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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何優(yōu)化同步整流電路：器件選擇與設(shè)計(jì)原則[ 2024-05-15 10:11 ]

一、概述同步整流技術(shù)在電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，隔離式轉(zhuǎn)換器經(jīng)常配備低直流輸出電壓，其核心整流器多采用MOSFET。由于這些設(shè)備具備較低的通電損耗，它們能顯著提高能效，因此越來(lái)越多地被引入到各種應(yīng)用中。為實(shí)現(xiàn)高效率的電路設(shè)計(jì)，對(duì)同步整流器（SR）進(jìn)行精確控制是關(guān)鍵。該技術(shù)通過(guò)取代傳統(tǒng)二極管，并采用特定的驅(qū)動(dòng)策略，通常依賴(lài)PWM控制信號(hào)來(lái)調(diào)整開(kāi)關(guān)電路的狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)高效整流。二、同步整流中的功率MOS管應(yīng)用在同步整流應(yīng)用中，功率MOS管不僅僅是快速恢復(fù)二極管的替代品，更是整流功能的執(zhí)行者。它們通過(guò)極低的導(dǎo)通電阻來(lái)降低能量消耗，從而提

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]單片機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS管：操作失誤與風(fēng)險(xiǎn)解析[ 2024-05-13 10:13 ]

一、控制MOS管的實(shí)際應(yīng)用與風(fēng)險(xiǎn)使用單片機(jī)直接控制功率較大的MOS管存在一定風(fēng)險(xiǎn)。通常，MOS管的閾值電壓（Vth）介于2到5伏之間，但對(duì)于某些高功率MOS管，Vth可能更高。因此，當(dāng)單片機(jī)供電僅為5V或3.3V時(shí)，直接驅(qū)動(dòng)這些MOS管可能導(dǎo)致無(wú)法有效控制。為解決這一問(wèn)題，常采用三極管作為中間控制器，以保證更穩(wěn)定的控制效果。在單片機(jī)輸出高電平時(shí)，三極管被激活，導(dǎo)致NMOS的G極呈現(xiàn)低電平狀態(tài)，使NMOS處于關(guān)閉狀態(tài)；反之，當(dāng)輸出為低電平時(shí)，三極管關(guān)閉，G極電平升高，NMOS則導(dǎo)通。二、MOS管的基本構(gòu)成與功能MOS

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOSFET發(fā)熱現(xiàn)象深度解析：關(guān)鍵技術(shù)與防治措施[ 2024-04-11 11:30 ]

在探索電源與驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的深?yuàn)W世界時(shí)，我們不可避免地會(huì)遇到場(chǎng)效應(yīng)管（通稱(chēng)MOS管）的散熱難題。這些小巧的組件承載著重要的開(kāi)關(guān)功能，卻也隱藏著不容忽視的挑戰(zhàn)。接下來(lái)，讓我們深入探討緩解MOS管發(fā)熱問(wèn)題的五種創(chuàng)新技術(shù)策略。靈活的電流與電壓調(diào)控策略在電源設(shè)計(jì)的心臟部位，即高壓驅(qū)動(dòng)芯片中，我們?cè)庥隽说谝粋€(gè)散熱難關(guān)。設(shè)想一個(gè)簡(jiǎn)單場(chǎng)景：一塊芯片，工作在2mA的電流和300V的電壓下，它將產(chǎn)生0.6W的功耗，伴隨而來(lái)的就是不期而至的發(fā)熱。此時(shí)，如果我們通過(guò)巧妙調(diào)整功率MOS管的電容值、門(mén)電壓，以及工作頻率，不僅能夠顯著降低功耗，還能

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]電路設(shè)計(jì)，同步整流電路如何設(shè)計(jì)[ 2024-01-15 18:35 ]

