熟女一区二区三区国产,男受被做哭激烈娇喘gv视频,色欲αV人妻精品一区二区直播

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]別再混淆！搞懂ESD保護(hù)二極管與普通二極管的5大關(guān)鍵不同點(diǎn)[ 2025-04-19 11:29 ]

在電子設(shè)計(jì)的日常開(kāi)發(fā)中，很多工程師時(shí)常會(huì)把ESD保護(hù)二極管和普通二極管混為一談。表面上它們同為“二極管”，但實(shí)際上，這兩者在原理設(shè)計(jì)、應(yīng)用場(chǎng)景、響應(yīng)能力等方面有著明顯不同。如果你還沒(méi)完全理解它們的差別，可能會(huì)在選型時(shí)踩坑，影響整機(jī)的抗干擾性能或信號(hào)完整性。一、設(shè)計(jì)初衷不同：防護(hù) vs. 導(dǎo)電普通二極管的設(shè)計(jì)初衷，是用來(lái)實(shí)現(xiàn)電流單向?qū)ǖ墓δ埽谡麟娐贰㈤_(kāi)關(guān)電路、穩(wěn)壓電路中應(yīng)用廣泛。它的結(jié)構(gòu)主要是PN結(jié)，依賴正向偏置導(dǎo)通、反向偏置截止的特性進(jìn)行電流控制。而ESD保護(hù)二極管則是專為抑制靜電放

http://m.kannic.com/Article/bzhxgdesdb_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]場(chǎng)效應(yīng)管的類型與應(yīng)用：從結(jié)構(gòu)到性能的全面解析[ 2025-04-18 12:25 ]

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）作為一種重要的半導(dǎo)體器件，在現(xiàn)代電子電路中起著至關(guān)重要的作用。憑借其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和卓越的性能，場(chǎng)效應(yīng)管被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，如信號(hào)放大、電流調(diào)節(jié)、開(kāi)關(guān)電路等。一、場(chǎng)效應(yīng)管的類型場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)其導(dǎo)電溝道的類型、工作原理及所用材料的不同，主要可分為幾類，每一類都具有其獨(dú)特的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。1. 按導(dǎo)電溝道類型分類- N溝道場(chǎng)效應(yīng)管：N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電通道由電子構(gòu)成。當(dāng)柵極施加負(fù)電壓時(shí)，源極區(qū)域的電子進(jìn)入溝道，形成導(dǎo)電路徑。與P溝道相比，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具有較高的跨

http://m.kannic.com/Article/cxygdlxyyy_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何選擇適合的晶體三極管：選型指南與實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)[ 2025-04-14 11:09 ]

在現(xiàn)代電子技術(shù)中，晶體三極管作為一種重要的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電路中，如放大電路、開(kāi)關(guān)電路、信號(hào)調(diào)節(jié)等。如何選擇適合的晶體三極管對(duì)于設(shè)計(jì)高效、穩(wěn)定的電路至關(guān)重要。一、晶體三極管選型的基本要素在選擇晶體三極管時(shí)，必須充分考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵因素：1. 類型選擇根據(jù)電路的需要，晶體三極管通常分為NPN型和PNP型兩種。NPN型晶體三極管在大多數(shù)應(yīng)用中較為常見(jiàn)，其具有較低的飽和電壓和較高的效率。而PNP型晶體三極管則適用于負(fù)電壓應(yīng)用，通常用于特定的電路設(shè)計(jì)。選擇時(shí)，需要根據(jù)電路的電源配置以及信號(hào)的極性來(lái)決定是使用NPN型

http://m.kannic.com/Article/rhxzshdjts_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]PMOS開(kāi)關(guān)電路怎么接？五種實(shí)用連接方式盤(pán)點(diǎn)[ 2025-04-03 11:23 ]

