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        [常見問題解答]PN結的反向擊穿是什么?有哪些類型及其工作原理?[ 2025-03-12 18:08 ]
        PN結的反向擊穿是半導體物理學中一個至關重要的現象,它發生在PN結處于反向偏置狀態時,當施加的反向電壓超過一定閾值,PN結的反向電流會驟然上升,表現出擊穿特性。PN結的反向擊穿不僅是半導體器件工作原理的一部分,還在穩壓電路、電子保護元件等領域發揮著重要作用。 一、PN結反向擊穿的基本概念 在正常工作狀態下,PN結的反向電流極小,這是由于結區中的耗盡層起到了阻擋電荷載流子運動的作用。然而,當反向電壓增加到一定水平,耗盡層中的電場強度增強,可能導致
        http://m.kannic.com/Article/pnjdfxjcss_1.html3星
        [常見問題解答]探索高速器件:它們是什么以及如何工作[ 2024-05-17 10:56 ]
        一、高速器件的定義與特性高速器件,也稱為高頻器件或高速集成電路,指的是能夠在高頻率或高速條件下正常工作的電子器件。它們的主要特性包括:- 高速度:在極高頻率下工作,能夠快速處理和傳輸數據。- 高可靠性:在高速運行狀態下保持穩定性和可靠性。- 低功耗:在追求高性能的同時,也注重低功耗設計。- 小型化:隨著集成電路技術的發展,高速器件逐漸實現小型化,提高了系統的集成度。二、高速器件的工作原理高速器件的工作原理主要基于半導體物理和集成電路設計理論。在高速工作狀態下,器件內部的電荷運動、能量轉換和信號傳遞等過程會受到高速效
        http://m.kannic.com/Article/tsgsqjtmss_1.html3星
        [常見問題解答]MOS管的靜態特性介紹(上)[ 2023-04-15 14:10 ]
        MOS管的靜態特性介紹(上)目前MOSFET仍是數字集成電路廣泛使用的器件,根據MOS管的靜態模型,以NMOS為例,分析其電流電壓特性。 器件部分涉及到很多半導體物理、器件物理相關知識,暫不深入探究,MOS管的基本結構如圖所示。<閾值電壓>MOS管強反型發生時VGS的值稱為閾值電壓VT。強反型的發生:假設源、漏均接地,當柵電壓開始為正時,與SiO2接觸的硅表面多子(空穴)減少; 當柵電壓升高,空間電荷區(也稱耗盡層)開始出現; 柵電壓繼續升高到硅表面的電勢達到臨界值,出現強反型,發生的電壓等于兩倍的費米
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        [常見問題解答]簡析模擬集成電路設計[ 2020-08-10 14:53 ]
        簡析模擬集成電路設計模擬集成電路設計一直在集成電路設計中占據著極其重要的位置。由于我們所處的現實世界里存在的各種信號從本質上來講都是模擬信號,因此從現實世界獲取信號,進行放大、濾波和采樣量化并最終返回現實世界實現驅動都離不開模擬集成電路。模擬集成電路設計被稱作是一門藝術。物理世界中的各種信號在模擬集成電路設計看來最終都以電壓,電流或者電荷的形式呈現出來,有時還要深入到半導體物理中,觀測信號在電子級別的變現,比如說熱噪聲。那么在外人看似枯燥的工程科學,其藝術性如何表現出來呢?換一個角度來看,模擬集成電路設計充滿了諸多
        http://m.kannic.com/Article/jxmnjcdlsj_1.html3星

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