電路設(shè)計(jì)，同步整流電路如何設(shè)計(jì)01什么是同步整流同步整流是一種提高電路轉(zhuǎn)換效率的技術(shù)，該技術(shù)通常在輸出為低壓大電流的開(kāi)關(guān)電源中使用，因?yàn)檫@種開(kāi)關(guān)電源的整流電路中一旦有非有效壓降存在，對(duì)能量的消耗就會(huì)比較可觀，源端就需要給出更多的能量來(lái)滿足正常輸出。隨著低壓大電流成為一種趨勢(shì)，偉大的前輩們發(fā)明了同步整流技術(shù)——在輸出電路中采用導(dǎo)通電阻極低的****功率mos管替代導(dǎo)通壓降較高的整流二極管，有效提高了電路的轉(zhuǎn)換效率。02同步整流的代價(jià)任何好的轉(zhuǎn)變都需要付出代價(jià)，同步整流電路也不例外。采用功率

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]功率MOS管的正向截止等效電路與穩(wěn)態(tài)特性介紹[ 2023-08-24 18:26 ]

功率MOSFET的正向截止等效電路與穩(wěn)態(tài)特性介紹功率MOSFET的正向截止等效電路（1）：等效電路（2）：說(shuō)明：功率 MOSFET 正向截止時(shí)可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關(guān)，大小可從制造商的手冊(cè)中獲得。功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)（1）：功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時(shí)的電流/電壓曲線（2）：說(shuō)明：功率 MOSFET 正向飽和導(dǎo)通時(shí)的穩(wěn)態(tài)工作點(diǎn)：當(dāng)門(mén)極不加控制時(shí)，其反向?qū)ǖ姆€(wěn)態(tài)工作點(diǎn)同二極管。（3）：穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)：門(mén)極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導(dǎo)通狀態(tài)；當(dāng)VgsVth時(shí)，器件處于導(dǎo)通狀態(tài)；

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]開(kāi)關(guān)MOS的驅(qū)動(dòng)電路解析[ 2023-06-26 18:15 ]

開(kāi)關(guān)MOS的驅(qū)動(dòng)電路解析引言MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面介紹了MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流，很多人僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方法。作為一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)，功率MOS管還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。選定管子之后，對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路，以及電源IC驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流等，都會(huì)影響產(chǎn)品性能。當(dāng)電源IC

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]功率Mos管損壞主要原因有哪些[ 2023-02-10 17:34 ]

mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開(kāi)通過(guò)程（由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程（由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程）、截止?fàn)顟B(tài)。Mos主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開(kāi)關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同mos這個(gè)差距可能很大。Mos損壞主要原因：過(guò)流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過(guò)高而燒毀過(guò)壓----------源漏過(guò)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]4N60場(chǎng)效應(yīng)MOS管替代FQP4N60型號(hào)參數(shù) 現(xiàn)貨供應(yīng)廠家[ 2021-08-24 15:01 ]

在國(guó)產(chǎn)化的發(fā)展進(jìn)程中，我們更推薦使用優(yōu)質(zhì)的壹芯微所生產(chǎn)的4N60型號(hào)參數(shù)來(lái)替代FQP4N60型號(hào)，壹芯微4N60場(chǎng)效應(yīng)管能夠完美匹配原型號(hào)FQP4N60場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)，壹芯微這款功率MOS管4N60為N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用4N60廣泛應(yīng)用于AC-DC開(kāi)關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PMW馬達(dá)驅(qū)動(dòng)；在使用方面是匹配型號(hào)FQP4N60的國(guó)外場(chǎng)效應(yīng)管。

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]5N60場(chǎng)效應(yīng)MOS管參數(shù)5A/600V,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器適用[ 2021-08-24 14:39 ]

5N60是一款N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS管，具有600V高壓，可適用在DC-DC電源轉(zhuǎn)換器上，目前DC-DC轉(zhuǎn)換器廣泛應(yīng)用于手機(jī)、MP3、數(shù)碼相機(jī)、便攜式媒體播放器等產(chǎn)品中。

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]分析MOS場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱的各種可能因素-壹芯微[ 2021-08-06 16:27 ]