在電子線路設(shè)計(jì)中，PMOS作為常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)管之一，常被用于電源控制、信號(hào)切換、高側(cè)開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。它具備導(dǎo)通阻抗低、控制簡(jiǎn)便等優(yōu)勢(shì)，但其連接方式需根據(jù)實(shí)際應(yīng)用精細(xì)設(shè)計(jì)。一、標(biāo)準(zhǔn)單管PMOS開(kāi)關(guān)接法最基礎(chǔ)的接法是將PMOS作為一個(gè)簡(jiǎn)單的電源開(kāi)關(guān)，結(jié)構(gòu)清晰、便于理解。具體連接如下：PMOS的源極（S）接高電位電源，漏極（D）連接負(fù)載的一端，負(fù)載另一端接地。柵極（G）由控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)，當(dāng)柵極電壓低于源極時(shí)，VGS為負(fù)值，管子導(dǎo)通；當(dāng)柵極電壓接近源極，VGS為零或正值，PMOS截止。此類電路廣泛應(yīng)用于低功耗設(shè)備的電源啟停、模塊間

http://m.kannic.com/Article/pmoskgdlzm_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]幾種常見(jiàn)MOS管電源開(kāi)關(guān)電路結(jié)構(gòu)與實(shí)現(xiàn)方式[ 2025-04-03 11:15 ]

在電子設(shè)計(jì)中，電源開(kāi)關(guān)電路是非常基礎(chǔ)但又不可忽視的部分，尤其在低功耗控制、電源切換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中，MOS管以其快速開(kāi)斷、導(dǎo)通阻抗低、電流承載能力強(qiáng)等特性被廣泛應(yīng)用。一、NMOS管在低側(cè)開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)用最經(jīng)典的MOS開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)之一就是將NMOS作為電源開(kāi)關(guān)使用于電路的低側(cè)部分。其基本接法為：將負(fù)載一端連接至正電源，另一端連接NMOS的漏極，而源極直接接地。控制信號(hào)通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)，決定NMOS的導(dǎo)通與否。當(dāng)控制端信號(hào)為高電平，柵源電壓（Vgs）超過(guò)器件導(dǎo)通閾值時(shí)，MOS導(dǎo)通，電流回路閉合，負(fù)載正常工作。而當(dāng)控制端拉低至

http://m.kannic.com/Article/article-31001123491_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]掌握三極管控制邏輯：?jiǎn)纹瑱C(jī)IO口如何實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)[ 2025-03-31 12:00 ]

在嵌入式開(kāi)發(fā)中，三極管常被用于開(kāi)關(guān)電路、信號(hào)放大等場(chǎng)景，而如何通過(guò)單片機(jī)的IO口對(duì)其進(jìn)行有效控制，是每位初學(xué)者必須掌握的一項(xiàng)基本技能。一、什么是三極管？晶體三極管是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件。它有三個(gè)引腳:基極(B)、集電極(C)和發(fā)射極(E)。三極管從結(jié)構(gòu)上分為NPN和PNP類型,它們的控制方式略有不同,但基本原理相同。三極管的主要用途是開(kāi)關(guān)控制和電流放大，通過(guò)基極輸入小電流來(lái)控制集電極和發(fā)射極之間的大電流通斷。二、單片機(jī)IO口與三極管的連接關(guān)系通常，單片機(jī)的IO口輸出電流較小，不足以直接驅(qū)動(dòng)某些外部器件（如繼電器、電

http://m.kannic.com/Article/zwsjgkzljd_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]三極管開(kāi)關(guān)電路常見(jiàn)問(wèn)題與優(yōu)化方案探討[ 2025-03-31 10:22 ]

三極管作為一種重要的半導(dǎo)體器件，在現(xiàn)代電子電路中承擔(dān)著核心角色。除了傳統(tǒng)的信號(hào)放大功能，它在數(shù)字邏輯和自動(dòng)控制系統(tǒng)中更多地被應(yīng)用為開(kāi)關(guān)使用。雖然三極管開(kāi)關(guān)電路結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，但在實(shí)際設(shè)計(jì)與使用過(guò)程中，經(jīng)常會(huì)遇到一些影響性能的細(xì)節(jié)問(wèn)題。如果處理不當(dāng)，不僅會(huì)導(dǎo)致電路不穩(wěn)定，還可能損害器件本身。一、三極管開(kāi)關(guān)失效的常見(jiàn)表現(xiàn)在實(shí)踐中，最常見(jiàn)的三極管開(kāi)關(guān)異常有以下幾類：1. 開(kāi)關(guān)狀態(tài)不明確有時(shí)候電路設(shè)計(jì)后，三極管無(wú)法完全導(dǎo)通或完全截止，導(dǎo)致負(fù)載電流處于一種“半開(kāi)半關(guān)”的模糊狀態(tài)。這種現(xiàn)象通常與基極驅(qū)動(dòng)電

