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        [常見問題解答]EEPROM與FLASH存儲器:原理差異與應用場景對比[ 2024-12-18 11:13 ]
        存儲技術的選擇在現代電子設備中非常重要,尤其是在需要大量數據存儲和高可靠性的場景中。然而,EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)和FLASH存儲器是兩種常見的非易失性存儲器類型,兩者都可以在斷電后保留數據。工作原理、性能特點、適用場景等方面存在顯著差異。本文將比較EEPROM和閃存之間的主要區別,并討論每種存儲器的不同應用場景。一、工作原理的差異EEPROM存儲器的基本結構由多個浮柵晶體管組成。浮置柵極是電隔離的導電區域,它捕獲并保留電子,從而改變晶體管的閾值電壓。寫入數據時,通過施加高電壓將電子注入到浮柵中,從
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        [常見問題解答]ADC類型對比:適用于不同應用場景的優缺點分析[ 2024-11-01 15:29 ]
        ADC(模數轉換器)是現代電子系統中的重要組件,用于將模擬信號轉換為數字信號,以供計算機和微處理器處理。不同類型的ADC具有不同的性能和成本,因此在選擇正確的ADC時,了解不同類型的優缺點尤為重要。在本文中,我們將一一分析一些常見類型的ADC。一、逐次逼近型ADC逐次逼近型ADC因其精度高、功耗低而廣泛應用于各種工業產品和消費電子產品。1. 優點高精度:SAR ADC通常具有高分辨率,使其成為需要高精度的測量應用的理想選擇,例如醫療監測和設備。低功耗:與閃存ADC相比,SAR ADC消耗的能量更少,適合需要節能的電
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        [技術文章]STM32F030K6T6 典型應用電路[ 2024-04-25 10:54 ]
        STM32F030K6T6 是意法半導體(STMicroelectronics)推出的一款入門級32位微控制器,屬于STM32F0系列。它基于ARM Cortex-M0處理器,主要適用于需要成本效益、低功耗和高性能的各種應用。首先,STM32F030K6T6 的核心頻率可達48 MHz,集成了32KB的閃存和4KB的SRAM,支持廣泛的外設接口,如SPI、I2C、USART、以及多達18個GPIO引腳。這些特性使得它非常適合用于家用電器控制、簡單的嵌入式系統、以及個人電子設備中。其次,STM32F030K6T6 提
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        [行業資訊]STM32F103R8T6TR中文資料PDF介紹與封裝[ 2022-02-14 17:54 ]
        STM32F103R8T6TR中文資料PDF介紹與封裝描述STM32F103R8T6TR包含以72MHz頻率運行的高性能ARMCortex-M332位RISC內核、高速嵌入式存儲器(高達128KB的閃存和高達20KB的SRAM),以及連接到兩條APB總線的各種增強型I/O和外圍設備。此器件提供兩個12位ADC、三個通用16位定時器和一個PWM定時器,以及標準和高級通信接口:最多兩個I²C和SPI、三個USART、一個USB和一個CAN。2.0至3.6V電源。它可用于–40至+85°C溫
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        [常見問題解答]非易失性存儲器和易失性存儲器的區別介紹[ 2022-01-19 18:23 ]
        非易失性存儲器和易失性存儲器的區別介紹近年來,非易失性存儲器(nonvolatilememory,NVM)技術得到了快速發展。非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節尋址兩類。以閃存(flashmemory)為代表的塊尋址非易失性存儲器已經廣泛應用于嵌入式系統、桌面系統及數據中心等系統中。字節尋址的非易失性存儲器主要包括相變存儲器(phasechangememory,PCM)、阻變存儲器(resistiverandom-accessmemory,RRAM)、自旋矩存儲器(spin-transfertorqueRAM,ST
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