分析MOS場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱的各種可能因素-壹芯微你了解MOS管發(fā)熱嗎？做為一名電源工程師，做電源設(shè)計(jì)可以說(shuō)是日常了，提到MOS管的話，一定不陌生。MOS管有很多種類(lèi)，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開(kāi)關(guān)作用。接下來(lái)我們來(lái)了解MOS管發(fā)熱四大關(guān)鍵技術(shù)。一、芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來(lái)自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實(shí)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]萬(wàn)用表測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)MOS管使用及更換方法解析-壹芯微[ 2021-08-05 14:20 ]

萬(wàn)用表測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)MOS管使用及更換方法解析-壹芯微關(guān)于MOS管一直是工程師熱衷討論的話題之一，于是我們整理了常見(jiàn)與不常見(jiàn)MOS管的有關(guān)知識(shí)，希望對(duì)各位工程師有所幫助。防靜電保護(hù)MOS管屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，柵極是無(wú)直流通路，輸入阻抗極高，極易引起靜電荷聚集，產(chǎn)生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿。早期生產(chǎn)的MOS管大多沒(méi)有防靜電措施，所以在保管及應(yīng)用上要非常小心，特別是功率較小的MOS管，由于功率較小的MOS管輸入電容比較小，接觸到靜電時(shí)產(chǎn)生的電壓較高，容易引起靜電擊穿。而近期的增強(qiáng)型大功率MOS管則有比較大的區(qū)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]怎樣區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管-功率管-特肖基二極管[ 2021-04-14 10:11 ]

怎樣區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管-功率管-特肖基二極管題目中的特肖基二極管的正確說(shuō)法是肖特基二極管，功率管是一類(lèi)大功率器件的總稱(chēng)，是一種統(tǒng)稱(chēng)，如大功率三極管、大功率二極管、大功率MOS管等。下面介紹一下如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管和肖特基二極管。什么是場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱(chēng)，應(yīng)為縮寫(xiě)為FET。場(chǎng)效應(yīng)管通常分為兩類(lèi)：1)JFET和MOSFET。這兩類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)管都是壓控型的器件。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極，分別為：柵極G、漏極D和源極S。目前MOSFET應(yīng)用廣泛，JFET相對(duì)較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS，下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]功率mos管是為何會(huì)被燒毀[ 2020-12-28 16:25 ]

功率mos管是為何會(huì)被燒毀mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開(kāi)通過(guò)程（由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程（由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程）、截止?fàn)顟B(tài)。Mos主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開(kāi)關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同mos這個(gè)差距可能很大。Mos損壞主要原因：過(guò)流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過(guò)高而燒毀；過(guò)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管保護(hù)電路實(shí)測(cè)以及保護(hù)電路解析[ 2020-12-17 15:06 ]

MOS管保護(hù)電路實(shí)測(cè)以及保護(hù)電路解析MOS管保護(hù)電路實(shí)測(cè)，分析功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過(guò)載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場(chǎng)合，所以在應(yīng)用功率MOS管對(duì)必須為其設(shè)計(jì)合理的保護(hù)電路來(lái)提高器件的可靠性。功率MOS管保護(hù)電路主要有以下幾個(gè)方面：1.防止柵極 di/dt過(guò)高：MOS管保護(hù)電路實(shí)測(cè)，分析：由于采用驅(qū)動(dòng)芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動(dòng)功率管會(huì)引起驅(qū)動(dòng)的功率管快速的開(kāi)通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過(guò)高的di/dt而引起誤導(dǎo)通。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管保護(hù)電路|MOSFET柵源保護(hù)知識(shí)普及[ 2020-12-17 14:45 ]

MOS管保護(hù)電路|MOSFET柵源保護(hù)知識(shí)普及MOSFET柵源保護(hù)知識(shí)MOSFET柵源保護(hù)：功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過(guò)載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場(chǎng)合，所以在應(yīng)用功率MOS管對(duì)必須為其設(shè)計(jì)合理的保護(hù)電路來(lái)提高器件的可靠性。MOSFET柵源保護(hù)-功率MOS管保護(hù)電路主要有以下幾個(gè)方面：1.防止柵極 di/dt 過(guò)高由于采用驅(qū)動(dòng)芯片，其輸出阻抗較低，直接驅(qū)動(dòng)功率管會(huì)引起驅(qū)動(dòng)的功率管快速的開(kāi)通和關(guān)斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過(guò)高的 di/dt 而引起