http://m.kannic.com/Article/sjgkgdlcjw_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻參數(shù)選擇對(duì)開(kāi)關(guān)性能的關(guān)鍵影響分析[ 2025-03-28 11:27 ]

在現(xiàn)代電力電子與高速開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)中，MOSFET作為核心器件，其驅(qū)動(dòng)方式直接影響整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效率與穩(wěn)定性。而在眾多驅(qū)動(dòng)參數(shù)中，驅(qū)動(dòng)電阻的選型尤為關(guān)鍵，它在MOSFET開(kāi)通與關(guān)斷過(guò)程中的作用不可忽視。合理設(shè)定驅(qū)動(dòng)電阻不僅影響開(kāi)關(guān)速度和損耗，也關(guān)系到EMI、系統(tǒng)穩(wěn)定性以及器件可靠性等多個(gè)方面。一、驅(qū)動(dòng)電阻的作用機(jī)制MOSFET的柵極控制回路本質(zhì)上可以看作是一個(gè)RC充放電電路。由于MOS管的柵極存在一定的輸入電容（主要包括Cgs、Cgd等），在驅(qū)動(dòng)器輸出信號(hào)加載至柵極時(shí)，需要一定時(shí)間將電容充電至開(kāi)啟電壓。同樣，在關(guān)斷時(shí)

http://m.kannic.com/Article/mosfetqddz_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]三極管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)：假設(shè)成真后，關(guān)鍵條件解析[ 2025-03-19 10:49 ]

三極管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)是一種基于假設(shè)成真的方法，即在設(shè)計(jì)初期假設(shè)三極管完全導(dǎo)通，然后依據(jù)這個(gè)狀態(tài)來(lái)選擇電路參數(shù)。這種方法能夠簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)過(guò)程，提高電路的可靠性和穩(wěn)定性。然而，為了確保三極管能夠按照預(yù)期導(dǎo)通，還需要滿足一定的關(guān)鍵條件。一、三極管開(kāi)關(guān)電路的基本概念三極管（BJT，雙極型晶體管）是一種電流控制型器件，其導(dǎo)通與否由基極電流 (Ib) 以及基極-發(fā)射極電壓 (Vbe) 決定。在開(kāi)關(guān)電路中，三極管通常工作在截止和飽和兩個(gè)狀態(tài)：- 截止?fàn)顟B(tài)：基極無(wú)電流流入，三極管不導(dǎo)通，相當(dāng)于一個(gè)斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)。- 飽和狀態(tài)：基極電流足夠大

http://m.kannic.com/Article/sjgkgdlsjj_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管開(kāi)關(guān)電路中三極管易損壞的原因解析[ 2025-03-19 10:30 ]

MOS管開(kāi)關(guān)電路在電子設(shè)計(jì)中應(yīng)用廣泛，憑借其高開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻以及低功耗等優(yōu)點(diǎn)，被大量用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和信號(hào)控制等場(chǎng)景。然而，在某些情況下，為了實(shí)現(xiàn)特定的控制功能，設(shè)計(jì)中會(huì)引入三極管作為輔助元件。然而，許多工程師在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，三極管在MOS管開(kāi)關(guān)電路中往往更容易損壞。那么，造成這一現(xiàn)象的原因是什么？又該如何避免三極管的損壞呢？一、三極管在MOS管開(kāi)關(guān)電路中的作用在MOS管驅(qū)動(dòng)電路中，三極管通常被用作前級(jí)信號(hào)放大、級(jí)聯(lián)驅(qū)動(dòng)或是過(guò)流保護(hù)。例如，在一些低壓控制高壓的電路中，單獨(dú)使用MOS管可能無(wú)法滿足邏輯電

http://m.kannic.com/Article/mosgkgdlzsjgyshdyyjx_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]三極管與MOS管組合式開(kāi)關(guān)電路解析[ 2025-03-08 11:58 ]

