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        [常見問題解答]探索IGBT雙脈沖測試的關鍵技術與實現步驟[
                                        2025-02-11 11:56
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                                    IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）作為現代電力電子領域的核心器件，其性能直接決定著系統的效率和穩定性。在評估IGBT性能的諸多方法中，雙脈沖測試因其能夠全面反映器件的開關特性而被廣泛應用。一、雙脈沖測試的技術要點1. 測試目的明確雙脈沖測試的核心在于準確測量IGBT在開通和關斷過程中的動態特性。通過這一測試，可以獲得如開關損耗、導通電阻、二極管反向恢復電流、電流上升斜率（di/dt）和電壓尖峰等重要參數。這些數據對于優化器件驅動設計、降低系統損耗、提高
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/tsigbtsmcc_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]碳化硅雙脈沖測試：解析正向與負向干擾的影響[
                                        2024-08-07 15:22
                                        ]
        
                                
        
                                    碳化硅 (SiC) 由于其卓越的物理和化學穩定性，在高功率和高溫應用中表現出色。隨著碳化硅設備在半導體行業中的廣泛應用，雙脈沖測試成為了一種關鍵的技術，用于評估這些設備在實際工作條件下的性能。雙脈沖測試主要是用來觀察和分析器件在快速開關過程中的動態特性，特別是正向和負向干擾的影響。一、正向串擾的產生與影響正向串擾通常在開關器件如晶體管開通時發生。當一個晶體管（例如Q1）的門極電壓達到閾值，使其導通時，與之相鄰的晶體管（例如Q2）可能會受到干擾。這種干擾起因于電流從一個晶體管（如D2）開始轉移到已導通的晶體管（Q1）
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/thgsmccsjx_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]雙脈沖測試基礎原理和應用解析[
                                        2023-04-29 14:04
                                        ]
        
                                
        
                                    雙脈沖測試基礎原理和應用解析雙脈沖是分析功率開關器件動態特性的基礎實驗方法，貫穿器件的研發，應用和驅動保護電路的設計。合理采用雙脈沖測試平臺，你可以在系統設計中從容的調試驅動電路，優化動態過程，驗證短路保護。雙脈沖測試基礎系列文章包括基本原理和應用，對電壓電流探頭要求和影響測試結果的因素等。為什么要進行雙脈沖測試？在以前甚至是今天，許多使用IGBT或者MOSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實驗的，而是直接在標定的工況下跑看能否達到設計的功率。這樣的測試確實很必要，但是往往這樣看不出具體的開關損耗，電壓或者電流的尖
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/smccsjcylh_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]什么是雙脈沖測試介紹[
                                        2022-08-25 16:05
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                                    通過雙脈沖測試評估MOSFET 的反向恢復特性我們開設了 Si 功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估 MOSFET 體二極管的反向恢復特性，并確認 MOSFET 損耗情況。1MOSFET 體二極管的反向恢復特性與橋式電路損耗的關系在逆變器電路和 Totem Pole 型功率因數改善（PFC）電路等具有 2 個以上 MOSFET 的橋式電路中，由于流過上下橋臂的電流
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/smssmccsjs_1.html3星
        
                            
        
                        
                            
        
                                
        [常見問題解答]IGBT開關參數-雙脈沖測試波形詳情[
                                        2020-08-21 15:39
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                                    IGBT開關參數-雙脈沖測試波形詳情一、IGBT開關參數定義通過雙脈沖測試，可以得到IGBT的各項開關參數。圖1 IGBT開關參數定義如圖1所示，IGBT開關參數的定義如下：開通延遲時間（td on）：IGBT開通時，從柵極電壓為Vge的10%開始,到集電極電流上升至Ic的10%為止，這一段時間被定義為開通延遲時間。開通上升時間（tr）：IGBT開通時，從集電極電流上升至Ic的10%開始,到集電極電流上升至Ic的90%為止，這一段時間被定義為開通上升時間。關斷延遲時間（td off）：IGBT關斷時，從柵極電壓為V
        
                                
        
                                    
                                        http://m.kannic.com/Article/igbtkgcssm_1.html3星
        
                            
        
                        
                    
                    
                    
                    
        
                    
        
                    
                    
                    
                    
                
        
            
        
        
        
        
        
            
        
        
        
        
        
        
    
        
    
    
    

        
    
        
        
        
        
        
            
        
                地 址/Address
        
            
        
                工廠地址：安徽省六安市金寨產業園區
                
        
                深圳辦事處地址：深圳市福田區寶華大廈A1428
        
                中山辦事處地址：中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
        
                杭州辦事處：杭州市西湖區文三西路118號杭州電子商務大廈6層B座
        
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                企業QQ：2881579535
            
        
        
        
        
        
            
        
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