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]功率MOS管參數(shù)-Vdss的溫度特性詳情解析[ 2020-12-09 16:54 ]

功率MOS管參數(shù)-Vdss的溫度特性詳情解析功率MOS管參數(shù)-Vdss溫度特性分析由圖可知MOSFET-Vdss耐壓隨溫度升高而增加。為什么MSOFET的VDS耐壓隨溫度升高而增加，即呈現(xiàn)正溫度系數(shù)呢？這是半導(dǎo)體硅材料的特性所決定的！MOS管是單子導(dǎo)電機(jī)理！載流子只有電子，溫度升高，溝道電阻增加，電子遷移減少，電流變小！故耐壓會(huì)增加！MOS管是單子導(dǎo)電機(jī)理！載流子只有電子，溝道夾斷，電子無(wú)法通過(guò)溝道導(dǎo)通，單外延層中低參雜PN結(jié)中的電子遷移很小，溫度升高，這種飄移電流變小！故其反向截止的損耗減小，雪崩能量增加，耐壓

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管保護(hù)措施技術(shù)詳情解析[ 2020-11-16 16:24 ]

MOS管保護(hù)措施技術(shù)詳情解析MOS管保護(hù)措施：功率MOS管的SOA曲線雖然功率MOS管有諸多優(yōu)點(diǎn),但在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中,功率MOS管往往是最容易損壞的元件,要想安全可靠的使用好功率MOS管并不容易,因此功率MOS管的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)問(wèn)題是功率器件設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。圖1為功率MOS管的安全工作區(qū)(SOA)曲線,晶體管的擊穿電壓決定了其最大的漏源電壓VDS ,電遷移限制確定了晶體管的最大漏極電流ID。芯片的最高工作溫度與散熱共同決定了最大的穩(wěn)態(tài)功PD。圖中虛線表示的是SOA邊界,實(shí)線顯示了縮小的SOA區(qū)域,為該器件的實(shí)際情況。從圖中

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]功率MOS管燒毀的原因分析(米勒效應(yīng))[ 2020-10-24 16:27 ]

功率MOS管燒毀的原因分析(米勒效應(yīng))Mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開(kāi)通過(guò)程（由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程（由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程）、截止?fàn)顟B(tài)。Mos主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開(kāi)關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗（不同mos這個(gè)差距可能很大。Mos損壞主要原因：過(guò)流----------持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過(guò)

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用和MOS管極的測(cè)試步驟[ 2020-09-04 16:29 ]

MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用和MOS管極的測(cè)試步驟在電源電路中，功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻用什么作用呢？如上圖開(kāi)關(guān)電源，G串聯(lián)電阻R13。這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用：限制G極電流，抑制振蕩。限制G極電流MOS管是由電壓驅(qū)動(dòng)的，是以G級(jí)電流很小，但是因?yàn)榧纳娙莸拇嬖冢贛OS管打開(kāi)或關(guān)閉的時(shí)候，因?yàn)橐獙?duì)電容進(jìn)行充電，所有瞬間電流還是比較大的。特別是在開(kāi)關(guān)電源中，MOS管頻繁的開(kāi)啟和關(guān)閉，那么就要更要考慮這個(gè)帶來(lái)的影響了。如上圖，MOS管的寄生電容有三個(gè)，Cgs，Cgd，

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[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管知識(shí)科普-功率mos管為什么會(huì)被燒毀詳解[ 2020-09-01 17:50 ]

MOS管知識(shí)科普-功率mos管為什么會(huì)被燒毀詳解本文主要解析功率mos管為何會(huì)被燒毀。mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開(kāi)通過(guò)程（由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程（由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程）、截止?fàn)顟B(tài)。Mos主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開(kāi)關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同mos這個(gè)差距可能很大。Mos損壞主要原因與Mos開(kāi)關(guān)原

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