圈的通斷。二.繼電器驅(qū)動電路講解1.確定繼電器線圈驅(qū)動電壓；繼電器線圈吸合電壓

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[常見問題解答]PFC中功率MOSFET的一種失效形式介紹[ 2023-06-30 17:41 ]

PFC中功率MOSFET的一種失效形式介紹TV、戶外LED照明等功率比較大的電源系統(tǒng)中，通常輸入端使用PFC功率因素校正電路。系統(tǒng)反復(fù)起動的過程中，如系統(tǒng)動態(tài)老化Burn In測試、輸入打火測試，由于PFC控制芯片的供電VCC電源建立過程比較慢，特別是使用PFC的電感繞組給PFC控制芯片供電的情況，會導(dǎo)致功率MOSFET管的驅(qū)動在起動的過程中，由于驅(qū)動電壓不足，容易進入線性區(qū)工作，功率MOSFET反復(fù)不斷的進入線性區(qū)工作，工作一段時間后，就會形成局部熱點而損壞。例1：戶外LED照明電源，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為PFC+LLC，P

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[常見問題解答]怎么處理柵極誤導(dǎo)通的方法介紹[ 2023-05-17 18:20 ]

怎么處理柵極誤導(dǎo)通的方法介紹柵極誤導(dǎo)通”的抑制方法柵極誤導(dǎo)通的對策方法有三種。①是通過將Vgs降至負(fù)電壓（而非0V），使Vgs即使上升也不會達到閾值的增加余量方法。這種方法需要負(fù)的柵極驅(qū)動電壓，所以柵極驅(qū)動器的電源要使用+18V/-3V這樣的不對稱的兩個電源。在這種情況下，需要將負(fù)電壓設(shè)置為不超過Vgs的最大額定值。②是在柵極-源極間增加外置電容器，降低阻抗，抑制柵極電位升高的方法。這里需要注意的是CGS也會造成損耗，因而需要適當(dāng)?shù)碾娙?。③是在柵極-源極間增加米勒鉗位用MOSFET的方法。通過在SiC-

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[常見問題解答]怎么計算IGBT驅(qū)動電流及驅(qū)動功率[ 2023-05-08 17:32 ]

怎么計算IGBT驅(qū)動電流及驅(qū)動功率IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計包括上下橋絕緣水平的選擇、驅(qū)動電壓水平的確定、驅(qū)動芯片驅(qū)動功率的確定、短路保護電路等等。今天我們重點討論一下驅(qū)動電流以及功率的確定，也就是說如何確定一個驅(qū)動芯片電流能力是不是可以驅(qū)動一個特定型號的IGBT，如果不能驅(qū)動該如何增強驅(qū)動輸出能力。01.驅(qū)動芯片峰值電流的計算在選擇IGBT驅(qū)動芯片時，很重要的一步就是計算IGBT所需要的最大驅(qū)動電流，在不考慮門極增加Cge電容的條件下，可以把IGBT驅(qū)動環(huán)節(jié)簡化為一個RLC電路，如下圖陰影部分所示。求解這個電路可以得

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[常見問題解答]三極管推挽電路設(shè)計介紹[ 2023-02-23 16:10 ]

當(dāng)驅(qū)動光耦的輸出能力無法滿足IGBT門極驅(qū)動電流的要求時，要選擇使用推挽驅(qū)動。（1） IGBT門極峰值電流計算IGBT門極峰值電流Imax=0.74*△VGE/（Rg+Rint）△VGE為IGBT驅(qū)動電壓變化量，Rg為外加門極電阻，Rint為門極內(nèi)部電阻，0.74為考慮到驅(qū)動器內(nèi)阻和引線電感而設(shè)置的校正系數(shù)。假設(shè)IGBT在開通和關(guān)斷的過程中，門極等效電容Cge恒定。對于IGBT門極回路可列出微分方程Ld2iG（t）/dt2+RdiG（t）/dt+1/CGE*iG（t）=0求解方程(4)得到Imax的表達式(5)，

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[常見問題解答]使用二極管補償電路實現(xiàn)的穩(wěn)壓器電源電路設(shè)計介紹[ 2022-11-23 17:11 ]

下表列出了 5V CMOS 的輸入電壓閾值、 3.3VLVTTL 和 LVCMOS 的輸出驅(qū)動電壓。從上表看出， 5V CMOS 輸入的高、低輸入電壓閾值均比 3.3V 輸出的閾值高約一伏。因此，即使來自 3.3V 系統(tǒng)的輸出能夠被補償，留給噪聲或元件容差的余地也很小或者沒有。我們需要的是能夠補償輸出并加大高低輸出電壓差的電路。輸出電壓規(guī)范確定后，就已經(jīng)假定：高輸出驅(qū)動的是輸出和地之間的負(fù)載，而低輸出驅(qū)動的是 3.3V和輸出之間的負(fù)載。如果高電壓閾值的負(fù)載實際上是在輸出和 3.3V 之間的話，那么輸出電壓實際上要高

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[常見問題解答]基于IRF7201 MOSFET的5V轉(zhuǎn)3.3V開關(guān)電源電路設(shè)計介紹[ 2022-11-05 12:02 ]

在選擇與 3.3V 單片機配合使用的外部 N 溝道MOSFET 時，一定要小心。MOSFET 柵極閾值電壓表明了器件完全飽和的能力。對于 3.3V 應(yīng)用，所選 MOSFET 的額定導(dǎo)通電阻應(yīng)針對 3V 或更小的柵極驅(qū)動電壓。例如，對于具有 3.3V 驅(qū)動的100 mA負(fù)載，額定漏極電流為250 μA的FET在柵極 - 源極施加 1V 電壓時，不一定能提供滿意的結(jié)果。在從 5V 轉(zhuǎn)換到 3V 技術(shù)時，應(yīng)仔細(xì)檢查柵極- 源極閾值和導(dǎo)通電阻特性參數(shù)，如圖 1所示。稍微減少柵

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