在電子電路設(shè)計(jì)中，開(kāi)關(guān)電路是最常見(jiàn)的應(yīng)用之一。而在開(kāi)關(guān)電路的實(shí)現(xiàn)方式上，三極管和MOS管是兩種常見(jiàn)的器件，各具優(yōu)缺點(diǎn)。單獨(dú)使用三極管或MOS管時(shí)，可能會(huì)面臨一些限制，因此，許多電路設(shè)計(jì)會(huì)選擇將兩者結(jié)合，以發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì)，提高開(kāi)關(guān)電路的性能。一、三極管與MOS管的基本特點(diǎn)在分析組合式開(kāi)關(guān)電路之前，先了解三極管和MOS管各自的特性，這有助于理解它們?cè)陔娐分械淖饔谩?. 三極管（BJT, Bipolar Junction Transistor）：- 以電流驅(qū)動(dòng)，即基極電流決定集電極電流。- 適用于小功率驅(qū)動(dòng)，開(kāi)關(guān)速度相對(duì)較

http://m.kannic.com/Article/sjgymosgzh_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]全方位解析快恢復(fù)二極管：結(jié)構(gòu)、特性及應(yīng)用前景[ 2025-03-08 11:39 ]

快恢復(fù)二極管（Fast Recovery Diode，簡(jiǎn)稱FRD）作為電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵器件，在高頻開(kāi)關(guān)電路中扮演著重要角色。其卓越的反向恢復(fù)特性使其在功率變換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變、電動(dòng)汽車充電等應(yīng)用場(chǎng)景中得到廣泛應(yīng)用。一、快恢復(fù)二極管的基本結(jié)構(gòu)快恢復(fù)二極管在結(jié)構(gòu)上與普通PN結(jié)二極管類似，但其內(nèi)部設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，以減少反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。其核心結(jié)構(gòu)包括：1. 外延層：通過(guò)在N型襯底上生長(zhǎng)一層高電阻率的外延層，實(shí)現(xiàn)高耐壓特性，同時(shí)通過(guò)壽命控制技術(shù)優(yōu)化載流子復(fù)合速度。2. 載流子壽命控制區(qū)：通過(guò)摻雜金（Au）、鉑（P

http://m.kannic.com/Article/qfwjxkhfej_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]低功耗MOS管選型指南：封裝類型與應(yīng)用解析[ 2025-03-07 14:51 ]

隨著電子技術(shù)不斷進(jìn)步，設(shè)備對(duì)小型化和低功耗的需求日益增長(zhǎng)。MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）因其高效的開(kāi)關(guān)性能和低損耗特性，在電源管理、信號(hào)處理及各類開(kāi)關(guān)電路中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。合理選型不僅能減少能耗，延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航，還能提升電路的整體運(yùn)行效率。一、低功耗MOS管選型關(guān)鍵要素在選擇MOS管時(shí)，需要結(jié)合具體的應(yīng)用需求進(jìn)行評(píng)估，以下幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)至關(guān)重要：1. 工作電壓與電流MOS管的工作電壓和電流是選型的基礎(chǔ)，主要包括：- 最大漏-源電壓（Vds）：決定了MOS管能夠承受的最大電壓，應(yīng)根據(jù)電路工作電壓選擇合適的Vds，通

http://m.kannic.com/Article/dghmosgxxz_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]高效率整流二極管的關(guān)鍵特性與應(yīng)用場(chǎng)景解析[ 2025-03-04 10:39 ]

在現(xiàn)代電子技術(shù)的推動(dòng)下，高效率整流二極管已成為電力電子領(lǐng)域不可或缺的核心器件，廣泛應(yīng)用于電源管理、電能轉(zhuǎn)換以及高頻開(kāi)關(guān)電路。相比傳統(tǒng)整流二極管，它具備更低的正向壓降、更快的開(kāi)關(guān)響應(yīng)速度和更低的能量損耗，從而大幅提升系統(tǒng)的能效，滿足高性能電子設(shè)備對(duì)效率和穩(wěn)定性的嚴(yán)格要求。一、低正向壓降，提升能量轉(zhuǎn)換效率正向壓降（Vf）是衡量二極管導(dǎo)通性能的重要指標(biāo)，直接影響能量損耗。在傳統(tǒng)硅整流二極管中，正向壓降通常在0.7V左右，而高效率整流二極管，如肖特基二極管和超快恢復(fù)二極管，其正向壓降較低，一般在0.2V至0.4V之間。這種

http://m.kannic.com/Article/gxlzlejgdg_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]MOS管過(guò)熱問(wèn)題的根源與解決策略分析[ 2025-02-22 11:38 ]

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，MOS管作為重要的半導(dǎo)體器件被廣泛應(yīng)用于電源管理、電壓調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)電路等多個(gè)領(lǐng)域。然而，MOS管在工作過(guò)程中常常會(huì)遇到過(guò)熱問(wèn)題，這不僅影響器件的性能，甚至可能導(dǎo)致MOS管損壞。因此，研究MOS管過(guò)熱的根源及其解決策略，具有重要的理論和實(shí)際意義。一、MOS管過(guò)熱的根本原因1. 電流過(guò)大與內(nèi)阻增高 MOS管的導(dǎo)通狀態(tài)是由其內(nèi)阻（Rds(on)）和流經(jīng)的電流共同決定的。當(dāng)電流過(guò)大時(shí)，MOS管內(nèi)部的電阻產(chǎn)生的功率損耗增大，導(dǎo)致其溫度升高。根據(jù)公式P = I² * R，電流的增

http://m.kannic.com/Article/mosggrwtdg_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]如何利用快恢復(fù)二極管提升電路性能[ 2025-02-21 11:32 ]

在現(xiàn)代電子電路中，二極管是不可或缺的元件，主要用于實(shí)現(xiàn)電流的單向?qū)āｋS著技術(shù)的進(jìn)步，尤其是在高頻和高效電路中，傳統(tǒng)二極管逐漸暴露出性能上的局限。此時(shí)，快恢復(fù)二極管（FRD）因其卓越的快速切換特性和短反向恢復(fù)時(shí)間，成為了許多高性能電路設(shè)計(jì)中不可缺少的關(guān)鍵組件。一、快恢復(fù)二極管的基本原理快恢復(fù)二極管的顯著優(yōu)勢(shì)在于其極短的反向恢復(fù)時(shí)間。當(dāng)二極管從導(dǎo)通狀態(tài)切換到截止時(shí)，反向電流迅速歸零，幾乎沒(méi)有延遲。與傳統(tǒng)二極管相比，這種快速切換特性大大提高了電路的響應(yīng)速度和整體效率，因此在高頻和快速開(kāi)關(guān)電路中，如開(kāi)關(guān)電源、PWM調(diào)節(jié)器

http://m.kannic.com/Article/rhlykhfejg_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]三極管參數(shù)解析：從電流增益到最大頻率[ 2025-02-19 10:44 ]

三極管是電子學(xué)中常見(jiàn)的重要元器件，它在各種電路中的應(yīng)用非常廣泛。無(wú)論是放大電路、開(kāi)關(guān)電路還是振蕩器，三極管都扮演著至關(guān)重要的角色。理解三極管的主要參數(shù)，是設(shè)計(jì)和調(diào)試相關(guān)電路時(shí)不可忽視的一環(huán)。一、電流增益：β與α三極管的電流增益是描述其放大能力的重要參數(shù)，通常分為直流電流增益（β）和交流電流增益（α）。1. β（電流增益）β是三極管的一個(gè)非常重要的參數(shù)，它代表了集電極電流與基極電流之間的比例關(guān)系。具體來(lái)說(shuō)，β值是集電極電流與基極電流的比值，公式為β=Ic/Ib。β越大，說(shuō)明三極管的放大能力越強(qiáng)。典型的三極管β值通常在

http://m.kannic.com/Article/sjgcsjxcdl_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]負(fù)極二極管接法解析：為何負(fù)極重要？[ 2025-02-10 12:18 ]

在電子電路的設(shè)計(jì)中，二極管是一種至關(guān)重要的半導(dǎo)體元件，其獨(dú)特的單向?qū)щ娦詮V泛應(yīng)用于整流、信號(hào)調(diào)制、開(kāi)關(guān)電路等眾多領(lǐng)域。而其中，負(fù)極接二極管（通常稱為穩(wěn)壓二極管）憑借其獨(dú)特的電壓控制能力，成為電路設(shè)計(jì)中不可或缺的一部分。那么，負(fù)極在負(fù)極二極管中的作用究竟為何如此重要呢？一、負(fù)極接二極管的基本工作原理負(fù)極接二極管是一種專門用于穩(wěn)壓的二極管，其工作原理與普通二極管有所不同。它通常在反向電壓達(dá)到某一臨界值時(shí)發(fā)生擊穿，此時(shí)二極管內(nèi)部會(huì)形成穩(wěn)定的電流路徑，并保持一個(gè)恒定的電壓降。這一特性使得負(fù)極接二極管可以有效地維持電路中的電

http://m.kannic.com/Article/fjejgjfjxw_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]二極管反向恢復(fù)時(shí)間的定義及其重要性[ 2025-02-10 10:37 ]

二極管作為最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體器件之一，廣泛應(yīng)用于整流、開(kāi)關(guān)、電源管理等各類電子電路中。在高頻和高速開(kāi)關(guān)電路中，二極管的動(dòng)態(tài)特性尤為重要，其中反向恢復(fù)時(shí)間（Reverse Recovery Time）是衡量其性能的關(guān)鍵參數(shù)之一。一、二極管反向恢復(fù)時(shí)間的定義其從正向?qū)顟B(tài)切換至反向截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，反向電流由峰值衰減到接近零所需的時(shí)間，通常這個(gè)零值定義為峰值的10%或5%。在正向?qū)ㄆ陂g，PN結(jié)內(nèi)部會(huì)積累大量的載流子，形成一定的存儲(chǔ)電荷。當(dāng)外加電壓突然變?yōu)榉聪蚱脮r(shí)，這些積累的少數(shù)載流子不會(huì)立即消失，而是需要一段時(shí)間才能完成復(fù)

http://m.kannic.com/Article/ejgfxhfsjddyjqzyx_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題解答]二極管反向恢復(fù)時(shí)間的形成原因分析[ 2025-02-07 11:51 ]

二極管是一類廣泛應(yīng)用于電子電路的半導(dǎo)體器件，具有單向?qū)щ姷奶匦裕Ｒ?jiàn)于整流、開(kāi)關(guān)控制以及過(guò)壓保護(hù)等電路中。在高頻和高速開(kāi)關(guān)電路中，二極管的反向恢復(fù)時(shí)間成為影響電路運(yùn)行效率和穩(wěn)定性的核心參數(shù)之一。一、什么是二極管的反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間是指二極管從正向?qū)顟B(tài)切換到反向截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，電流完全衰減至零所需的時(shí)間。在理想情況下，當(dāng)二極管兩端施加反向電壓時(shí)，電流應(yīng)立即停止。然而，由于實(shí)際二極管內(nèi)部存在載流子（電子和空穴）的存儲(chǔ)效應(yīng)，電流不能瞬間消失，必須經(jīng)過(guò)一個(gè)短暫的反向電流階段，才能完全截止。二、二極管反向恢復(fù)時(shí)間的形成

http://m.kannic.com/Article/ejgfxhfsjd_1.html

深圳市壹芯微科技有限公司二極管·三極管·MOS管·橋堆

相關(guān)搜索/Related search

壹芯微資訊中心

導(dǎo) 航/Navigation

地址/Address

深圳市壹芯微科技有限公司二極管·三極管·MOS管·橋堆

相關(guān)搜索/Related search

壹芯微資訊中心

導(dǎo) 航/Navigation

地 址/Address

地址/Address